Импульсные источники питания и преобразователи.

[TDA]

Приветствую!
Раньше помоему тут небыло темы в которой обсуждались бы только ИБП и преобразователи напряжения.
Щас меня интересует эта схема полумостового ИБП

[gyrator]

А что, поправился он

А с какого перепугу? Однако, не стоит о грустном, бо в нете таких философов 99,9%.
Лучче расскажи про бесконтактные суперсветильники от твоих нынешних земляков, кои накачиваюццо энерхией на мегагерцах. Одно время Поднебесная обещала ими весь мир завалить, но чичас -ни слуху, ни духу.

[IVX]

Лучче расскажи про бесконтактные суперсветильники от твоих нынешних земляков, кои накачиваюццо энерхией на мегагерцах. Одно время Поднебесная обещала ими весь мир завалить, но чичас -ни слуху, ни духу.

на той неделе, был на выставке в гонконге, ничего подобного не видел, как и 4 года назад впрочем. Есть заряжалки телефонные, но пока не поставят ответную катушку в телефоны, я такое пользовать не собираюсь. Зачем мне одевать на айфон адаптер, а потом класть его на эту зарядную сковороду, в чём смысл бесконтактности, если первое, что придётся сделать, это подсоединить 30 контактов разъёма?? Эти зарядные сковороды, лежат на выставке открытыми, видны воздушные катушки диаметром около 70мм, проводом порядка .4мм наверное. Сомневаюсь, что там мегагерцы, кто их пропустит с ними по CE/E-mark? Чистый синус <150кгц для них последний шанс. Кстати, видел там некие игрушки, которые стоя на зарядной сковороде типа плясали и пели, но это наверное промоушн продукты, а не коммерческие, бо без сковороды у этих пупсиков пульс не прощупывается

[slawik]

Рассчитывал я ПИД цепи в ООС по Мартину Брауну, строил я АФЧХ по Мелешину, и в МС рисовал АФЧХ… результат в железе ясное дело отрицательный

Потерпевший смог бы сэкономить себе время, проведя несложные проверки "голых формул".
Например, в формуле Брауна Б.10 на стр. 220 не сходится размерность. Коэффициент передачи по напряжению должен быть безразмерной величиной (В/В). Это - "трудности перевода", поелику в исходной англоязычной версии размерность сходится.
Однако есть ещё нюансы - при отсутствии ограничений на диапазон входных напряжений мы вправе применить означенную формулу к преобразователям DC-DC. При входном напряжении равном выходному мы получим согласно этой формуле Adc=0, т.е. очевидный нонсенс.
Ну и, наконец, из теории электрических цепей приведенное ко вторичной стороне входное напряжение должно умножаться на коэффициент трансформации во всех вхождениях, чего в формуле Брауна мы не наблюдаем.
Вердикт присяжных - формула Б.10 лажа на все 100%.
По остальным эпизодам с потерпевшим свидетели также имеют, что сказать, но это не важно, т.к. потерпевший уже заключил мировое соглашение и больше не будет пользоваться "вумными" формулами.

[thickman]

есть смысл почитать?

IVX, не надо! Несостоятельность "чоткого дополнения" мне так и не удалось доказать полностью. Зато, из за потерянного времени, мне приходится теперь доказывать свою состоятельность на работе.

И не забудьте ключ открывать на протяжении хотя бы 50нсек ну а лучше всего 100нсек. Я вот хочу увидеть чему же там равна мощность в пике в момент открытия ключа

- пожалуйста. Поставил задачу – сделать динамические потери в ключе сравнимыми с потерями в затворном резисторе. На первом графике ток и напряжение на ключе. На втором: сереньким – напряжение на затворе, по полке можете оценить время активного состояния ключа (около 300нан). Красненьким – потери на ключе. Голубеньким – потери на резисторе в цепи затвора. Потери при включении на затворном резисторе (причём, не все) и динамические потери в ключе заключены в овал. Можно подобрать режим, при котором, согласно "чоткого дополнения", за время активного состояния ключа класс преобразователя меняется с чиста – ПНН, в нечиста-ПНТ, или в какой-то там ещё, запутался я уже. Или, можно заставить звенеть схему на том мизерном токе и напряжении так (на вполне реальных паразитных мелкорезонансах), что со счёту собьётесь, в каком чистом режиме преобразователь побывал за время процедуры включения или выключения. Ну не бред ли это полный?

[uriy]

Зато, из за потерянного времени, мне приходится теперь доказывать свою состоятельность на работе.

А мне на оборот.

Несостоятельность "чоткого дополнения" мне так и не удалось доказать полностью.

Я признаю не состоятельность своего "чёткого дополнения", выдвигая это дополнение я ошибся, я не учёл "постоянную составляющую" резонансных колебаний.

