Выходные транзисторы

[Octagon]

Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?

[FaTTy]

Niroborn
Я остановился на MJL21194 для двухполярной версии JLH. Ничего не свистит и играет достойно (ИМХО конечно же )

[Niroborn]

Niroborn
Я остановился на MJL21194 для двухполярной версии JLH. Ничего не свистит и играет достойно (ИМХО конечно же )

Я тоже думаю что свистеть не должно. Но я думаю должно быть и так неплохо с 3055. Акустика не высокий-конец . Я думаю попробую для начала оригинальную схему сделать, кондеры появилась возможность заказать. И кстати это скромное мнение очень многих

Добавлено через 7 минут

3055 в TO-247 у Томсона очень приличные, можно еще TIP35CP/TIP35CW/TIP35 применить.
15024/21194 имеют большое сопротивление тела коллектора, я об этом писал, и для низковольтных схем уступают 2N5886. В моделях этот эффект не отражен (сильно занижено Rc).

Спасибо, TIP3055 очень хорошо подходят и по корпуса и по цене . Главное чтоб не фейк был. Сколько они примерно должны стоит в розницу?
А 2N5886 я нигде не смогу достать без заморочек.

Добавлено через 3 минуты

С невысокой граничной частотой. А то все будет свистеть. Современные моторолы туда лучше не ставить. В ветке по JLH было обсуждение.

Да я читал подобные мысли на DIYAUDIO и ещё на других англоязычных сайтах. Здешнюю ветку я прочитал, она сравнительно очень маленькая .

[Yury Novikov]

Я делал этот усилитель на старых мотороловских 2N3055 в ТО-3. Кстати очень хорошо звучащие транзисторы. Но они и до сих пор выпускаются и продаются http://www.onsemi.com/PowerSolutions...t.do?id=2N3055 есть в www.digikey.com неудобные конечно немного для монтажа, но это не смертельно.

[Niroborn]

Но они и до сих пор выпускаются и продаются

Я знаю, у нас их даже продают Но как я уже говорил их будет очень геморно приделать в существующий корпус.
Если выпускаемые ST TIP3055 это полный аналог мотороловских 3055, то вообще никаких проблем нет.
ТО-3 впринципе удобный, но не для данного конкретного корпуса. У меня есть другой корпус и в него их ставить очень удобно, так что тут проблема чисто конструктивная.

[Костя Мусатов]

3055 в TO-247 у Томсона очень приличные, можно еще TIP35CP/TIP35CW/TIP35 применить.
15024/21194 имеют большое сопротивление тела коллектора, я об этом писал, и для низковольтных схем уступают 2N5886. В моделях этот эффект не отражен (сильно занижено Rc).

Сергей, объемное сопротивление коллектора, сколько я помню, должно отражаться на напряжении насыщения КЭ. Если зять даташиты мотороллы, то у 3055 1В Usatce достигается при 6.5А тока коллктора,
у 21194 и 5886 на 6,5А напряжение порядка 0,3В. У 3281 на 6,5А получается 0,25В
Сам я не измерял. Неужели так расходятся транзисторы с даташитами у одного производителя?

[sia_2]

Сергей, объемное сопротивление коллектора, сколько я помню, должно отражаться на напряжении насыщения КЭ. Если зять даташиты мотороллы, то у 3055 1В Usatce достигается при 6.5А тока коллктора,
у 21194 и 5886 на 6,5А напряжение порядка 0,3В. У 3281 на 6,5А получается 0,25В
Сам я не измерял. Неужели так расходятся транзисторы с даташитами у одного производителя?

Смотреть надо не характеристики насышения, а КВАЗИНАСЫЩЕНИЯ (или напряжения начала насыщения при базовых токах, близких к Ic/h21э, а не многократно задранных). Дело в том, что Rc - коварная штука, оно максимально в линейном режиме на границе квазинасыщения, а затем, при росте тока или уменьшении напряжения, приводит к открыванию коллекторно-базового перехода "внутри" транзистора, что приводит как к отбору тока базы (падению H21э), так и к модуляции этого Rc за счет заливки высокоомного слоя коллектора носителями. Последнее - процесс инерционный, и вызывает резкий рост эффективной коллекторной емкости, одновременно снижая видимое на статической ВАХ падение напряжения коллектор-эмиттер. Напряжение насыщения - оно так и называется, поскольку соответствует полному насыщению тела коллектора носителями, когда его сопротивление падает до минимума (максимальная модуляция). Время рассасывания - это как раз время удаления этих носителей, модулирующих проводимость коллекторного (а не базового, как в старых совковых учебниках) слоя.
Эффект наиболее выражен у высоковольтных транзисторов (особенно pnp) в силу того, что для повышения пробивных напряжений приходится использовать слаболегированные и толстые (т.е. высокоомные) коллекторные области.
В стандартных SPICE- моделях этих эффектов нет, они не моделируются, но в жизни - имеются во всей красе.

