DC-DC преобразователи напряжения (для авто)

[WARIOR]

Здравствуйте !

Я решил возвратиться к статье "АВТО 400", а именно к ПН. Я заканчиваю сборку по той схеме и хотел спросить нет ли там каких-либо ошибок или недостатков, недочётов, неохото получать negative consequences. (Пытался связаться с автором, чтоб узнать у него - не получилось). Может кто-нибудь собитал подобный ПН ?
Заранее огромное спасибо !
https://www.vegalab.ru/index.php?opt...=184&Itemid=52

[egorr]

Это egorr писал! Значит к нему вопрос

Мне казалось ,что всё очевидно,попробую подробно.

Представим что у нас есть 2 идентичных преобразователя ,в каждом (предположим)по 4 ключа в плече,которые отличаются только способом подключения проводников "косы" (из 4х проволок)первички к ключам.
В первом случае стоки ключей запараллелены и подключены к собранным в кучу проволкам косы.
Во втором каждая проволка косы подключена к своему стоку.
Потери на индуктивности рассеяния вычисляются по формуле:

PLs=I*I*F*Ls

Возьмём ток 40 А
1.Для первого случая,когда всё в куче :
PLs(1)=40*40*F*Ls=1600*F*Ls

2. т.к. ключа четыре,то распределение тока на каждый проводник 40/4=10А
PLs=10*10*F*Ls=100*F*Ls - на отдельно взятом ключе.
Их четыре,поэтому суммарные потери на 4х ключах для варианта 2 будут :
PLs(2)=4*I*I*F*Ls
PLs(2)=4*10*10*F*Ls=400*F*Ls
Нетрудно видеть,что потери для второго случая в четыре раза меньше.

[Plex61]

PLs(2)=4*I*I*F*Ls
PLs(2)=4*10*10*F*Ls=400*F*Ls

извиняюсь не подумал , надо попробовать , выглядит красиво .

[pokos]

Нетрудно видеть,что потери для второго случая в четыре раза меньше.

Шото мне подсказывает, шо Ls при таких расчётах тоже нужно умножать на 4.
Никаких физических причин уменьшения потерь я не вижу. Как текло через Ls транса 40А. так и течёт. А то, что там транзисторов 500 - это вовсе не повод, в нонешних транзисторах и так 500 запараллелено на кристалле.

[Plex61]

Шото мне подсказывает, шо Ls при таких расчётах тоже нужно делить на 4.

почему ? LS вроде та же .

[IVX]

egorr, вы посчитали это дело, для случая с 4мя отдельными трансами.

[pokos]

почему ? LS вроде та же .

С чего она та же? Если ты их 4 параллельно соединил и получил Ls транса общую. Подумай мозгом.

[IVX]

pokos, ага, подумал мозгом, возник вапроц - давно-ли напараллеливание проводов, стало снижаеть/повышать индуктивность, тогда вроде берём литц и нечего больше рекуперировать?

[pokos]

....давно-ли напараллеливание проводов, стало снижаеть/повышать индуктивность,

Вот и я о том же. Скоко проводов ни параллель, а Ls транса останется та же. Если мы в рощотах возьмём для кожново плеча не 4Ls транса, а просто Ls, то тогда получается, что параллеленье изменяет Ls транса. Шо есть бред.

Ведь потенциалы свех 4-х концов литца одинаковые. Потому, к примеру, мы подали на них всех по 40 Вольт. Ток во всех 4-х начал рось с одинаковой скоростью и дорос до 40А суммарного. Вопрос к egorr. Изменится ли время нарастания тока, если эти концы мы соединим вместе?
Почему-то мне кажется, что не изменится. С чего вдруг?
Значит в Ls нарастание до 40А происходит за время t. А в каждом отдельном конце за то же время t - только до 10А.
Что это значит? Значит приведённая индуктивность отдельного конца в 4 раза больше, чем всех 4-х запараллеленых.
Значит, нету никакой экономии потерь.

Вот такой вот мозг.

[Rubicon]

Как народ относится к использованию в снабберах супрессоров ака TVS-диодов? Воткнуть симметричный типа 1.5KE15CA паралелльно половинке первички?

[Инквизитор]

Плохая идея , емкость слонячая у супрессоров

[IVX]

есличо мосфет сам саппрессор, какая разница где сеять?

[egorr]

Шото мне подсказывает, шо Ls при таких расчётах тоже нужно умножать на 4.

та Вы шо?
Это значит что коэффициент связи между первичной и вторичной обмотками будет меняться пропорционально количеству жил в "косе" первички?

[Bulich]

Шото мне подсказывает, шо Ls при таких расчётах тоже нужно умножать на 4.
Никаких физических причин уменьшения потерь я не вижу. Как текло через Ls транса 40А. так и течёт. А то, что там транзисторов 500 - это вовсе не повод, в нонешних транзисторах и так 500 запараллелено на кристалле.

