Часто встречаются публикации схем УНЧ, где для установки тока покоя выходного каскада на MOSFET, используется биполярный транзистор. И я покажу почему так лучше не делать.
К описанию проблемы хотелось бы добавить и практические результаты в железе, а не только из microcap. Но, пока складывается так, что зима есть, а доступа к железкам нет. И судя по ситуации в стране, будет не скоро.
MOSFET.rar
Я промоделировал в microcap два варианта управления током покоя ВК на MOSFET :
1й- это ошибочный (для mosfet ВК), по всюду тиражируемый с исполнением биполярного транзистора.
2й- термостабильный, с TL431. (часто аналогом такого решения является применение резистора, однако тогда ток покоя зависит от тока предыдущего каскада, что на мой взгляд плохо).
И результаты моделирования (изменения тока покоя ВК на MOSFET при температуре от -20С* до +100С*) сведены на одном графике.
Точка пересечения графиков, это начальная температура в 27 градусов С* где настроен ток покоя обоих схем, около 40mA.
Как видно, схема с TL431 ведёт себя намного стабильнее во всём диапазоне температур.
В архиве файл microcap .cir
MOSFET.rar
Социальные закладки