Собираем сверхлинейный усилитель Сергея Агеева.

[Эзотехник]

Транзисторный усилитель с глубокой ООС и ОУ на входе. См. журнал "Радио" №10-12 за 1999 г. и №1,2,4-6,9-11 за 2000 г.

[olegk]

Именно так. И это "впритык".

Т.е. чтобы управлять одним выходным, нужны три предвыходные.. ,а не наоборот

[sia_2]

желания нет, но есть желание понять как правильно,
и здесь я вижу проблемму, так как 5 Ом резистор между базами в ВК я видел только в СЛ, хотя почти все твердят что у них предвыход в А

Твердить можно что угодно, бумага всё стерпит. Проблемы в другом - ОБР и квазинасышение предвыходных. И их наличие по факту.

[straus]

Пост нр 1 Авторские схемы и чертежи 2003 г
20 Ом / 4 = 5 Ом

Хм. Точно. Они не совсем в параллель, но идея понятна. В журнале были другие номиналы. Но и другие транзисторы.
Вздрючивается ток покоя предвыхода, миллиампер этак по 60-70 на пару получится.

[sia_2]

Не совсем, зависит от ёмкостей. У тех же BD911/912 ёмкости вполне вменяемые, а что касается токов - то для большинства выходных транзисторов не стоит залезать за 3-4 ампера в пике, дальше резко портятся их частотные свойства, особенно при малых напряжениях (т.е. вблизи ограничения, где и так проблемы из-за максимального значения коллекторных ёмкостей). Это всё достаточно кропотливое кроилово применительно к конкретным условиям. В то же время современная пассивная домашняя акустика легко кушает пики в десятки ампер, примерно до ампера на пиковый вольт, отсюда, с одной стороны, и горы выходных транзисторов в хороших полупроводниковых усилителях, и целесообразность применения ключевых усилителей, если не ставится задача получения предельного качества без оглядки на затраты.

[olegk]

Твердить можно что угодно, бумага всё стерпит.

к сожалению.

Болшое спасибо за разяснения.
Я думаю, подход мне ясен

[sia_2]

Ну да, к счастью, ничего особо сложного. Просто дотошный обсчет.

[dekko]

[Валет]

Влияние этих емкостей на хоботе я анализировал для схемы из журнала «Радио». В последней схеме номиналы резисторов изменены, что позволяет рассматривать упрощенную эквивалентную схему рассматриваемого участка в таком виде:

Емкости Б-Э оконечных транзисторов играют в ней второстепенную роль, имхо. Ток от предвыходного каскада и без них все равно попадает в нагрузку через эмиттерные переходы оконечных транзисторов. Причем независимо от фронтов и частоты сигнала. Но с ростом частоты он приобретает больший вес на выходе ВК. Так в любом дарлингтоне, и шиклае тоже.

Ток эмиттера выходных транзисторов Iэ=Iб + β·Iб, первое слагаемое не зависит от усилительных свойств транзисторов и емкость перехода ни при чем, хотя конечно, она облегчает прохождение тока базы в выходную цепь, но это не существенно, учитывая выходное сопротивление предвыходного каскада.

[olegk]

Ну да, к счастью, ничего особо сложного. Просто дотошный обсчет.

Да, но просто когда резулътат ни с кем не сходится, то появляются сомнения.
В этот момент возможность посоветоваться очень помогает.

[olegk]

Емкости Б-Э оконечных транзисторов играют в ней второстепенную роль, имхо.

Я не согласен, Сбе надо зарежать и разрежать(что на много труднее),
А эта ёмкость просто гигангская.
Например: Ic=3A Ft=5MHz Cbe=gm/2piFt = 3.6mkF A эto уже серьезно.

[Валет]

Я не согласен, Сбе надо зарежать и разрежать(что на много труднее),
А эта ёмкость просто гигангская.
Например: Ic=3A Ft=5MHz Cbe=gm/2piFt = 3.6mkF A эto уже серьезно.

Конечно, но ток в базы оконечных транзисторовв в любом случае (с емкостью и без нее) будет одинаковым и определяться током, потребным для поддержания напряжения на нагрузке. Так как этот ток проходит в нагрузку. Я не имею в виду емкость коллекторного перехода: ток для ее перезаряда не зависит от рассматриваемого процесса.

[olegk]

В статике да, а в динамике (в момент переключения) эту ёмкость надо перезарежать,
на что тоже ток нужен, и в зависимости от скорости нарастания, не малый

[Валет]

В статике да, а в динамике (в момент переключения) эту ёмкость надо перезарежать,
на что тоже ток нужен, и в зависимости от скорости нарастания, не малый

Этот немалый ток проходит через нагрузку, и если бы он был слишком немалый, то напряжение на нагрузке подскочило бы так, что весь ВК просто бы заперся. Это означает, что этот ток в динамике авторегулируется напряжением на нагрузке.
PS. Причем авторегулируется не ток через емкость, в суммарный - через емкость и через эмиттерный переход

[sia_2]

А для чего, спрашивается, выходная RLC там стоит катушкой к выходному каскаду ?

