Offтопик:

Сообщение от
Hennady
На дроссель низя
Ну я как бы пошутил!..


Сообщение от
Овэд
Так же были бы интересны Ваши конкретные предложения по оптимизации констукции. С ув. Сергей.
Во-первых, источник тока на СВЧ-транзисторе VT10 совершенно безграмотно сделан. LDMOS-технологию в общем-то и придумали для того, чтобы снизить индуктивность истока до сотых наногенри, обеспечить хороший теплоотвод и малую выходную корпусную ёмкость сток-исток. А что получается в конструкции
PMCF? Индуктивность истока хорошо если десятки наногенри (т.е. как минимум на два-три порядка больше). Отсюда мощная ПОС и высокая склонность к автогенерации. Потому и резистор 200 Ом в затворе VT10.
Offтопик:
Кстати, хорошо, что затворные выводы в воздухе весят, а то бы и этот резистор не помог. Отсюда, по-видимому, описанный Вами эффект

Сообщение от
PMCF
Даже отрезок проводника в затвор, облепленный диэлектриком, по разному будет гадить
Я предлагаю "намертво" прикрутить этот транзистор фланцем к радиатору (ещё лучше к медному основанию). Затвор его подключить к источнику напряжения, зашунтированного керамикой, а номиналы "противовозбудных" резисторов можно снизить до 0,3-1 Ом. Таки образом, получаем мощный и быстродействующий источник тока с качественным отводом тепла.
Во-вторых, предлагаю рассмотреть вариант однотранзисторного усилителя, выполненного на мощном LDMOS-транзисторе по схеме с ОИ.
Кстати, раз уж мощность в 0,5 ватта является комфортной, то вполне возможно, что искажения величиной в 0,1-1% могут находиться за порогом слышимости и смысл дальнейшего усложнения схемы с целью улучшения Кг непонятен.
Социальные закладки