Выходные транзисторы

[Octagon]

Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?

[minimalman]

Offтопик:

ИМХО, здесь ограничивающим фактором явилась конструкция макета

РЧ транзисторы на похожие мегагерцы имеют совсем непохожую топологию выводов, так что ещё вопрос, насколько эти 100М реализуемы на практике.

Offтопик:

А транзисторы чот не зашли в качестве настольного фетиша)

А если профили Маркса-Энегльса-Бланка-Джугашвили выбить? ну по аналогии с ХЭ из 3го Райха.
Или ручки для переноски. Чугунный фланец? Цоколёвка под керамические ламповые панельки?

[sia_2]

Сравнил в работе пару MJW3281D+MJW1302D c VL035DN+VL035DP по критерию коммутационных искажений.
ВК - двойка с КТ9180+КТ9181 и плавающим питанием в первом каскаде.
Непосредственно между базами выходных транзисторов стоял резистор 20 Ом, и два параллельно ему конденсатора: 1 и 470 мкФ.
От предыдущего каскада выходные транзисторы отделялись двумя резисторами сопротивлением по 1 Ом каждый.
В эмиттерах стояли резисторы по 0,235 Ом.
Использовал режектор от Г3-118 и дополнительный масштабный усилитель на 40 дБ.
Частота 100 кГц, нагрузка - 2 Ом. Ток покоя предварительно отстраивался по минимуму искажений.
Измерения проводил и без нагрузки, и при разных выходных напряжениях, но при 10 В и нагрузке 2 Ом (пиковый ток около 5 Ампер) картинки наиболее характерные.

Осциллограммы:
Вложение 421519
Спектры:
Вложение 421520

Вывод такой.
1. На осциллограммах в основном видны нелинейные искажения сигнала (амплитудой около 10 мВ).
2. Уровень коммутационных выбросов в целом меньше у VL035. У PNP чуть хуже. Но, возможно, что я его слегка перегрел, и при замене, его "пичок" будет такой же, как и у NPN собрата.
3. Сам процесс коммутации у VL035 более широкополосный. Простирается до 10 МГц, но при этом в низкочастотной области (до трех МГц) спадает быстрее и равномернее.

В общем, первоначальные предположения о характере переключения новых транзисторов подтвердились. Переключаются резвее, заряд рассасывается быстрее.

Все выполнялось на макете, на огрызке платы от усилителя MW. Конструкция более-менее нормальная, но все равно на 100 МГц транзисторы не рассчитывалась.
ИМХО, здесь ограничивающим фактором явилась конструкция макета, поэтому чтобы реализовать преимущества новых транзисторов в большей степени, для них желательно делать качественную плату.

По виду осциллограмм остаточного сигнала для обоих транзисторов доминируют резонансы макета, разница невелика, и определяется в основном разницей в емкостях транзисторов. Я в свое время на них насмотрелся. В действительно качественно сделанном выходном каскаде никаких "звенящих", тем более на несколько периодов, переходных процессов при переключении плеч быть не должно, должны быть просто небольшие горбинки на фоне "гладкой" нелинейности, заметные только под максимальной нагрузкой.

[bukvarev]

В целом - да, искажения примерно как у аналогов. Процесс переключения будет во многом определяться импедансом в цепях баз и индуктивностями в цепях эмиттеров. Сейчас транзисторы были запаяны без изгиба выводов, на "коротке", с длиной вывода всего 4 -5 мм. а эмиттерные резисторы - спаренные 2512, 0,47 Ом. Правда, питание было выполнено "бабочкой", с электролитами в 5 мм от запайки выводов транзисторов. Короче, контура токов достаточно минимизированы, это в целом отражает типовую современную конструкцию.
Чтобы полностью реализовать возможности, нужно делать распределенную конструкцию, с ограничением токовой нагрузки на транзистор. Но это все влетает в копеечку, и точно не для радиолюбителей.

А так, основной вывод простой: есть наши транзисторы, которые при включении в обычную конструкцию точно не хуже импортных аналогов.
Любителям можно брать одну пару, и смело делать аппарат при питании +-30..35 В на нагрузку 4 Ом.

[minimalman]

Offтопик:
А если сменить корпус на подобный DrMOS с неизмеряемыми индуктивностями - насколько будет затратно/выгодно? Заодно типа киллер-фича)

[vl o..]