Добавлено через 25 минут

Я знаю, у нас их даже продают Но как я уже говорил их будет очень геморно приделать в существующий корпус.
Если выпускаемые ST TIP3055 это полный аналог мотороловских 3055, то вообще никаких проблем нет.

Практически полный, характеристики кристалла очень похожие. Но нужно иметь в виду, что площадь железки у TO-247 почти вдвое меньше, чем TO-3 т.е. изолирующую прокладку ставить крайне нежелательно. Лучше запараллелить пару транзисторов для компенсации повышенного теплового сопротивления.

[killhumax]

Попробуй KTA1962A,KTC5242A! Производства КEC . Мне их Д. Андронников рекомендовал. High Collector Voltage : VCEO=-230V(Min.)
Complementary to KTC5242A.
Recommended for 80W High Fidelity Audio Frequency Есть в Питере в Элкомаге. Заменял в выходном каскаде одного усилителя ,мне понравились.

[Костя Мусатов]

Дело в том, что Rc - коварная штука, оно максимально в линейном режиме на границе квазинасыщения

Правильно ли я тебя понимаю, что надо смотреть точки перегиба ВАХ-ов при конкретном токе и по ним расчитывать эффективное Rc в активном режиме? Как на картинке, имеем 0.8 Ома.
А то, что нам давали как Rc получается это Rc в режиме насыщения.

[sia_2]

Правильно ли я тебя понимаю, что надо смотреть точки перегиба ВАХ-ов при конкретном токе и по ним расчитывать эффективное Rc в активном режиме? Как на картинке, имеем 0.8 Ома.
А то, что нам давали как Rc получается это Rc в режиме насыщения.

Да. Да. Только на Вашей картинке аппроксимирующая прямая проведена для слишком большого тока, когда уже есть модуляция сопротивления тела коллектора потоком носителей (и рост Cк). Правильное значение для данных транзисторов дадут кривые для 2-4А, заметьте, что они окончательно спрямляются гораздо правее. Rc тогда получается 1,5...1,8 Ома, что близко к реальности. Точное значение Rc можно рассчитать, зная профили легирования и геометрию прибора.
У более низковольтных транзисторов этот противный эффект выражен значительно меньше. Кстати, сильнее всего им страдают транзисторы, изготавливаемые самым дешевым методом тройной диффузии.

[Костя Мусатов]

Сергей, я еще раз хочу уточнить. Возьмем для примера 2SC2922.
Я выделил три области в ВАХ.
1. Слева - область насыщения
2. Снизу и вправа - активная
3. Сверху - область модуляции тела коллектора. Характеризуется неким наклоном ВАХ гораздо круче, чем того требует эффект Эрли в активной зоне.

Получается, что при попадании в третью область, а это и есть большие амплитуды сигнала по напряжению и току недалеко от ограничения, резко растет емкость коллектора, снижается полоса усиления и может возникать неустойчивость усилителя. Хотя насыщения нет и словить этот участок достаточно тяжело. Не допустить насыщения схемотехнически не сложно, а вот эту зону поймть гораздо тяжелее.

Тут еще такая вещь, что по некоторым учебникам получается, что на третьей области проявляется эффект Эрли. Просто одни рассматривают его относительно базы, а другие относительно коллектора.

[sia_2]

Сергей, я еще раз хочу уточнить. Возьмем для примера 2SC2922.
Я выделил три области в ВАХ.
1. Слева - область насыщения
2. Снизу и вправа - активная
3. Сверху - область модуляции тела коллектора. Характеризуется неким наклоном ВАХ гораздо круче, чем того требует эффект Эрли в активной зоне.

Получается, что при попадании в третью область, а это и есть большие амплитуды сигнала по напряжению и току недалеко от ограничения, резко растет емкость коллектора, снижается полоса усиления и может возникать неустойчивость усилителя. Хотя насыщения нет и словить этот участок достаточно тяжело. Не допустить насыщения схемотехнически не сложно, а вот эту зону поймть гораздо тяжелее.

Тут еще такая вещь, что по некоторым учебникам получается, что на третьей области проявляется эффект Эрли. Просто одни рассматривают его относительно базы, а другие относительно коллектора.

В учебниках путаница, т.к. их пишет хрен знает кто - классики вымерли. К примеру, эффект Кирка (о котором в данном случае должна идти речь) первым наблюдал Федотов, но сразу не понял его сути. Настоящее понимание дает самостоятельный расчет и изготовление конструкций транзисторов, особенно оптимизированных для разных приложений в составе микросхем. Должен заметить, что на весь бывший СССР и РФ этим реально владело всего 6-8 человек, и притом достаточно средне..
На приведенной Вами картинке видны следствия ярко выраженного оттеснения тока на край эмиттера и сокращение эффективной площади эмиттера (и, соответственно, роста Rc) с ростом тока, это грубая ошибка "удешевления" конструкции транзистора.
Выбор "необычных" и достаточно низковольтных транзисторов в СЛ и мощное их параллеление - одно из следствий описанных выше проблем.

