Усилители высокой мощности.

[WP]

В этой теме предлагается обсуждение схемотехники усилителей высокой мощности и одновременно с высоким качеством звучания предназначенных для субвуферов, озвучивания массовых мероприятий или просто чтобы сосед повесился или милицию вызвал.
Для начала предлагается http://forum.vegalab.ru/attachment.php?attachmentid=193

[Scop]

WP, а не великоват ли порог срабатывания защиты по постоянному вых. напряжению в 7 Вольт?

[SinteZ]

Пугают катушки в усилителе напряжения. Да и печатки нет. Просто я так могу на разводить что всем чертям тошно станет.

[WP]

Великоват, надо подвинуть примерно до 3 В. Признаюсь честно я номиналы резисторов точно не посчитал, взял примерные.

[ADDED=WP]1101305149[/ADDED]
Что плохого в катушках? Берутся стандартные дроссели которые в любой приличной лавке продаются.

[Scop]

Великоват, надо подвинуть примерно до 3 В. Признаюсь честно я номиналы резисторов точно не посчитал, взял примерные.

Видимо, подобная прикидка была и в узле ограничения мах. тока нагрузки (VT120,121) - все-таки 6А от трех параллельных 640 - не густо!
Опять же лучше сделать логический "ИЛИ" тремя диодами с истоков 640-х, чтобы отслеживать наихудший токовый режим транзистора, а не полагаться на их идентичность.

[SinteZ]

WP,

http://www.vegalab.ru/img/pwramp/mosfet1/pic002-1.gif

Помнится ты для меня переделывал эту схему на ИРФ я случайно файлик потерял (смерть винта). Можно ли повторно её отправить мне?

[Prohoji]

...с высоким качеством звучания предназначенных для субвуферов

На сколько я помню все, (включая и Андронникова) упорно убеждали остальных всех, что мол для сабвуфера, качество усилителя особеного значения вроде как и не играет... А ?

[WP]

6 А при переходе через 0 при нагрузке 8 Ом вполне достаточно. Практика показала, что при использовании транзисторов из одной партии они достаточно одинаковые, поэтому достаточно контролировать ток только через один транзистор. Эта схема для 4 Ом не планировалась, если необходимо обеспечить возможность работы с 4 Ом нагрузкой необходимо в качестве внутренних транзисторов применять биполярные, у MOSFET появляются проблемы с распараллеливанием из-за разброса порогового напряжения.

[ADDED=WP]1101351902[/ADDED]
Прохожему. Усилитель предназначен не только для субвуфера.

[Александр Котов]

Коль скоро речь пошла о ДОМАШНИХ сабах ДЛЯ МУЗЫКИ, то вот мой работающий саб. Но мощность /~120 вт/ и схемотехника УМЗЧ, не относится к высокомощным: http://akotov.narod.ru/5.html
О высокомощных, в плане концертников: не все из них хорошо звучат. Тут несколько попадались усилов по мостовой схеме: звучат не очень, но мощность 600 ватт реальная, не пиковая. Попался один из "CARVER" - другое дело. В нем схемотехника интереснее, трехуровневое (!) питание, самое верхнее 2х130 вольт - звук хороший, но мощность в основном пиковая, транс всего на 150-180 ватт был /он и помер от перегрузки- я заменил на другой/.

[WP]

Главная проблема в усилителях с такой структурой это насыщение драйверных транзисторов (КТ850 КТ851) при клиппировании усилителя и как следствие сквозной ток через выходные транзисторы, спасает от отказа только низкая верхняя рабочая частота. В широкополосном режиме подобные структуры долго не живут если в них не приняты меры для устранения насыщения.

[Александр Котов]

Именно для смягчения насыщения я и поставил в базовые цепи КТ850/851 резисторы по 100 ом. Опять же, все недостатки являются продолжением достоинств: очень высокий коэффициент использования напряжения питания выходным каскадом данной структуры. Усил для саба, а использовать его в качестве широкополосного я бы не рекомендовал. В такой структуре усилителя меня привлекла возможность сделать точный контроль динамика на низких и инфранизких частотах путем демфирования его очень низким выходным сопротивлением усила, которое получается за счет использования ОУ /OP275/.

[Prohoji]

Резисторы в базы сдесь не помогут. Для запрещения вхождения дрйверных транзисторов в насыщение достаточно поставить обратносмещенные диоды между их коллекторами и точкой перед базовыми резисторми 100 Ом.
Раньше , когда еще не использовались структуры Шотки так и делали. Например в ДТЛ.

[WP]

Без диодов, резисторы в базе только ухудшат положение.

[uss]

Было бы интересно узнать , кто из форумчан изготовлял на LM4651/LM4652 для саба . Если кто-то делал, просьба поделиться мнением . Ну и печаткой, если есть.Завалялось тут 5 комплектов

[Александр Котов]

Без диодов, резисторы в базе только ухудшат положение

У меня усил работает до 300 Гц, проблем со скоростью нет, а резистор предотвращает деградацию переходов Б-Э.

LM4651/LM4652 для саба

Ты цены российские на них видел? А ведь кот в мешке, да еще класс D. Ни какого смысла.

[WP]

Добавь два диода и проблема насыщения и вызванного им сквозного тока полностью снимется, тем более что КТ850 КТ851 дерьмо порядочное, имеют довольно большое время рассасывания.
Низкая скорость это не оправдание грубых ошибок проектирования.

[Scop]

6 А при переходе через 0 при нагрузке 8 Ом вполне достаточно. Практика показала, что при использовании транзисторов из одной партии они достаточно одинаковые, поэтому достаточно контролировать ток только через один транзистор. Эта схема для 4 Ом не планировалась, если необходимо обеспечить возможность работы с 4 Ом нагрузкой необходимо в качестве внутренних транзисторов применять биполярные, у MOSFET появляются проблемы с распараллеливанием из-за разброса порогового напряжения.

Про то, что это только при переходе через ноль - в схеме ни слова (R186 и 187 не в счет). А 140 Вт на сугубо активных 8 Ом можно получить и без двухуровневого питания.
Нет?

[Александр Котов]

Если диоды добавить, то у стоящих перед нами транзисторов КТ940/КТ9115 при ограничении коллекторный ток станет очень большим, а он у них всего 100 ма. Я думал об этом, был такой вариант схемы при проектировании, но потом отказался имеено поэтому.

[WP]

Без двухуровневого питания слишком велико тепловыделение и повышены требования к ОБР транзисторов. Двухуровневое питание значительно облегчает решение этих прблем.

[ADDED=WP]1101391060[/ADDED]
Не понял, R186 R187 разве не меняют порог срабатывания защиты в зависимости от выходного напряжения?

[Scop]

Без двухуровневого питания слишком велико тепловыделение и повышены требования к ОБР транзисторов. Двухуровневое питание значительно облегчает решение этих прблем.

Дык, никто не спорит, только эти проблемы возникают, на мой взгляд,
где-то с 250-300 Вт на 8 Ом.

Не понял, R186 R187 разве не меняют порог срабатывания защиты в зависимости от выходного напряжения?

Sorry, конечно меняют! Просмотрел, что они идут на землю, а не на выход.