В целом - да, искажения примерно как у аналогов. Процесс переключения будет во многом определяться импедансом в цепях баз и индуктивностями в цепях эмиттеров. Сейчас транзисторы были запаяны без изгиба выводов, на "коротке", с длиной вывода всего 4 -5 мм. а эмиттерные резисторы - спаренные 2512, 0,47 Ом. Правда, питание было выполнено "бабочкой", с электролитами в 5 мм от запайки выводов транзисторов. Короче, контура токов достаточно минимизированы, это в целом отражает типовую современную конструкцию.
Чтобы полностью реализовать возможности, нужно делать распределенную конструкцию, с ограничением токовой нагрузки на транзистор. Но это все влетает в копеечку, и точно не для радиолюбителей.

А так, основной вывод простой: есть наши транзисторы, которые при включении в обычную конструкцию точно не хуже импортных аналогов.
Любителям можно брать одну пару, и смело делать аппарат при питании +-30..35 В на нагрузку 4 Ом.

1.Спасибо большое за обследование и информацию.
2.Вы правильно подметили по рпр, что он чуть-чуть греется, т.к. эти рпр были сделаны на непрофилированной эпитаксии, к концу июня обещают выход на сборке наших транзисторов VL035 рпр с эпитаксией имеющей профиль.
3.Посмотрел ДШ " на ВК - двойка с КТ9180+КТ9181 и плавающим питанием в первом каскаде". Данные транзисторы можно будет заменить на VL037рпр и прп, но это продолжение данного направления. В свое время я давал их (старая конструкция) кому-то из форумчан на опробование.
Это просто масштабированные кристаллы с размера 4,7х4,7мм (VL035) до 2,2х2,2мм(VL037) и кое-что еще.

---------- Сообщение добавлено 10:12 ---------- Предыдущее сообщение было 10:06 ----------

Они красивые! Конденсаторы!
Можно и не паять)
А транзисторы чот не зашли в качестве настольного фетиша)))
Жаль, что рынок аудио совсем схлопнулся(
В-общем, если придумаете чего - могу поучаствовать)

Чтоб хорошо зашли транзисторы, могу сообщить, что первые опытные чипы (старой конструкции) транзисторов делала ваша "Лампочка" - КРЛЗ-Восход г.Калуга и было это аккурат 20лет назад

[bukvarev]

Еще ряд оценок.
1. При изменении тока покоя, малосигнальная полоса меняется весьма значительно. В пропорциях, плюс-минус, как у импортного аналога.
Тут, конечно, нужно делать измерения каждого транзистора на заводском стенде, и приводить графики зависимости граничной частоты от тока коллектора при вариации напряжения к-э в документации.
При прочих равных, полоса новых транзисторов в несколько раз шире (более 20 МГц для "двойки")
Осциллограммы показаны для малосигнального режима, меандр 4 МГц, верхний луч - входной сигнал, нижний - выходной.
При изменении тока покоя, форма меандра изменяется от сглаженной (завалены фронты), проходит через идеальный прямоугольник и завершается сигналом с выбросами. Этими выбросами можно управлять, изменяя параметры предоконечного каскада, и выводя АЧХ при заданном токе покоя до требуемой. Все как обычно.


2. Область малых напряжений к-э при больших токах и малом напряжении питания (+-12В, нагрузка 2 Ома).


Видно, что бетта у новых транзисторов при малых напряжениях к-э и больших токах линейнее ("полка" сигнала при ограничении ровная, в отличие от импортного транзистора).
Но при напряжениях к-э, меньших 5 В, начинается резкая деградация частотных свойств.
Поэтому при практическом применении стоит ограничить минимальное напряжение к-э значением 5В. Этому условию вполне удовлетворяют схемы усилителей с единым питанием усилителя напряжения и выходного каскада.

Вот осциллограмма самого начала процесса.
Первым "начинает" PNP транзистор, до рельсы - 4В:


Можно ли сделать так, чтобы этих колебаний не было во всех режимах работы выходного каскада, включая область малых напряжений к-э? Конечно можно. Цена вопроса - полоса частот ВК.
Итого, для усилителей с неглубокой ОООС вообще без разницы. Делаем полосу ВК меньше, и вопрос закрыт.
Для усилителей с глубокой ОООС один из вариантов (самый простой) - используем совместное питание УН и ВК.

[vladimir sim]

bukvarev, я сравнивал при питании +-30В и 4 Ом, 200 кГц. Осциллограммы похожи, и хорошо видно, что у 5200/1943 в квазинасыщении частота проваливается совсем сильно, полки клипа завалены, у VL035 картинка гораздо красивее. Частота у VL035 при 12В , 0,1А более чем в 3 раз превышает таковую у 2SC3263.

[bukvarev]

VL035 картинка гораздо красивее

Да, там все как в книжках по быстродействующим импульсным системам.
Меандр по общей форме идеален, но на горизонтальных участках видны незначительные колебания, не имеющие определенной частоты и связанные с кучей паразитов конкретной конструкции.