но это не важно, т.к. потерпевший уже заключил мировое соглашение и больше не будет пользоваться "вумными" формулами.

Надеюсь что в моей жизни больше не будет необходимости лесть в эти дебри...

[IVX]

из за потерянного времени, мне приходится теперь доказывать свою состоятельность на работе

это фигняяя, я тут время от времени завожу дискуссию с местными FAE из IR/NXP/TDK/SAMSUNG, задача коих, защитить реноме своей конторы и только, доказывая, что это мои дизайны кривы. Вот потеха-то где Что только не приходится проверять: у керамики ESR, материал и напряжение рабочее тоже могут приврать, у диодов обычно trr, у мосфетов Qg, Ea, а на днях даже предел dV/dt для trr проверял! Причём мосфет подлинный NXP, с безумной заявкой Ea = 700mJ, но всего на 49А и, соответственно, на 584uH! Маркетинг доехал до мосфетов, встречайте, чо Например на IRF3205 заявлено 250mJ, но его не удалось убить даже 250А с 15uH, а этот NXP издох уже при 80mJ, с тем же индуктором.. А что предъявишь, если на 49А и 584uH он выживает? Почему IR ещё не пишет вместо 250mJ, 4J?

[thickman]

задача коих, защитить реноме своей конторы и только, доказывая, что это мои дизайны кривы.

Offтопик:
Хых, плаваем, знаем. Мало того что врут в глаза, прощелыги, так ещё ж миазмов напустят на всю контору, оправдывайся потом...

[thickman]

Попытался упростить метод "четвертьрезонансного перемагничивания", но плотно обследовать такую упрощённую методу нет пока времени. На картинке показана реализация для ПНН без ПНТ. Схемку сократил до предела, "интеллигентного" резистора от Гиратора или чудо-драйвера не применял, чтобы поклонника чиста-ПНН не отпугнуть "малопонятной кучей". "Забыл" показать на схеме одну директиву, но детальки показаны все, ни одной не заныкал. Как гритцца - sapienti sat, для gyrator и slawik должно быть и так всё очевидно, а для местного модельера-сборщика – небольшая интрига. На картинках ток, напряжение и мощность потерь на ключе для двух разных номиналов Ls. С Ls забавно получается, чем она меньше тем лучше, поскольку из за меньшего градиента напряжения c малой Ls процедура выключения на большом токе деликатнее, что наверное понравится айжибитам с чугунной задницей.

[Mick2004]

Всем привет. есть схема саба с преобразователем , напряжение +-35. возможно ли малой кровью перемотать транс и увеличить напругу, тем самым подняв выходную (звуковую) мощность? Просьба помочь в решении.

[Nikolay_Po]

...у мосфетов Qg, Ea, а на днях даже предел dV/dt для trr проверял! Причём мосфет подлинный NXP, с безумной заявкой Ea = 700mJ, но всего на 49А и, соответственно, на 584uH!

Что получится, если посмотреть температуру кристалла при таких условиях (зависимость мощности на кристалле от времени воздействия) согласно заявленных Termal characteristics? Ведь при такой большой индуктивности, длительность имульса мощности будет намного больше, чем с иднуктивностью 15мкГн и той же энергией. Какое было напряжение пробоя у NXP?

...Например на IRF3205 заявлено 250mJ, но его не удалось убить даже 250А с 15uH, а ..этот NXP издох уже при 80mJ, с тем же индуктором.. А что предъявишь, если на 49А и 584uH он выживает? Почему IR ещё не пишет вместо 250mJ, 4J?

При 80mJ и 15мкГн была (ну наверняка была) превышена температура кристалла, чего не происходит при паспортных параметрах. Всё честно.
Маркетинг... Доверяй, но проверяй и перепроверяй.

---------- Добавлено в 13:06 ---------- Предыдущее сообщение в 12:56 ----------

Всем привет. есть схема саба с преобразователем , напряжение +-35. возможно ли малой кровью перемотать транс и увеличить напругу, тем самым подняв выходную (звуковую) мощность? Просьба помочь в решении.

Если преобразователь типовой-универсальный, когда на одной и той же плате и по той же схеме собираются БП для целой среии сабов разной мощности и мощность этого не самая высокая в серии, то скорее всего можно сделать именно так, проверив допустимость обратного напряжения для диодов и конденсаторов выпрямителя (с учётом возможного нарпяжения в бортовой сети 15В). Но повышать сильно не стоит, максимум на 15%. Иначе будет не усилитель, а головная боль.
БП, которые строго расчитаны на свою мощность, лучше не трогать. Там меньше запасов и прибавка мощности катастрофически снизит надёжность.

[IVX]

Какое было напряжение пробоя у NXP?

