У нас на форуме есть длинная тема про "Оригинал и фейк"
Здесь же вместо обсуждения предлагаю обобщить различные методы проверки комплектующих для усилителей, дать полезные советы начинающим радиолюбителям и обменяться опытом.
Для начала позвольте привести ссылку на мое сообщение по этой теме восьмилетней давности
С тех пор китайские умельцы существенно продвинулись, поэтому начнем сходу:
1. Биполярные транзисторы, мощные
В первую очередь проверяется теплорассеяние, оно же область безопасных режимов.
Принадлежности - лабораторный источник питания, радиатор, регулятор тока базы (потенциометр или в дополнение к нему jfet типа кп303)
Косвенный признак - существенное, более 3х раз отличие ёмкости коллектор-эмиттер от указанного в листе данных (даташите).
Принадлежности - китайский транзистор-тестер.
Во вторую очередь необходимо проверить пробивное напряжение, т.е. при каком напряжении коллектор-эмиттер появляется сквозной ток.
Принадлежности - ЛАТР, высоковольтный диодный мост, резистор, вольтметр. Базу на эмиттер, резистор порядка 1к последовательно, увеличиваем напряжение, следим за появлением тока порядка 1-3мА
2. Биполярные транзисторы, маломощные/высоковольтные/высокочастотные
В первую очередь измерить емкость коллекторного прехода, если там для маломощных больше 50 пФ или 200 пФ для транзисторов средней мощности - соболезную, 99% - подделка.
Пробивное - как и для мощных, только ограничиться стоит 1 мА или менее.
3. Полевые транизсторы, мощные
В первую очередь целесообразно измерить сопротивление канала транзистора в открытом состоянии.
Принадлежности - миллиомметр типа YR1035, лабораторный ИП или аккумулятор 12 Вольт.
Подаете ~12-15 Вольт на затвор, измеряете сопротивление канала, сравниваете с даташитом. Расхождение более чем в 2 раза - соболезную, подделка.
Контрольное измерение - емкость перехода сток-затвор, в описаниях обычно приводится подробный график, обратите внимание, китайский тестер измеряет при 0 Вольт. Можно подать необходимое напряжение, а к тестеру подключиться через конденсатор существенно бОльшей ёмкости, далее уточнить по формуле последовательного соединения конденсаторов.
Пробивное напряжение, по желанию, в зависимости от применения.
4. Полевые транзиcторы, JFET
Самая распространенная подделка - это 2SK246 маркируют как 2SK170.
В первую очередь проверяется ёмкость перехода затвор-исток/сток.
Контрольное измерение - крутизна или напряжение отсечки. Обычным омметром из мультиметра измеряете сопротивление канала и с помощью батарейки 1,5 Вольта подаете на затвор отрицательное напряжение относительно истока. Оригинал закрывается полностью (напряжение отсечки ~0,7 Вольта) у подделки сопротивление увеличивается ~вдвое (напряжение отсечки ~3 Вольта).
5. Диоды, Шоттки
Их главное отличие - обычно меньшее падение напряжения.
Подаем ток в ампер-другой (в зависимости от диода) от лабораторного ИП и измеряем падение напряжения обычным мультиметром.
0,4-0,6 Вольта - Шоттки
06-0,8 Вольта - обычный кремний.
Контрольное измерение - ёмкость перехода.
Надеюсь никого не покоробят эти нехитрые предложения.
И да пребудут с вами проверенные оригиналы.
Социальные закладки