Сообщение от
.Васильев
А вы проверьте ,кто знает,может действительно какой криминал и выплывет.
Да бывают ошибаются. Несколько раз ремонитовал бриги, веги... У всех одна и та же песня - сгоревший ВК. Если бы разработчики сделали правильный расчёт по ОБР, этого бы не произошло.
P.S. Вот пример, как в DC анализе посмотреть максимальные мощности рассеивания на элементах усилителя. Т.е. здесь представлены зависимости рассеиваемой мощности от входного напряжения схемы, которое в данном случае линейно меняется от -2 до 2 Вольт. Интервал выбран с запасом, чтобы можно было посмотреть на реакцию усилителя при перегрузке.
Как видно из рисунка, максимальная мощность VT3 под 220 мВт при перегрузке усилителя. К примеру, если в качестве VT3 использовать BC856B с Pd_max= 300 мВт при Ta=25С, то на 85 градусах Pd_max уменьшится до 300/(150-25)*(150-85)=156 мВт и станет меньше реально рассеиваемой мощности в 220 мВт. В общем это не есть гуд. Я думаю логика расчёта понятна. Используется классическая формула
Pd_max=(Tj_max-Ta)/Rt,
где Tj_max - максимально допустимая температура p-n-перехода (обычно 150С, всегда можно посмотреть в даташите).
Ta - температура корпуса (теплоотвода) (или окружающей среды для корпусов без теплоотвода).
Rt - тепловое сопротивление переход-корпус (среда). Если оно не даётся в даташите, то его можно вычислить по формуле
Rt=Pd_max0/(Tj_max - Ta0),
где Pd_max0 максимальная рассеиваемая мощность при температуре Ta0.
P.S. Что касается транзисторов УН VT6 и VT7, то на них максимум рассеивается примерно 0,8 Вт. Опять же, если это транзисторы с теплоотводом, то на общее тепловое сопротивление Rt оказывает значение материал и толщина теплопроводящей прокладки. Rt легко измерить экспериментально (по разности температур радиатор-фланец транзистора) или рассчитать (через коэф. теплопроводности материала, толщину и площадь теплоотвода).
На выходных транзисторах как и полагается выделяется по 16 Ватт. (32В/2)^2/8Ом/2=16Вт.
Усилитель мощности с высокой термостабильностью
Социальные закладки