[Валет]

---------- Сообщение добавлено 21:27 ---------- Предыдущее сообщение было 21:24 ----------

А для чего, спрашивается, RLC там стоит катушкой к выходному каскаду ?

А что эта RCL меняет? Понятно, что она изменяет импеданс нагрузки и естественно это влияет на ток в нагрузку, а, следовательно, и на ток в базу оконечного транзистора. Все по физике вместе с математикой. К тому же эта RCL не должна существенно влиять на звуковых частотах. А импеданс нагрузки (реальных АС) меняется с частотой и без RCL.
PS. Индуктивность на выходе ВК ставят практически во всех оосных УМЗЧ.

[straus]

Ну да, к счастью, ничего особо сложного. Просто дотошный обсчет.

Так, Серёжа, сейчас я тебя пригружу.
Берём усь, и уменьшаем в нём количество параллельно включенных транзисторов исходя только из надёжности (соблюдение ОБР), без оглядки на возросшие нелинейности. Придавливаем коррекцией, чтобы из-за некоторого ухудшения частотных свойств не было подвозбудов.
Внимание вопрос: насколько ухудшатся в этом случае объективные параметры при работе на резистивную нагрузку, и на комплексную (со всеми прелестями в виде просадки импеданса)?

[оператор]

Если у Вас полочная АС 50 Вт в пике, то никакой разницы скорее всего не услышите.
А, если у Вас:
http://www.bowers-wilkins.ru/Speaker...nd/800-D3.html
(1000 Вт, 8-3 Ом) то разница будет и видна и слышна.

[sia_2]

Так, Серёжа, сейчас я тебя пригружу.
Берём усь, и уменьшаем в нём количество параллельно включенных транзисторов исходя только из надёжности (соблюдение ОБР), без оглядки на возросшие нелинейности. Придавливаем коррекцией, чтобы из-за некоторого ухудшения частотных свойств не было подвозбудов.
Внимание вопрос: насколько ухудшатся в этом случае объективные параметры при работе на резистивную нагрузку, и на комплексную (со всеми прелестями в виде просадки импеданса)?

А количества транзисторов изначально выбираются именно от ОБР и нагрузки, урезать реально нечего, ну если не делать "усилитель для работы на резистор", как почти вся бытовка за вменяемые деньги. Особенность "домашней" акустики - она, как правило, более "низкоомная" и к тому же с меньшим КПД, чем большинство про.

[оператор]

Не только ОБР.
Цитата из этой темы:

1) конструктивное выполнение, практически убирающее полную (с учетом цепей питания) индуктивность цепей коллекторов и эмиттеров выходных транзисторов, как за счет сокращения длины проводников, так и за счет близости "земель" - то есть сокращения эффективной площади контуров протекания тока.
2) использование достаточного числа выходных, и, главное, предвыходных транзисторов. Эффективная паразитная индуктивность эмиттерных цепей (и, соответственно, выхода УМ до замыкания ООС) при этом снижается в N раз, где N-число транзисторов. Естественно, существует оптимальное их число в зависимости от конструкции и режимов работы, когда этот эффект еще не перекрывается ростом габаритов и суммарных емкостей.
3) использование разброса напряжений база-эмиттер выходных транзисторов для обеспечения плавного переключения плеч одновременно с очень большим суммарным током покоя при малом результирующем сопротивлении параллельно работающих эмиттерных резисторов (изменение выходного сопротивления без ООС при изменении выходного тока и переходе его через нуль не превышает 40-50 миллиом, что обеспечивает собственные искажения выходного каскада на уровне заведомо менее 0,2%, порядка 0.05%, а до 5 Вт - менее 0.02%).
4) обеспечение работы предвыходных транзисторов строго в классе А даже при отработке максимальных скоростей, развиваемых УН.
5) Гарантия отсутствия попадания выходных транзисторов в режим квазинасыщения на пиках сигнала при малом падении напряжения на них за счет небольшого тока, приходящегося на каждый транзистор.
sia_2

Таким образом, нормальный, правильный, усилитель это: 4-слойная печать, СМД, 8-12 выходных и соответственно столько же драйверов в А классе, все остальное игрушки.

[BesPav]

А что эта RCL меняет?

Да практически все.
Для начала и если без особенных подробностей - она меняет функциональное назначение и тип девайса, в том числе позволяя нанести на переднюю панель заветное аглицкое «Amplifier».

желания нет, но есть желание понять как правильно

Правильно начать с формирования технических требований к архитектуре системы в целом, потом выделить и отсортировать по степени влияния и технической реализуемости основные влияющие факторы.
Где-то тут обнаружатся взаимоисключающие пары и придется либо корректировать начальные требования, либо «впихивать невпихуемое». Конкретно здесь - бессмысленно гоняться за сотнями, да даже десятками, вольт/мкс при наличии означенного RCL и типовой индуктивности/инерции классических пищалок. Ну и опять же бессмысленно пытаться скрестить в одном девайсе конскую скорость и конскую мощность.
Более-менее реальный вариант - это малоиндуктивный планарный драйвер и смонтированный непосредственно на нем усилитель, желательно не требующий L на выходе, ну и конечно частотные полосы лучше бы нарезать до усилителя.