80 вольт номинал, + 10% обычно, т.е. порядка 90в. Кстати, через 10 минут буду звонить в NXP английский офис, по этому вопросу. Как оказалось, мосфетов этих у нас лежит 22000шт, надо что-то с ними делать..
PS: созвонились, это была конференция - я, NXP инж. англичанин и два китайских NXP FAE. Причём от последних двух, кроме помех в виде уличных шумов и нажатия щеками циферок телефона с характерным "БИИИП", ничего не исходило - мартышки, чо. Вот почему как англичанин, так сразу и понимает о чём речь, с полуслова, а этим местным FAE обезьянам, ничерта не объяснить? Были они здесь неделю назад, тыкали пальцем в осцил и повторяли - на гейте нет ровной квадратной волны, в этом ваша проблема, во время переключения, мол есть вот такой завиток, значит мосфет не открыт и не закрыт, вот он и перегреваеццо. ППЦ, дауны! Завиток тот 10нС, а мосфет всего 75С и дохнет.

[pokos]

...а этим местным FAE обезьянам, ничерта не объяснить? ...

А шо ты удивляешься? Ты ж там не первый год.
Помнится, такая же обезьяна не смогла даже схему правильно с картинки в Оркад перерисовать. Потом ещё и плату развела так, шо аж смотреть страшно.
Наоборот, радуйся. Из-за того, что лучше этих обезьян в Кетае ни кого не найти, ты и имеешь свой кусок хлеба на чужбине.

[thickman]

Попытался упростить метод "четвертьрезонансного перемагничивания"

Ох, уважаемые, поторопился я с революцией. Доупрощался. Пока что схемка корректно работает только с управляемым обратным синхронным коммутатором/выпрямителем. Идея проста – на время паузы оборвать ток наглухо через выпрямительные диоды для свободного резонансного "подразмагничивания" сердечника трансформатора. Подвохи – обратное напряжение на выпрямительных диодах увеличивается в полтора раза, и форма напряжения не очень-то гладкая на обмотках транса. Мысль моя про задерживающие ППГ-дроссели конечно богатая (ежели их включить правильно, последовательно с выпр. диодами), но сама задачка нетривиальная, будем дальше думать.

[IVX]

А шо ты удивляешься? Ты ж там не первый год.
Помнится, такая же обезьяна не смогла даже схему правильно с картинки в Оркад перерисовать. Потом ещё и плату развела так, шо аж смотреть страшно.
Наоборот, радуйся. Из-за того, что лучше этих обезьян в Кетае ни кого не найти, ты и имеешь свой кусок хлеба на чужбине.

я про FAE ругаюсь, а не про практикующих инженеров, средь которых есть в китае ухари с которыми тут редко кто сравнится (не теште себя несбыточными надеждами, тут полно толковых людей). А FAE(field applied engineer) - это инженеры поддержки, которые, в теории, должны быть вообще бэтманы в своём деле, чтобы разруливать тонкие ситуации в которые попадают практикующие инженеры в своих лабах и заводах. Куда там, в фае берут любую глушёную лошадь, часто даже без английского - срамота одна!

[Nikolay_Po]

80 вольт номинал, + 10% обычно, т.е. порядка 90в.

Посчитал - получилось, что при паспортных условиях проверки устойчивости к всплескам импульс длится 0.318мс - это уже может дать заметную разницу. Насколько ниже термосопротивление для длительности импульса порядка 0.15мс?

PS: созвонились, это была конференция - я, NXP инж. англичанин и два китайских NXP FAE

Интересно, чем закончится? 700мДж за 318мкс линейно спадающей мощностью реально выдерживает, а 80мДж за 17мкс - нет. По-моему, скорость выделения энергии (мощность) в последнем случае получается в 1.5 2 раза больше, чем в первом. Так что, возможно, NXP не виноваты и приборы обеспечивают заявленные параметры.

[IVX]

