что сам Корделл писал про эту страницу книги:
Indeed, and most importantly, the hybrid pi is a small-signal model. Most of the hybrid pi parameters change with the current and voltage conditions of the transistor at the moment. .... in the real world ft & beta change somewhat to current and voltage conditions.
Keep in mind that Cbe or Cpi is connected from base to emitter, not from base to ground. In an emitter follower, Cbe is bootstrapped by the output signal, so the input impedance attributable to Cbe is smaller
For loading from a small-signal point of view, the capacitive component of the output transistor will be VERY roughly Ccb + Cbe*(1-G), where G is the voltage gain of the emitter follower.
И ни слова о ft !!! (Почти
)
A теперь посмотрите графики ёмкостей этих транзисторов
От ft конечно зависит усиление G на высоких частотах
т.е вклад Cbe в общую ёмкость у 21193/94 с частотой растёт быстрее... G падает быстрее.
Но поставив на выходе фильтр, килогерц с двухсот, можно "отрезать" выходники от нагрузки. Там, где они "не могут" просто не нужно будет усиливать ток.
Хоть бета и падает, но и тока то нужно очень мало ->
изменения rbe по отношению к нагрузке маленькие -> G сильно не падает
P.S.
при запаралеливании ёмкостная нагрузка от Cbe остаётся (почти) неизменной... ёмкость растёт, но и крутизна тоже (нагрузка=конст.)
Ccb же увеличивается в N раз (N- количество БТ)
это так, на заметку
Социальные закладки