Резисторы в истоках вертикальных ПТ.

[SAPR]

Общеизвестный факт - достаточно условная комплиментарность N и P вертикальных МОСФЕТов.
Кроме того, для лучшей термокомпенсации (и для выравнивания токов, при включении нескольких транзисторов в параллель) в истоки желательно ставить резисторы.
Их и ставят - одинаковые для верхнего и нижнего плеча.
НО:
Первый рисунок: Статическая передаточная х-ка тока стока от напряжения затвор - нижний вывод истокового резистора для 540 (синий) и 9540 (красный). В цепь затвора 540 добавлено смещение (0.46 В), чтобы уравнять пороговое напряжение. Резисторы в истоках одинаковые, по 0.35 Ом. Различие между 540 и 9540 - налицо.
Второй рисунок - все тоже, но в истоке 540 сопротивление 0.5 Ом, 9540 - 0.2 Ом.
в диапазоне токов стока до нескольких ампер - намного более лучшее совпадение.

А теперь - спектр искажений для напряжения 1, 3, 4 и 20 В для выходного каскада с одинаковыми (0.35 Ом) резисторами (красный) и разными (в верхнем плече 0.5 Ом, в нижнем 0.2 Ом) резисторами (синий). В обеих случаях ток покоя ВК одинаков - 160 мА.

[ИГВИН]

Так у менее мощных просто раньше выполаживается кривая при увеличении тока стока.
Поэтому если брать средний участок, мощные выглядят линейнее.

[scarp]

Поэтому если брать средний участок, мощные выглядят линейнее.

Игорь, о чем ты?
Прочитай пост СИА, и с десяток постов ниже. Линейность не причем.

[ИГВИН]

весь начальный участок сток-затворной характеристики у практически всех мощных полевиков - экспоненциальный, точно такой же, как и у биполярных транзисторов (только с несколько меньшей и неодинаковой для p- и n- канальных удельной крутизной).
Это хорошо видно на графиках в полулогарифмическом масштабе (когда напряжение затвор-исток дано в линейном масштабе, а ток стока - в логарифмическом).

Ну дык я разве с этим спорю?
Это однозначно.

[scarp]

Тогда о чем твои посты, непонятно? Я просто проиллюстрировал посты СИА, показав незадокументированные характеристики транзисторов. Всё!

[nikolayms]

scarp, чем измеряете?

[ИГВИН]

scarp, чем измеряете?

Мне тоже интересно.
С 5mA и сразу в линейку - выглядит не похоже на те измерения, которые я делал когда-то.
Это было так давно, что графики в тетрадке, которую я не нашёл

[Mepavel]

scarp, интересно Вы линейность характеристик определяете по графику. По двум точкам? Если бы вы измерили хотя бы точек 10 по экспоненциальному ряду тока стока до значений 0,5-1 А и выложили бы именно эту зависимость, а то у Вас большая часть графика нелинейная. Разумеется так мы ничего и не увидим.
Мало того на одном графике отобразили транзисторы с разной крутизной. Тогда уж надо каждую зависимость отдельно показывать.

Offтопик:
Самому интересно стало. В понедельник на работе сниму ВАХ разных транзисторов.

[shkal]

Mepavel, а этот пост о чем вообще? На графике 15 точек от 5ма до 10а

[Mepavel]

Mepavel, а этот пост о чем вообще?

shkal, я по-моему подробно изложил о чём.

На графике 15 точек от 5ма до 10а

А толку. Я имел ввиду, что нужен график в полном масштабе до токов 0,5-1 А, для каждого транзистора, а не то что у на картинке у scarp (ну ничего ведь не видно для 3-х приборов). Кроме того, значения тока стока выбраны не из экспоненциального ряда. Поэтому густота точек разная. Это неправильно.
P.S. На больших токах (точнее мощностях) надо измерять в импульсном режиме, а то на всё это накладывается тепловой уход свойств транзисторного кристалла.

[scarp]

nikolayms, Вот этой схемкой, самую малость видоизмененной.