Вот пример осциллограмм при малом напряжении питания (+-12 В) в режиме большого сигнала (амплитудой 5 В), без нагрузки и с нагрузкой 2 Ом. Разницы практически нет.

[vl o..]

может кому-то будет интересно, что было еще создано по RET-конструкции https://cloud.mail.ru/public/CdEZ/Q79ErZ3Ag

[Serge_L]

что первые опытные чипы (старой конструкции) транзисторов делала ваша "Лампочка" - КРЛЗ-Восход г.Калуга и было это аккурат 20лет назад

20 лет назад я очень хорошо знал, почти всех, кто там работал.
А где Вы сейчас это изготавливаете?

[vladimir sim]

bukvarev, из последних двух графиков видно, что на самом деле Ft сильно не меняется- без нагрузки девиации тока нет, под нагрузкой -есть, но графики одинаковые . У 5200/1943 очень большая избыточная емкость в квазинасыщении, поэтому графики выглядят столь уродливо. Я бы еще попросил загрузку из поста 1070 переконвертировать в PDF, файлы doc почему-то не открываются.

[bukvarev]

bukvarev, из последних двух графиков видно, что на самом деле Ft сильно не меняется- без нагрузки девиации тока нет, под нагрузкой -есть, но графики одинаковые .

Да, меняется слабо, но это пока до рельсы больше 5 Вольт
Собственно, ИМХО, это - единственный момент, на который разработчику усилителя стоит обратить внимание. Все остальное у транзисторов отлично.

[bukvarev]

улучшить квазинасыщение можно только, откатив Uсе до 160 В. Тошиба не зря в новых сериях TTA0001/TTC0002 снизила Uce до 160В, потому что в 230 В транзисторах с этим бидэ полное.Но это требует других ваферов и перестройки техпроцесса.

Это - боль для пром. применения )))
Останется только использовать качественно сделанный перекрестно-симметричный мост. Сразу - цена. (кстати, одна из причин, почему FQA46N15 и FQA36P15 неудобны).
В полумосту же можно поставить дешевое слежение за ОБР, и гнать до питаний +-90В.

В любительском сегменте это не важно. Как, впрочем, и квазинасыщение. Так что можно ничего не перестраивать. По меньшей мере, на текущем этапе производства. ИМХО.

[Serge_L]

Я бы еще попросил загрузку из поста 1070 переконвертировать в PDF, файлы doc почему-то не открываются.

4-х выв ret VL029 и VL030 инфо.pdfНаши чипы СВЧ замеры в США .pdf

[vl o..]

Всем успеха! Пробил еще одного поставщика смотрите здесь.
http://www.antelcom.ru/index.php/prajs-list
сайт обновляют, скачайте прайс там в поисковике найдете по 300р

[install]

Всем успеха! Пробил еще одного поставщика смотрите здесь.
http://www.antelcom.ru/index.php/prajs-list
сайт обновляют, скачайте прайс там в поисковике найдете по 300р

Здравствуйте !
Написал в личку по приобретению транзисторов VL035.
По ссылке их нет.

С уважением, Андрей

[Dinosaurus]

Пробил еще одного поставщика

Конкуренты как из дружественных, так и недружественных стран проснулись

[Prophetmaster]

Купил транзисторы VL035DN и VL035DP на Митинском рынке в магазине S10 по 500 руб. 4 пары.
Собрал усилитель МСА-100 на них, скоро буду тестировать синусом и прямоугольником, а потом слушать

Хотелось бы еще и драйверные к ним иметь. Есть информация по VL037 и паре к нему?

[vl o..]

Купил транзисторы VL035DN и VL035DP на Митинском рынке в магазине S10 по 500 руб. 4 пары.
Собрал усилитель МСА-100 на них, скоро буду тестировать синусом и прямоугольником, а потом слушать
Хотелось бы еще и драйверные к ним иметь. Есть информация по VL037 и паре к нему?

Господа!
Излагаю информацию по VL037 и паре к нему.

VL037D фактически готов на уровне программы, которая позволяет сделать фотошаблоны, а далее
-производство фотошаблонов и их закупка (российский фаб №1),
-производство эпитаксиальных структур (российский фаб №2),
-производство на этих эпитаксиальных структурах чипов на планарной стороне (российский фаб №3),
-производство на изготовление обратной стороны (российский фаб №4)
-сборка в корпус ТО-220,D2PAK или другой корпус, что существует в РФ (российский фаб №5)
Через полгода максимум будет на прилавке.
Вопрос: За чей счет банкет????

[Dinosaurus]

Излагаю информацию

Конкуренты проснулись (ISC и пр.)