Выходные транзисторы

[Octagon]

Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?

[thickman]

КП926 имеет триодные ВАХ, потому говорить о начальном стоке некорректно. Этот ток стока очень сильно зависит от напряжения на стоке. Я обмерил почти две сотни 926-х с маркировкой "опытный", но измерял смещение, усиление и искажения при фиксированном режиме, который интересен мне. Распределение очень ровное (что не хорошо), но подобрать четверки для стереоусилителя оказалось несложно. При этом в четверки уходит до 70% транзисторов. А вот в самом начале, одну четверку удалось подобрать только из 20 экземпляров.

Однако чуть было не присвоил новый параметр для приборов этого класса. Возмутительно ещё и потому, что моя дипломная работа была целиком посвящена мощным полевикам, в частности и СИТ, старею однако. Прошу прощения, конечно же измерения проводились при не нулевом токе стока и не при нулевом напряжении на стоке. Но параметры действительно разбегались очень сильно. И лавинный пробой у некоторых экземпляров был ниже 300в, вот это я очень хорошо запомнил.

Добавлено через 16 часов 59 минут

При каком токе коллектора проводились измерения? Если при токе меньше 100мА, то бета npn транзисторов должна быть существенно меньше. Раза в 3...4. Измерения нужно производить при токе коллектора 1...5А.

Бетта на очень малых токах не самый важный параметр, но мне кажется и его целесообразно использовать при тестировании на «вшивость» подозрительных экземпляров. Этот параметр, как я понимаю, мало зависит от назначения прибора,- мне приходится иногда иметь дело с мощными ключевыми транзисторами, и я давно перестал удивляться хорошей линейности коэфф. передачи по току многих из них и при малых Iк. Как пример - проверенные мной 45-ти амперные высоковольтные BUX348 производства STMicroelectronics имели десятипроцентный завал бетты при токе коллектора всего 50мА по сравнению с тем же параметром, но при Iк=1а. Я считаю, если не прав - поправьте, что малых токах завал в основном определяется рекомбинацией носителей на дефектах кристаллической решетки внутри кристалла и на его поверхности (не каждая птица долетит до середины Днепра ), а дефекты определяются в основном количеством примесей и чистотой поверхности кристалла. Иначе говоря, поэтому параметру можно косвенно судить о чистоте исходного материала и о культуре производства в целом.

[Lynx]

Бетта на очень малых токах не самый важный параметр....

...малых токах завал в основном определяется рекомбинацией носителей на дефектах кристаллической решетки внутри кристалла и на его поверхности (не каждая птица долетит до середины Днепра ), а дефекты определяются в основном количеством примесей и чистотой поверхности кристалла. Иначе говоря, поэтому параметру можно косвенно судить о чистоте исходного материала и о культуре производства в целом.

И данными факторами тоже. Но, кроме того, еще и геометрией базовой области. При ячеистой эмиттерной структуре спад может быть довольно большим ввиду сложной формы и большой площади поверхности кристалла, поскольку для носителей разницы между дефектом решетки или сильноградиентным физическим перепадом поверхности, сформированном специально, нет.

[Octagon]

К сожалению некоторые так считают, и доказывают это с пеной у рта. И борятся с этими искажениями немыслимыми способами, в то время как УН у них из рук вон кривой , а то и усилок вообще неправильно скорректирован

Да и вообщем-то сравнивать можно только отдельные элементы конкретных реализаций. В начале ветки после сравнения транзисторов в усилителе с ТОС следуя рекомендации ИГВИНа таки собрал однотактник Чифолли на IRFP140. Ничего общего с звучанием полевиков в реализации с ТОСом, звук совершенно другой.
Честно говоря если бы мне поставили прослушать эту схему с нуля я бы и не определил на чем она сделана .

[thickman]

И данными факторами тоже. Но, кроме того, еще и геометрией базовой области. При ячеистой эмиттерной структуре спад может быть довольно большим ввиду сложной формы и большой площади поверхности кристалла, поскольку для носителей разницы между дефектом решетки или сильноградиентным физическим перепадом поверхности, сформированном специально, нет.

Да это так, но я специально привёл в качестве примера мощный транзистор с большой площадью кристалла и очень развитым периметром эмиттерного перехода, но имеющего ,тем не менее малый спад бэтты в области малых токов. Дело в том что кроме качества исходного материала и простых процедур шлифовки и последующей химической полировки, существует ряд тонких технологических моментов, особенно для планарно – эпитаксиальных структур, но лучше нам его и не затрагивать, иначе в такие дебри залезем … Вообще получение эпитаксиальных пленок высокого качества, без значительного количества дефектов, сам по себе процесс непростой. Для высоковольтных транзисторов, например такие дефекты между пленкой и подложкой снижают устойчивость к вторичному пробою, но не приводят к спаду бэтты. Но зато при высоком уровне техпроцесса в целом, для серьёзных мощных транзисторов малый спад бэтты имеем как бонус. Я конечно же не призываю использовать такие транзисторы в звуке, только высказываю предположение, что и для звуковых транзисторов аномальный спад бэтты на малых токах говорит о плохом качестве техпроцесса или вообще о контрафакте

[Инквизитор]

Offтопик:

Да и вообщем-то сравнивать можно только отдельные элементы конкретных реализаций. В начале ветки после сравнения транзисторов в усилителе с ТОС следуя рекомендации ИГВИНа таки собрал однотактник Чифолли на IRF610. Ничего общего с звучанием полевиков в реализации с ТОСом, звук совершенно другой.

Да нет, это я о личном... Применительно к незвуковым устройствам. Просто накипело...

[Octagon]

Offтопик:
Да нет, это я о личном... Применительно к незвуковым устройствам. Просто накипело...

