Приветствую!
Раньше помоему тут небыло темы в которой обсуждались бы только ИБП и преобразователи напряжения.
Щас меня интересует эта схема полумостового ИБП
Приветствую!
Раньше помоему тут небыло темы в которой обсуждались бы только ИБП и преобразователи напряжения.
Щас меня интересует эта схема полумостового ИБП
Последний раз редактировалось лысый; 09.03.2007 в 19:59.
снижение максимального допустимого напряжения на закрытом транзисторе с ростом температуры. увеличение температуры кристалла на 100°C даст снижение напряжения на 100 * 0,029 = 2,9 вольта.
Breakdown - очень созвучно с брейк-данс. это напряжение, при котором транзистор станцует брейк.
Последний раз редактировалось Starichok; 08.07.2010 в 02:31.
и не только дроссель на 100А, надо еще и диод (диоды) на выходе бустера иметь на 100А. и собственный ключ (ключи) бустера на 100А.
и вот тут меня гложут сомнения...
а не проиграем ли мы в итоге?
поэтому решил сделать регулируемый ПН. а эксперимент с бустером отложить на..., хз на сколько.
Спасибо теперь понял.
Lingvo12. Я просто ввёл одно слово, когда ввёл словосочетание он перевёл как напряжение пробоя, но опять же не ясно пробоя чего, затвор исток или сток исток, в общем вопрос задавал не зря. У меня просто сейчас в голове путаница связанная с изменением сопротивления канала транзистора при росте температуры кристалла, и поэтому рою даташит на поиск подводных камней.
К стати, где то читал, что сопротивление канала открытого полевого транзистора зависит от величины тока проходящего через транзистор, так ли это, как по мне то не должно зависеть.
Подскажите пожалуйста по данной ПП от Witali какого номинала и напряжения должны быть обведенные конденсаторы?
И подойдут ли epcos MKT?
номинал - не меньше 1 мкФ, напряжение - не ниже 200 В. обычно ставят 2 электролита. а здесь поставлен один электролит, а делитель сделан конденсаторами малой емкости. параллельно каждому конденсатору нужно ставить резистор 100 кОм, для разряда конденсаторов при отключении питания и для выравнивания напряжения во время работы.
а подойдут ли epcos MKT, надо смотреть даташит на эти конденсаторы. конденсаторы должны выдерживать ток ключей в импульсе.
---------- Добавлено в 16:42 ---------- Предыдущее сообщение в 16:35 ----------
задавал зря. на затвор-исток существует собственный предельный параметр (+ 20 и - 20 вольт).
ясно сказано: Drain-source Breakdown Voltage. Drain-source - это сток-исток.
мой вывод - нельзя их применять для этой схемы.
тот, кто придумал эту схему - был не прав, сделав делитель на конденсаторах малой емкости. не мучайся, сделай, как все обычно делают делитель на 2 электролитах. вместо двух этих конденсаторов свободно ставится второй электролит.
---------- Добавлено в 19:23 ---------- Предыдущее сообщение в 19:20 ----------
возможно, не во всех даташитах ставят эту надпись.
Starichok, Здравствуйте!
Мне нужна ваша помощь, я делаю еще один БП на IR2153, пытаюсь рассчитать трансформатор по вашей программе. Все вроде правильно, но дроссель на выходе очень большой получается, я таких в продаже не видел. Подскажите что с этим делать?
Странно у меня такой делитель работает. Пока не жалуется. Сопротивление плеча делителя для 50кГц и 2,2мкФ равно Z=1/2*pi*f*C=1/2*3.14*50000*0.0000022=1.44Ом, т.е маленькое. При токе в 1А на одном кондёре как бы потеряется 1,44Вольта, ну а реально надо считать какой ток пропускает этот конденсатор и при этом не перегревается, короче плёнка на 2,2мкФ спокойно держит переменный ток в 2А на 50кГц.
mihail2804, конденцаторы эти хорошие, крепкие. При работе инвертора на них присутствует пилообразная пульсация напряжения на частоте преобразования. И ихую йомкость выбирают из примерно-потолочного соображения, что амплитуда этой пилы должна быть порядка нескольких вольт. Примерно сосчитать можно из простого соотношения:
dU/dt(V/mkS) = I(A) / C(mkF),
где dU/dt - скорость нарастания напряжения той пилы;
I - ток первички;
C - суммарная йомкость тех двух конденцаторов, ибо по переменке они параллельно.
Например, при I=2A, C=2mkF (каждый по 1mkF), dt=10mkS (полпериода при 50 kHz) получается dU=10V (пик ту пик).
а ничего не делать, а мотать самому такую индуктивность. ты что, хотел на 275 вольт получить маленькую индуктивность? фиг вам называется.
и почему ты пользуешься какой-то старой версией программы?
Юра! кто тебя научил в импульсном преобразователе считать сопротивление конденсатора по формуле для сисуноиды?
смотри, что написал лысый! так надо делать!
присутствует еще пила 100 Гц выпрямителя, но на такой частоте не имеет значения.
я первый раз неправильно посмотрел даташит (ссылка выше), посмотрел случайно для 500 кГц, извините за ошибочный вывод. на частоте 50 кГц названные конденсаторы допускают примерно 15 вольт RMS, то есть по размаху вольт 20, а то и более, пульсаций выдержит.
Да ни кто, так от нефиг делать написал, лень рыть книги и смотреть на нормальную формулу, межу прочем формулу которую привёл лысый я знаю, и знаю что она тоже даёт приближённый результат, по тому что я знаю что для конденсатора важны потери на конкретной частоте которые в свою очередь зависят от формы тока в конденсаторе и т.д. и т.п. и попадаем в дебри, производства конденсаторов, дебри нормирования ёмкости конденсаторов и т.д. и т.п. и поэтому написал, что по нормальному надо
Так что с высказыванием согласен.
И потом, то что я взял основную гармонику для расчёта сопротивления конденсатора, это и не совсем ошибка, ну подумаешь на 35%-50% просчитался, не беда, зато просто наглядно и непринуждённо, кому надо больше точность пусть в ряд Фурье раскладывает хоть до 25 гармоники, и находит допустимый ток для каждой гармоники.![]()
Между прочем формулу который привёл лысый справедлива тогда и только тогда когда dI/dt=constants. Так полез ка я в бункер.
Для раздумий о справедливости формулы, которую вы так проталкиваете, привожу картинку тока, приближённого к реальному току через конденсатор в плече ёмкостного делителя в полумосте.
Вложение 90839
Сдаётся мне, что расчёт по формуле dU*C /dt = I как то сильно затруднён, здесь попахивает рядами Фурье, которые в прочем не так и просто посчитать, но получить точный результат реальней, чем пользоваться I= C *dU /dt. И ещё ряды Фурье дадут более реальную картину, т.к. ёмкость реального конденсатора зависит от скорости нарастания тока в нём, и если снять характеристику изменения ёмкости конденсатора на измерителе имметанса во всём возможном спектре частот, и ряды Фурье представить до предельной частоты измерения имметанса, то результат будет куда более точнее, чем та формула, которую вы отстаиваете.
У меня тут другая насущная дилемма. Измеряю, напряжение падения на канале полевого транзистора при стабильном токе, и при токе 5А и 10А сопротивление канала разное, вот это проблема, тут уже ряды Фурье не помогут.![]()
Социальные закладки