Я имел ввиду, что нужен график в полном масштабе до токов 0,5-1 А, для каждого транзистора, а не то что у на картинке у scarp (ну ничего ведь не видно для 3-х приборов). Кроме того, значения тока стока выбраны не из экспоненциального ряда. Поэтому густота точек разная. Это неправильно

Чушь не надо писать. Что вам там не видно?

На больших токах (точнее мощностях) надо измерять в импульсном режиме

Скважность 140.

[Mepavel]

Чушь не надо писать. Что вам там не видно?

Я уже писал что невидно. Вы бы ещё сильнее сжали масштаб по оси абсцисс, тогда бы получилась просто вертикальная линия.

Скважность 140.

Кроме того, длительность импульса в 900 мкс слишком велика (для современных транзисторов не должна превышать 50 мкс).

[ИГВИН]

Самому интересно стало. В понедельник на работе сниму ВАХ разных транзисторов.

Было бы неплохо.
Возьмите какие-нибудь широко распространенные, чтобы можно было перепроверить.

[shkal]

Mepavel, так что не видно-то? У вас есть 8 точек от 5ма до 1А, которые практически идеально ложаться на экспотенциальную кривую. Для чего нужна более точная аппроксимация?

[Mepavel]

У вас есть 8 точек от 5ма до 1А, которые практически идеально ложаться на экспотенциальную кривую.

Где Вы это увидели? Посмотрите на полномасштабный график IRF511? Там уже начиная с токов 10 мА никакой экспонентой и не пахнет. А Вы считаете что другие транзисторы, чем-то принципиально отличаются от IRF511?

Offтопик:
P.S. Если бы ещё сильнее развернуть масштаб до токов 1 А, то неэкспоненциальность была сильнее заметна.

[shkal]

речь шла о всех графиках кроме irf511, это очевидно из контекста.

[SAPR]

Offтопик:
Теоретически, конечно интересны эти замеры\ графики. Вот что они дадут практически?
Мне кажется, лучше измерять реальный двутактный ВК - без ОООС и на малых уровнях сигнала - с разными транзисторами и сопр. в истоках. Очень информативны графики поста #14. По крайней мере, на симулятор тут ругаться не надо - поскольку графики статические.
К сожалению, сейчас не имею доступа не только к паяльнику, но и к симулятору. Ибо в отпуске.

[Mepavel]

речь шла о всех графиках кроме irf511, это очевидно из контекста.

Ну а чем irf511 принципиально отличается от других транзисторов? Я пишу о том, что если правильно снять ВАХ для других транзисторов и показать их в полном масштабе, то мы увидим тоже самое. Вот и всё

[MAXIM_A]

Я пишу о том, что если правильно снять ВАХ для других транзисторов и показать их в полном масштабе, то мы увидим тоже самое. Вот и всё

Причём интересен начальный участок, до 1А, дальше почти прямая линия...

[SAPR]

А если шунтировать резисторы емкостями ( порядка сотни мкФ)? это же не индуктивость в истоках .

[scarp]

Теоретически, конечно интересны эти замеры\ графики. Вот что они дадут практически?

Да, в общем-то ничего не дадут . Мне просто захотелось проверить слова Агеева, сколько длится начальный экспоненциальный участок у современных мощных транзисторов.

---------- Добавлено в 00:44 ---------- Предыдущее сообщение в 00:29 ----------

Я пишу о том, что если правильно снять ВАХ для других транзисторов и показать их в полном масштабе, то мы увидим тоже самое.

Что мешает в графическом редакторе сжать или расширить картинку? Попробуйте так видоизменить картинку для irf511, чтобы она выглядела также, как и для stp140nf55. При том же угле наклона отрезка с конечными точками 5 мА и 2 А, как на изначальной картинке для stp140nf55

---------- Добавлено в 00:58 ---------- Предыдущее сообщение в 00:44 ----------

Кроме того, длительность импульса в 900 мкс слишком велика (для современных транзисторов не должна превышать 50 мкс)

STMicroelectronics то и не знают, вот лохи.

pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%

Посчитайте по даташитовскому графику, какой будет прирост температуры перехода при импульсе 900 мкс, скважности 140, Uds=10V, Id=1A.