Экономичность получается благодаря экспоненциальной входной характеристике биполярного транзистора по схеме ОЭ или ОБ.
Файл симуляции (немножко причесан по коррекции по сравнению с макетом).
nativeA8.cir
пояснения к схеме
Схема пока что собрана на макете. К сожалению, первоначально спроектированная слаботочка не показала симуляторных параметров по частотке (все оказалось гораздо хуже), поэтому была безжалостно урезана до работоспособности. По идее, в слаботочную часть можно поставить ОУ, способный отдавать ток до нескольких миллиампер при выходном напряжении до 1 В.
Выходной/предвыходной двухтактный каскад - q8..q16.
Транзисторы q9-q11 (q8-q10) - каскод, работающий на входной экспоненциальной характеристике, раскачивает выходные дарлингтоны q14-q16 (q13-15).
Начальное смещение (порядка 10..30 мА) выходных транзисторов обеспечивает источник тока q1-q2-R1. Этот ток выбирается порядка 0.2 от рабочего тока покоя. Рабочий ток покоя задает обычная схема термостабилизации R13-R16-q12 (q12 установлен на радиаторе вблизи выходных транзисторов).[свернуть]
Испытания на синусе 1 кГц
Начальный ток смещения установлен 60 мА с помощью R1, затем доведен до 300 мА резистором R15.
Эквивалент нагрузки 8 Ом.
Ток через q16 при различной амплитуде выхода (сплошная линия на одну клеточку от низа экрана - уровень нуля).
Максимальный неискаженный сигнал на выходе.
Легкий клип.
В процессе испытаний ток покоя колебался в пределах 290-310 мА. Термостабильность неплохая.
К сожалению, каникулы кончились. Надо бы собрать селектор искажений и измерить. Но мне не нравится слаботочка... И когда теперь время найдется? Но будем надеяться.[свернуть]
Социальные закладки