ещё ничем не закончилось, просит выслать в манчестер сэмпл, обещает распилить послойно горелые мосфеты и выяснить детально где, а стало быть и почему они дохнут. На самом деле, я вначале подозревал Ea и действительно намерил неприлично хилую стойкость на приличных пиковых токах, да и с месяц назад обнаружил это же с AOD460 мосфетом. Но позже, величину спайка снизили до 80в, но мосфет продолжал дохнуть как прежде. Тогда посмотрел dV/dt восстановления бодидиода, вышло порядка 2V/nS, не много в принципе, IRFB3077Z обещает жить до 6.7 и живёт, а этот PSMN6R80, похоже, дохнет от 2. Всё это испытывалось в синхронном бак бусте, то есть бодидиод таки включался, дальше, я потестил его в бусте, на в 2.5 большем токе и довольно бвстром переключении 4V/nS - всё ок. Из чего я сделал вывод, что проблема данного мосфета в некоей конструктивной хрупкости бодидиода, проявляющейся при быстром его восстановлении. Замедлить переключение я не могу, так как драйвер, замеряющий падение на Rds_on, начинает падать по OCP. Вот такая вилка. По эвэлэнч замечу, что мосфету положено работать на пиковых токах, превышающих мах DC ток в разы, поэтому он обязан выдерживать короткие удары большого тока в эвэлэнч (а не наоборот - длинные слабого тока, можете посмотреть их же 3R5N80 мосфет с 2х большим силиконом и только 670mJ, потому как замеряяли на 80А, а не на 49А, так что в случае 6R5N80 - читинг чистой воды) и IR мосфеты (вероятно не все) это делают. IR даже в пдфах и аппноутах пишет, что мосфет горит через эвэлэнч по чисто тепловой причине, как и в открытом состоянии итд, видимо структура достаточно равномерна, практически нет локальных перегревов, как на шоттках например, которым достаточно чуть-чуть, чтобы загнуться. Майк этот говорит, что они там на филипсе/нхр ещё лет 10 назад решили не указывать dV/dt, посокльку нынче это не проблема и у него "есть чувство", что 10V/nS не проблема, впрочем, завтра обещал испытать и отписаться по результату. Но по факту, данный мосфет вообще никуда не годен, кроме буста

[Nikolay_Po]

...посмотрел dV/dt восстановления бодидиода, вышло порядка 2V/nS, не много в принципе, IRFB3077Z обещает жить до 6.7 и живёт, а этот PSMN6R80, похоже, дохнет от 2. Всё это испытывалось в синхронном бак бусте, то есть бодидиод таки включался, дальше, я потестил его в бусте, на в 2.5 большем токе и довольно бвстром переключении 4V/nS - всё ок. Из чего я сделал вывод, что проблема данного мосфета в некоей конструктивной хрупкости бодидиода, проявляющейся при быстром его восстановлении.

То есть, проблема (предположительно) вызвана большим током, "восстанавливающим" диод транзистора, а не из-за непосредственно мощностью всплеска, выделяющейся при электрическом пробое транзистора? Диод сгорает раньше, чем транзистор успевает начать ограничение всплеска напряжения (предположение)?

Замедлить переключение я не могу, так как драйвер, замеряющий падение на Rds_on, начинает падать по OCP.

Нет фильтра спайков в схеме Rds_on?

По эвэлэнч замечу, что мосфету положено работать на пиковых токах, превышающих мах DC ток в разы, поэтому он обязан выдерживать короткие удары большого тока в эвэлэнч (а не наоборот - длинные слабого тока, можете посмотреть их же 3R5N80 мосфет с 2х большим силиконом и только 670mJ, потому как замеряяли на 80А, а не на 49А, так что в случае 6R5N80 - читинг чистой воды) и IR мосфеты (вероятно не все) это делают.

Да уж. У меня общее впечатление - что IR-мосфиты более живучие.
Интересно, чем закончятся у англичанина распилы? Чиркните пару строк?

[IVX]

IR мосфет был заменён, только из соображений экономии, поскольку NXP почти на 30% дешевле. Что бы он там не напилил, фактически с мосфетом уже всё ясно. Мне важно только чтобы они приняли назад этот хлам, в зачёт их же чипов например, только по этому я с ними вожусь и расписываю суть проблемы. Пусть распилит, пусть сохранит лицо, лишь бы наши бабки не пропали. Вообще, впервые я столкнулся со странно дохнущими мосфетами в 2008, это были инженерные образцы айксиса, некоторые из которых так и не появились в продаже. Предварительные пдфы были сногсшибательны, но не смотря на это, мосфеты фактически не могли работать стабильно. Rds_on, DC ток, Qg - всё было рекордным и соответствовало образцам. В итоге, мы просто забыли про айксис, ну разве что IGBT ещё помним. Потом был силикрон, это ребята местные, из внутреннего китая, очень отзывчивые, присылали даже не пдфы, а ехел таблицы заполненные при испытаниях. Тоже всё очень хорошо и дёшево, но не дай бог их быстро переключать - моментальнй цугундер. Использовали их наверное год, теперь отказываемся, ну не нужны нам проблемы с надёжностью, не-нуж-ны. Проблему хилого эвэлэнча AOS мосфета я уже упоминал. Вообще не покидает ощущение, что ребята дорвались до какого-то процесса, может даже тупо станка, или ионной пушки какой-то и могут теперь делать мизерный Rds_on, мизерный гейт чардж итд, на мизерном же силиконе за копейки и всё бы хорошо, еслиб не реальность.

[Mick2004]

схему я же прикрепил, может полевики сменить, или добавить по одному в плечо? частоту менять наверно смысла нет, судя по фильтру щас 55кгц.

[gyrator]

"Забыл" показать на схеме одну директиву

Хорошо,что мне нет нужды показывать директивы.