И правильно подсказывает, чудес не бывает.
В расчетах ошибка, Ls надо умножать на 4. В результате получим тоже самое.
Как это объяснять... Ну можно двумя способами:
1. Представим что у нас есть две индуктивности (заранее известно что они одинаковые) которые включены в параллель. Индуктивность Х Гн. Ясен пень что каждая из них обладает индуктивностью 2*Х Гн.
2. Относительно индуктивнсоти расаеивания, если уменьшаем на трансе количество проволочек в два раза, то падает магнитная связь между обмотками (вторичкой и нашей новой первичкой) соответственно вырастит Ls.
Pokos, молодца. Согласен полностью, скоростью роста тока это тоже можно подтвердить.

---------- Добавлено в 16:51 ---------- Предыдущее сообщение в 16:49 ----------

Это значит что коэффициент связи между первичной и вторичной обмотками будет меняться пропорционально количеству жил в "косе" первички?

По моему логично, что будет меняться.

---------- Добавлено в 16:58 ---------- Предыдущее сообщение в 16:51 ----------

есличо мосфет сам саппрессор, какая разница где сеять?

А я все равно не согласен. Транзистор это ключ, а не суппрессор или клампер. Это с точки зрения "правильности". Может я что-то пропустил и так можно делать... Но пока не согласен.
Второй момент это распределение тепла. Думаю это даже более важно. Например на данный момент у меня сильно греются транзисторы, диоды и транс., остальной холодное. Это значит что надо придумывать как это дело охлаждать, радиаторы, корпус подбирать и т.п. Так пусть лучше все тепло распределится по плате равномерно. Если дельта температур на плате будет в пределах 10-20 градусов то это наверное лучше, чем дельта в 40-50 градусов... Нафига греть транзюк пока не покраснеет, а при этом иметь комнатную температуру на другом конце платы? А так глядишь пару ватт с транзисторов кинется на суппрессор.
Да и еще MTBF с ростом температуры сильно падает...

[pokos]

та Вы шо?
Это значит что коэффициент связи между первичной и вторичной обмотками ...

Не знаю, откудлва такие выводы. Зато знаю, где ошибка в твоих расчетах. Ты считаешь для несвязанных катушек, т.е. для четырех трансформаторов. Для одного трансформатора с сильно связанными обмотками твои формулы не годятся.

[Slavik-65]

Например на данный момент у меня сильно греются транзисторы, диоды и транс., остальной холодное.

а больше и гретца то нечему

---------- Добавлено в 18:49 ---------- Предыдущее сообщение в 18:47 ----------

корпус подбирать и т.п.

а взглянуть бы
можно и без корпуса

[egorr]

Bulich[/B];1311844]1. Представим что у нас есть две индуктивности (заранее известно что они одинаковые) которые включены в параллель. Индуктивность Х Гн. Ясен пень что каждая из них обладает индуктивностью 2*Х Гн.
2. Относительно индуктивнсоти расаеивания, если уменьшаем на трансе количество проволочек в два раза, то падает магнитная связь между обмотками (вторичкой и нашей новой первичкой) соответственно вырастит Ls.

Bulich
Проводить аналогию между индуктивностью рассеивания трансформатора и индуктивностью проводников первичной обмотки некорректно.
Вы пробовали мерять Ls всей "косы" и проводников первички поотдельности?
Сейчас делаю преобразователь,где как раз будет использовано по 4 ключа в плече.
Если позволит время,покажу его работу в 2ух вариантах.

[korolkov24]

Вот и я о том же. Скоко проводов ни параллель, а Ls транса останется та же.

Нет, и даже индуктивность тонкого провода больше индуктивности толстого.

[Starichok]

бессмысленно мерить по отдельности. учесть взаимоиндукцию всех проводников невозможно. простая арифметика, типа умножить-разделить, тут не поможет

[Bulich]

Bulich
Проводить аналогию между индуктивностью рассеивания трансформатора и индуктивностью проводников первичной обмотки некорректно.
Вы пробовали мерять Ls всей "косы" и проводников первички поотдельности?
Сейчас делаю преобразователь,где как раз будет использовано по 4 ключа в плече.
Если позволит время,покажу его работу в 2ух вариантах.

Слово мерять я бы взял в кавычки так как померять 80нГн 40-50нГн (мой случай) весьма затруднительно. Оценить с точностью +/- 10-30% по скорости нарастания тока или характеру выброса можно.
Возможно вы правы и все не так просто. Я просто выражал свое мнение, просто логика и предчувствие. Я тоже могу проделать то, о чем вы пишите, главное время найти...
Постараюсь завтра просто оторвать половину проводников вторички от уже установленных транзисторов и сравнить индуктивность рассеивания с первоначальной. Вы меня заинтриговали.

---------- Добавлено в 23:40 ---------- Предыдущее сообщение в 23:36 ----------

а взглянуть бы

А на что? Это макет огромных размеров, с доработанными дорожками с помощью ножа, сгоревшей коричневого цвета канифолью и т.п. Мне не хочется выкладывать такую жесть. В планах показать конечный результат с комментариями.

[IVX]

Нет, и даже индуктивность тонкого провода больше индуктивности толстого.

серьёзное открытие, но это не "даже", а просто очевидно - параллель L и уменьшай индуктивность, здесь же речь идёт об индуктивности рассеяния.