Электроника ТА1-003, Электроника-004, Олимп-003, Олимп-004, Олимп-005

[Jenyok]

.
12.01.2020 года.
.
.
Апгрейд, модернизация, ремонт катушечных магнитофонов (смотри заголовок темы), а также, магнитофонов Олимп-006, Олимп-700, Олимп-701, Олимп-702, Олимп А-400.
.
Обсуждается конструкция магнитофонов и узлов, схемотехника магнитофонов и отдельных блоков.
.
Любые схемы, новые схемы модернизации магнитофонов приветствуются.
Любые печатные платы, новые печатные платы модернизации магнитофонов приветствуются.
.
Любые чертежи узлов, чертежи модернизаций узлов магнитофонов приветствуются.
Любые чертежи новых деталей для магнитофонов приветствуются.
.
Любая документация по магнитофонам приветствуется.
Любые описания по магнитофонам приветствуются.
.
Применение любой, даже экзотической элементной базы приветствуется, в том числе высокоскоростных ОУ, качественных конденсаторов и т.д.
.
Любая другая полезная техническая и иная информация по магнитофонам приветствуется.
.
Любые ссылки на аналогичные темы в других форумах приветствуются.
.
Посты, с архивами файлов PCB , SCH , гербер файлов, смотри сообщения на форуме.
Некоторые схемы и платы выложены на форуме в нескольких вариантах, обратите на это внимание.
.
Проекты, реализованные в этой ветке.
Ссылка.
.
https://cloud.mail.ru/public/vnhr/BfCatSVWf
.
Часть дерева директорий по ссылке
(по тематике - магнитофоны с проектами схем и печатных плат (гербер файлы) для самостоятельного изготовления).
.
- Tape_Recorders
|
+- Electronika-004 - магнитофон Электроника-004 (некоторые специфичные проекты)
|
+- Olimp-003 - магнитофоны Электроника ТА1-003 , Электроника-004 , Олимп-003 (основные проекты)
|
+- Olimp-004 - магнитофон Олимп-004
|
+- Olimp-005C - магнитофон Олимп-005С
|
+- Olimp-005C-1 - магнитофон Олимп-005С-1
|
+- Idel-001 - магнитофон Идель-001
|
+- Nota-203 - магнитофон Нота-203
|
+- PCAD2006_Libraries - библиотеки компонентов САПР PCAD 2006 , используемых для магнитофонных проектах.
|
+- Multisym - схемы симуляции различных магнитофонных проектов и не только
.
и другие директории по ссылке, которые Вы смотрите и обследуете самостоятельно...

[Jenyok]

Спасибо, сейчас причешу и выложу моделирование своего варианта УВ.

Сейчас перезалью картинки и файлы - есть ошибки в схеме :- R3 надо 1кОм, а не 10кОм, С16 также великоват..

Выкладываю свой вариант реализации "безрезистивного" входного контура {он образован индуктивностью ГВ и емкостью кабеля и пр. паразитами ("ГВ + подстроечный капацитор С6")} для подавление с помощью активного 2Т-Моста резонанса за диапазоном рабочих частот. Частота настройки 2Т-моста ~ 37кГц..

Вложение 478789Вложение 478790Вложение 478792Вложение 478791

Рабочая модель JFE2140, она есть также в и прицепленном файле.

* JFE2140 Dual Matched Low-Noise JFET
* V1.0 for Multisim 14.3
* Typical parameters: Idss=9mA

.SUBCKT JFE2140 S1 G1 D1 S2 G2 D2
J1 D1 G1 S1 JFE2140_JFET
J2 D2 G2 S2 JFE2140_JFET
.MODEL JFE2140_JFET NJF(
+ VTO=-0.755V ; Threshold voltage
+ BETA=0.015 ; Transconductance parameter
+ LAMBDA=0.15 ; Channel-length modulation
+ RD=35 ; Drain resistance
+ RS=35 ; Source resistance
+ CGS=7.5P ; Gate-source capacitance
+ CGD=3.5P ; Gate-drain capacitance
+ PB=0.65 ; Gate junction potential
+ IS=5F ; Gate junction saturation current
+ KF=5E-19 ; Flicker noise coefficient
+ AF=1.1 ; Flicker noise exponent
+ FC=0.5 ; Coefficient for forward-bias depletion capacitance
+ VTOTC=-2.2M ; VTO temperature coefficient
+ BETATCE=-0.5 ; BETA temperature exponent
)

.
Посмотрел Вашу схему, рабочая. Можно сэкономить один резистор.
R14 отключить, R17=1 кОм ... 1.5 кОм подключить к базе U15, резисторы R12 = R13 = 62 Ом .
.
Подправьте модель JFE2140 .
.
* JFE2140 Dual Matched Low-Noise JFET
* V1.0 for Multisim 14.3
* Typical parameters: Idss=9mA
.SUBCKT JFE2140 S1 G1 D1 S2 G2 D2
J1 D1 G1 S1 JFE2140_JFET
J2 D2 G2 S2 JFE2140_JFET
.MODEL JFE2140_JFET NJF(
+VTO=-0.755 ; Threshold voltage
+BETA=0.015 ; Transconductance parameter
+LAMBDA=0.15 ; Channel-length modulation
+RD=35 ; Drain resistance
+RS=35 ; Source resistance
+CGS=7.5e-012 ; Gate-source capacitance
+CGD=3.5e-012 ; Gate-drain capacitance
+PB=0.65 ; Gate junction potential
+IS=5e-015 ; Gate junction saturation current
+KF=5e-019 ; Flicker noise coefficient
+AF=1.1 ; Flicker noise exponent
+FC=0.5 ; Coefficient for forward-bias depletion capacitance
+VTOTC=-2.2e-003 ; VTO temperature coefficient
+BETATCE=-0.5 ; BETA temperature exponent
)
.

[S.M.S]

EDDiE, механический, как раз время показывает))

А еще колесо ДД быстрей останавливает...