УМЧЗ цирклотрон на MOSFET

[Игоревичь]

Уважаемые участники форума, хочу предложить вам для обсуждения небольшую статью о своих экспериментах по разработке усилителя мощности на MOSFET.
Буду рад конструктивным предложениям и критике.Вложение 266787УМЧЗ-цирклотро&#10.doc

[putin]

....только на биполярах...

[теоретизирующий практик]

посмотрел спектр сигнала

Спектр сигнала в первую очередь надо было показать. При подходе к ограничению по напряжению питания, при подходе к отсечке тока плеча (переход от А к АВ), ну и при 10, 2 Вт. Посмотреть интермодуляционные искажения, например при 18 + 19 кГц...

У Вас для термостабилизации стоят в истоках резисторы по 1,2 Ом в плече. К выходному сопротивлению соответственно сразу добавляется 0,6 Ом, что зачастую нежелательно. Да и некоторая потеря выходной мощности.
Но кроме того эти резисторы могут породить дополнительные искажения 3-5-7... порядка. Если переходная характеристика исходных транзисторов близка к квадратичной, то имеет смысл опробовать усилитель без этих резисторов. А термостабилизацию соорудить подачей смещения на затворы с использованием в делителе диодов или транзисторов, закреплённых на теплоотводе.

---------- Сообщение добавлено 18.49 ---------- Предыдущее сообщение было 16.22 ----------

Игоревичь, не просматривали вариант смещения на VT6 от U2, а смещение на VT5 от U1? При этом резисторы R16 и R17 заметно меньше бы шунтировали предвыходной повторитель. И вообще, номинал R16,R17 можно взять на порядок больше.

[Игоревичь]

Спасибо, эту статью я в свое время пропустил. Но разница все же принципиальная - "ультралинейный" он за счет глубокой обратной связи, да и хотелось опробовать, что можно сделать именно на MOSFET. Однако, мысль поиграться с ОУ мне понравилась. Попробую в ближайшее время.

---------- Сообщение добавлено 09.01 ---------- Предыдущее сообщение было 08.52 ----------

Спасибо, Анатолий. Рекомендации интересные, но честно говоря я сейчас уже преключился на следующий вариант схемы, который обещает много интересного. В ближайшее время подготовлю сообщение и выложу с максимумом подробностей по результатам измерений.

[uriy61]

Игоревичь, какая входная емкость выходного транзистора становится уже критичной в данной схеме? 2600пФ у данного тр-ра STW20NK50Z, но в серии STWxxNKxx, STWxxNMxxесть и другие транзисторы, например STW20NM60FD, у которого входная емкость в 2 раза ниже (1300пФ).

[Игоревичь]

Спасибо за подсказку ,Юрий!
Но выбор был продиктован не только желанием выбрать лучшее , но и доступностью комплектующих. Кстати пробовал так же STP14NK50ZFP из той же серии и если не гнаться за выходной мощностью, так с ними еще и лучше и искажений меньше и они изолированные и можно использовать один общий радиатор без всяких прокладок. Правда тепловое сопротивление заметно больше, но это как раз к мопросу выбора максимальной мощности и тока покоя.

[uriy61]

Игоревич, здесь на форуме были две ветки Алексея Никитина по входным емкостям полевиков при открытии канала С-И. В даташите емкости даны при закрытом канале С-И (0в на З) и напряжении С-И приложено 25в (входная емкость при 25в примерно в 1,5-2 раза ниже, чем при 1в). Результаты измерений Алексея, если коротко, то при открытии канала С-И входная емкость практически сразу вырастает в 2-3 раза, затем при дальнейшем открытии канала, вплоть до насыщения, длиная полка.
Обмерялись две модели транзисторов: для одной рост входной емкости ~2раза, для другой ~3раза. А для применяемых в настоящее время в выходных каскадах полевиков - в 2-3раза или может в 5-8раз происходит рост входной емкости (площадь кристалла у мощного полевика больше)?
Возможно это одна из причин почему при схожих даташитных характеристиках одни полевики звучат, а другие - нет.

[Игоревичь]

Целиком и полностью согласен! Все рассуждения о достоинствах и недостатках комплектующих носят только подготовительный характер и требуют проверки в реальных конструкциях. А что касается полевиков, то на результат еще сильно влияет вид проходной характеристики, причем в районе малых токов - на больших все как правило вполне прилично. И здесь ничего кроме проверки в реальной конструкции не остается. Конечно можно заняться еще НИРом по исследованию характеристик, кого это увлекает, но каких? Сочетание каких свойств однозначно благоприятны? Можно долго спорить, но проще взять в руки паяльник.