Offтопик:
Понимаю. Про таких слагают анеки типа: "В лесу нашли мальчика, которого вскормили и воспитали дятлы. На следующий день он всех задолбал..."

[Lynx]

...что и для звуковых транзисторов аномальный спад бэтты на малых токах говорит о плохом качестве техпроцесса или вообще о контрафакте

Думаю, что не всегда. Если этот спад 5...10 кратный, то это, естественно ненормально, а вот 2-кратный спад у 10-амперного транзистора на токе в 3мА - это нормально, думаю, что как раз и есть тот спад, что определяется свойствами технологии. К слову, для высоковольтных ключевых транзисторов, поверхность как раз формируется максимально ровной для исключения высоких напряженностей поля, а для усилительных приборов с Uгр менее 250...400В геометрия эмиттерных областей чаще ориентирована на получение более гладкой входной характеристики и смягчения порогового эффекта перехода база эмиттер. Но это уже зависит от конкретного типа транзисторов.

[thickman]

Думаю, что не всегда. Если этот спад 5...10 кратный, то это, естественно ненормально, а вот 2-кратный спад у 10-амперного транзистора на токе в 3мА - это нормально.

Я тоже имею ввиду значительный обвал при токах 100мА и более. Дмитрий, Вы не имеете печального опыта приобретения транзисторов на периферии и слава богу, какие там 100мА ! сплошной контрафакт, и такой простой тест порой бывает очень эффективным.
Я приводил в качестве примера высоковольтный ключевой транзистор как любопытное наблюдение и возможно как общую тенденцию, а сравнивать между собой различные классы приборов конечно же не имеет смысла. Даже в одном классе , например «высоковольтные» - не корректно. С граничным напряжением более 500-700В используют меза-планарные структуры с тройной встречной диффузией, а с граничным напряжением 250 – 500 вольт это ,как правило, полностью планарные структуры. Усилительные сравнительно низковольтные вообще не хочу затрагивать, - я не специалист в области П.П. технологий и мои знания весьма поверхностны.

[Lynx]

Ну насчет "поверхностных знаний" - это, как мне кажется, "шютка такая"
А вот по поводу приобретения приборов - да, все-таки, в Питере с этим проще, да и выбирать есть из чего.
А в общем контексте, Вы правы, спад беты мезапланарных приборов на 100мА - это признак неких проблем.
Я, когда говорил о нормальности спада беты у планарно-эпитаксиальных усилительных приборов, имел ввиду именно область совсем малых токов коллектора, сопоставимых с обратным током коллекторного перехода.

[Кеша]

Как уже было сказано, основные характеристики транзисторов особенно показательны в усилительных каскадах с ООС. А как обстоит дело с усилителями в классе А? То есть, на что обращать внимание при выборе транзисторов для таких усилителей?

[Ulis]

к сожалению- да.У нас проблема не то что с одной партии ,года приобрести а и одного производителя,кстати какова их реальная цена?,я платил чуть меньше 3 евро за штуку.

Правый транзистор у Вас похож на фэйк.
Признаки - перевернутая маркировка, выпуклая крышка.

Вот пример фэйка

[S_A_M]

Кто-нибудь пробовал Sanken 2SA1295/2SC3264?

[радист]

Сгорела кучка транзисторов 2SC5359 2SA1987. Посмотрел даташит - один в один с 5200 и 1943, даже графики... но стоят в два раза дороже Так как кучка большая, разница в стоимости довольно ощутима. Можно ли поставить 5200/1943 или все же 5359 чем то лучше?

[ZeReX]

5359 немножко мощнее будут

[NoNe]

Практически один в один 1943\5200 реально помощнее, чем в даташите.

[Slava!!!]

А что народ скажет про применение дарлингтогнов от Санкена 2sb1559-2sd2389

[Niroborn]

Такой вопрос: какие транзисторы лучше применять в оригинальной схеме JLH? У автора стоят 2N3055 и он говорит что звук оч. хорош, в симуляторе гораздо лучше выглядят MJ15024, но стоят они в несколько раз больше. Стоит ли за ними гнаться? Ещё есть аналог 2N3055 от ST под названием TIP3055 в корпусе TO-247. Это реально аналог ил параметры его хуже? Конструкция корпуса усилителя очень неподходит для TO-3, поэтому интересуюсь.

[Yury Novikov]

какие транзисторы лучше применять в оригинальной схеме JLH?

С невысокой граничной частотой. А то все будет свистеть. Современные моторолы туда лучше не ставить. В ветке по JLH было обсуждение.

[sia_2]

Такой вопрос: какие транзисторы лучше применять в оригинальной схеме JLH? У автора стоят 2N3055 и он говорит что звук оч. хорош, в симуляторе гораздо лучше выглядят MJ15024, но стоят они в несколько раз больше. Стоит ли за ними гнаться? Ещё есть аналог 2N3055 от ST под названием TIP3055 в корпусе TO-247. Это реально аналог ил параметры его хуже? Конструкция корпуса усилителя очень неподходит для TO-3, поэтому интересуюсь.

3055 в TO-247 у Томсона очень приличные, можно еще TIP35CP/TIP35CW/TIP35 применить.
15024/21194 имеют большое сопротивление тела коллектора, я об этом писал, и для низковольтных схем уступают 2N5886. В моделях этот эффект не отражен (сильно занижено Rc).

[ExLoud]

Правый транзистор у Вас похож на фэйк.
Признаки - перевернутая маркировка, выпуклая крышка.
Вот пример фэйка

Хотелось бы дополнить - эта фотка с transfal.tpipod.com, там не оба транзистора фэйк, а только слева; правый - оригинал.
В статье обращается внимание, что у оригинала толще провода к кристаллу и больше его площадь.