В усилителях мощности для защиты выходных MOSFET транзисторов от пробоя при превышении допустимого напряжения Затвор-Исток (порядка 15-20 вольт) обычно включают цепь из последовательного включенных cтабилитрона и диода. Эта цепь существенно нелинейна, симулятор
нормально анализировать ее работу на ВЧ больших уровней вообще
отказывается.
Однако я предлагаю другой - и более простой способ защитить
транзисторы. Для этого необходимо установить обратно включенные диоды - на рисунке во вложении это VD1 и VD2. Тогда, при условии жесткой стабилизации напряжения смещения, которое в моей схеме обеспечено применением источника напряжения на TL431, при сгорании предохранителя в цепи +44 вольта, диод VD2 перейдет в открытое состояние и максимальное напряжение на участке Затвор-Исток транзистора IRF640 не превысит напряжения источника смещения + напряжения прямого падения на диоде VD2.
Социальные закладки