[Niroborn]

Практически полный, характеристики кристалла очень похожие. Но нужно иметь в виду, что площадь железки у TO-247 почти вдвое меньше, чем TO-3 т.е. изолирующую прокладку ставить крайне нежелательно. Лучше запараллелить пару транзисторов для компенсации повышенного теплового сопротивления.

Даже слюду? А если керамику? К сожалению ST нифига не даёт данных о термическом сопротивлении и подобных характеристиках. Только 90Вт при 25 градусах. Если принять derating factor равным 1Вт/гр (на глаз), то при температуре 75гр, рассеиваемая мощность сотавит 40Вт, что впринципе допустимо, на транзисторе будет рассеиваться максимум 25-26Вт. Охлаждение планируется активное. Так может можно будет одной парой обойтись, а то насколько я понимаю ток покоя устанавливается для каждого транзистора и добавление ещё одной пары только ухудшит положение, или я путаю?

[sia_2]

Даже слюду? А если керамику? К сожалению ST нифига не даёт данных о термическом сопротивлении и подобных характеристиках. Только 90Вт при 25 градусах. Если принять derating factor равным 1Вт/гр (на глаз), то при температуре 75гр, рассеиваемая мощность сотавит 40Вт, что впринципе допустимо, на транзисторе будет рассеиваться максимум 25-26Вт. Охлаждение планируется активное. Так может можно будет одной парой обойтись, а то насколько я понимаю ток покоя устанавливается для каждого транзистора и добавление ещё одной пары только ухудшит положение, или я путаю?

При двух транзисторах и том же суммарном токе покоя, на каждый придется вдвое меньшая мощность.

[Alex Nikitin]

На приведенной Вами картинке видны следствия ярко выраженного оттеснения тока на край эмиттера и сокращение эффективной площади эмиттера (и, соответственно, роста Rc) с ростом тока, это грубая ошибка "удешевления" конструкции транзистора.

Сергей, поправь меня, если ошибаюсь, но, если мне не изменяет память, как раз эти Санкены (2SC2922 и 2SA1216) отличаются наличием резисторов (кажется, нихромовых) последовательно с каждым из эмиттеров в многоэмиттерной структуре. Из-за этого и практически линейная зависимость Vbe после некоторого значения, и несколько необычные характеристики насыщения.

Алексей

[sia_2]

Сергей, поправь меня, если ошибаюсь, но, если мне не изменяет память, как раз эти Санкены (2SC2922 и 2SA1216) отличаются наличием резисторов (кажется, нихромовых) последовательно с каждым из эмиттеров в многоэмиттерной структуре. Из-за этого и практически линейная зависимость Vbe после некоторого значения, и несколько необычные характеристики насыщения.

Алексей

Балластные резисторы на эмиттерные секции в том или ином виде ставят во все сколько-нибудь нормальные транзисторы, речь о последствиях других эффектов, в частности, неравномерности распределения тока в пределах отдельно взятой эмиттерной полоски, в основном из-за падения напряжения вдоль базового слоя.
Кстати, пример достаточно грамотно спроектированных выходных транзисторов можно найти в описании LM12, из которого сделана 3886.

[Niroborn]

При двух транзисторах и том же суммарном токе покоя

Так всё таки ток покоя нужно высталять для всего ВК или для каждого транзистора? В усилителях АВ вроде с увеличением числа транзисторов в ВК суммарный ток покоя увеличивается пропорционально. Видимо я чего-то не понимаю

[antiluser]

Ток покоя растет пропорционально увеличению числа параллельных транзисторов, если сохранять его оптимальное значение. Поэтому даже в классе AB серьезные усилители с большим числом параллельных транзисторов являются неслабыми колориферами

[Niroborn]

Ток покоя растет пропорционально увеличению числа параллельных транзисторов, если сохранять его оптимальное значение. Поэтому даже в классе AB серьезные усилители с большим числом параллельных транзисторов являются неслабыми колориферами

Ну так и я об этом. Это в классе АВ основная мощность рассеивается при работе в нагрузку, а в А классе на холостом ходу. Или в А классе при увеличении числа транзисторов в ВК ток покоя каждого уменьшается пропорционально их числу?

Как оказалось так и есть - ток покоя делится между транзисторами. Общее энергопотребление схемы остаётся неизменным.
Всё понял.

[antiluser]

Делить ток покоя по транзисторам не правильно, т. к. это ухудшит параметры (линейность, частотные свойства).

[sia_2]

Делить ток покоя по транзисторам не правильно, т. к. это ухудшит параметры (линейность, частотные свойства).

Это в AB, в А же ток покоя заведомо больше оптимального, поэтому его деление в усилителе классе А как раз приносит пользу.