
Сообщение от
=YVT=
Вот еще один аргумент, обьясняющий почему я против запараллеливания выходных транзисторов. Дело в том, что если Вы просто посчитаете результирующий h21e качественного трехэлементного эмиттерного повторителя выполненного по схеме Дарлингтона, или-же просто наберете в симуляторе схему тройного составного транзистора, без
рассасывающих резисторов, то Вы увидите, что входной ток такого повторителя будет находится на уровне единиц микроампер, при выходном токе, скажем 7А.
В моделях не учитывается ни квазинасыщение, ни резкое падение частотных свойств выходных транзисторов с током. К тому же в симуляторе нет учета нагрева транзисторов и его деградации при нарушении ОБР.
Поэтому параллелить выходные транзисторы надо, и прилично, просто по условиям обеспечения невыхода рабочей точки в динамике за пределы ОБР. Соответственно, все приличные промышленные усилители на мощности выше 30...40 реальных ватт делаются только так, и никак иначе. Все, что можно сделать для улучшения работы выходного каскада на ВЧ (кроме многократно описанных конструктивных мер) - выбирать выходные транзисторы с максимальным отношением ОБР к емкостям переходов, и не экономить на режимах предвыходных.
Offтопик:
Повторять прописные истины и банальности просто надоело. Дискретный же усилитель на мощность до 30-50 Вт строить сегодня смысла нет, в этом диапазоне мощностей достаточно грамотно включенных ИС.
Социальные закладки