Бороться с нелинейностью выходного импеданса УН с помощью ООС сложно , чтобы повысить глубину ОС приходится повышать сопротивление нагрузки, это в свою очередь увеличивает влияние нелинейности вых. импеданса транзисторов. Получается порочный круг. Нужно искать оптимум.Применять каскод, транзисторы с минимальным Ск, использовать максимально возможные рабочие токи, напряжения , понижать импеданс нагрузки...Сообщение от sherif
[ADDED=SashaNetrusov]1141729914[/ADDED]
Кто нибудь видел схемы коррекции нелинейности Ск ?
[ADDED=SashaNetrusov]1141730177[/ADDED]
У БСИТ транзисторов пишут меньшая площадь поверхности при той же мощности, соответственно меншая вых. ёмкость полагаю. Может их имеет смысл применять в УН ?
Социальные закладки