Выбираем измерительный микрофон...

[Stalin]

Напишите, пожалуйста, типы и по возможности характеристики используемых вами микрофонов для измерения параметров акустических систем.

Вот, что удалось найти:
Спасибо за кучу ссылок Ламеру со стажем,
Спасибо GREY за принесенный в жертву Behringer ECM8000,
Спасибо Ерофееву Ивану,
Спасибо Fenix-у за усилитель и Нингбо Йиньжоу зинглонг Электроникс ,
Новая схема микрофонного усилителя от Fenix-а,
Спасибо Ale за находку ,
Спасибо Randol,
EM9767 и вообще весь модельный ряд этой фирмы и подобной в ассортименте
Микрофоны DPA и их Reference microphone
Спасибо Yaroslaw за микрофоны фирмы "Брюль и Кьер"

Почему существуют вот такие микрофоны, если прктически фаворитами признаны капсули Panasonic WM60 и его "клоны", имеющие настолько ровную характеристику, стоящие около двух долларов?

[azz74]

Это как раз не я прав . Но я теперь соглашусь
Сколько Омов от центра мембраны (только не иголкой) до кольца?

Порядка 30 Ом

[Alickkk]

у Alickkkа в LTspice порой такие феноменально низкие искажения получаются, что мой разум отказывается верить в осуществимость этого на практике.

Открою великую тайну ... КНИ напрямую зависят от модели полевика и паразитного сопротивления емкости капсюля... Далее в каком режиме работает полевик: больше питание - меньше КНИ, за счет меньшей девиации тока стока...

Так правдоподобнее? ))

[olvicgor]

В даташите на 3372 ясно написано: маркировка: 1Н

Хорошо, считаем доказанным

У 2SK3719 20V 10mA 100mW Yfs 0.8-1.6mS Idss 90-430uA Vgs -0.37 - -1V
Ciss 4pF

Спасибо Carbon, который дал замечательную ссылку на спайс модели микрофонных полевиков от NEC: http://documentation.renesas.com/doc...0JJ1V0IF00.pdf
Практически у всех приведенных по ссылке полевиков емкость затвор-сток больше 2пФ. В том числе и у 2SK3719. Вот тут и задумаешься.

как вы определили, что у вас Ку=4? Или это - разница сигналов с ОИ/ИП?

Да, хотя это очень приближенно. Реально скорее надо из Uои/Uип вычесть единицу. Т.е. получается Ку=3. Но даже, если 3, то, значит соотношение Cмикр/Сзс должно быть больше трех. Тут я пренебрегаю паразитной емкостью на корпус т.к. ИМХО она существенно меньше чем 1пФ, потому как, откуда бы ей при такой конструкции взяться.

вначале взял 3 Гигома, а сейчас перешел на 10 Гигом

Если опять же посмотреть приведенную выше ссылку на модели транзисторов NEC, то в них резистор утечки варьируется от 1,3ГОм до 4,5ГОм. Чаще всего - 2,5ГОм.

[semimat]

И по сей день электретные микрофоны выпускаются двух видов - фойловые и бэкэлектретные:
http://en.wikipedia.org/wiki/Electret_microphone.
Тот же Панас делает и те и другие:
http://datasheet.octopart.com/WM-55A...heet-65748.pdf
И никакой двусмысленности или непонятности в их названиях нет. Как написано, так и сделано. А то, что мы не можем разглядеть электрет на пуговице это уже чисто наши проблемы

Спасибо, приведена исчерпывающая информация, благодаря которой я теперь ликвидировал определенный пробел в своих знаниях.

[Bobby_ii]

Практически у всех приведенных по ссылке полевиков емкость затвор-сток больше 2пФ. В том числе и у 2SK3719. Вот тут и задумаешься.

У К596 Ciss (З-И) 3.5pF, Crss (З-С) 0.65pF. 2пФ ХО многовато ... . Ничего не путаете?

Вх. емкость в ОИ можно оценить как: Cin=Ciss+Ку*Crss, Ку=Rl*S
для К596 и н-р 2кОм в Стоке S=1mA/V => Ky=2 => Cin=3.5+1.3=~5pF (полезный сигнал делится пополам и усиливается в 2 раза)
при 20кОм нагрузки (Ку=20) Cin=3.5+0,65*20=3.5+13=16.5 pF не шибко линейной емкости . Сигнал делится 1/4 * 20=усиление в 5 раз.
при 1кОм нагрузки 3,5+0,3=3,8пФ усиление прим. 1/4.

Никак не могу запомнить, как называется каскад в Фениксе и каскоде ...
Cin=Ciss+Crss=4.2pF (не сильно лучше) О mu речи не идет, речь только о S

Для ИП: Cin=Ciss(1-Ky)+Crss. Ку
dUs=dI*R, dI=S*dUgs Ky=1/(1+SRl/S) .........

Offтопик:
странное дело. Как только начинаешь жать клаву - так сразу отключаются мозги. Совершенно не возможно набирать формулы и обдумывать их. Пришлось искать ручку с бумагой. А это нынче тоже проблема!!!

Думаю, есть возможность оценить как емкость капсюля, так и емкости транзистора по нескольким измерениям амплитуды сигнала при разных нагрузках (но одинаковой рабочей точке). И пожалуй, возьмусь за это (оценить параметры по результатам измерений).
Пожалуй сделаю экселевский файлик для "прикидывания" параметров каскада на ПТ в 1м приближении (без учета изменения х-к от изменения напряжений, токов, ... - это уже к симулятору).

Offтопик:
ПС Знания тут что-то последние недели благодобря ув. olvicgor просто потоками льются - только успевай на ус наматывать

[semimat]

Вх. емкость в ОИ можно оценить как: Cin=Ciss+Ку*Crss, Ку=Rl*S
для К596 и н-р 2кОм в Стоке S=1mA/V => Ky=2 => Cin=3.5+1.3=~5pF (полезный сигнал делится пополам и усиливается в 2 раза)
при 20кОм нагрузки (Ку=20) Cin=3.5+0,65*20=3.5+13=16.5 pF не шибко линейной емкости . Сигнал делится 1/4 * 20=усиление в 5 раз.
при 1кОм нагрузки 3,5+0,3=3,8пФ усиление прим. 1/4.

Поскольку каскад ОИ - инвертирующий, то Сin правильнее считать как: Сin=Ciss+(Ку+1)*Crss. Правда, это влияет, когда Ку мал, а Crss велика, а в данном случае она в 5 раз меньше Ciss, так что ошибка невелика. И, наверное, в последней строчке опечатка - должно быть "при 0.5 кОм нагрузки..." . А вот замечание о не слишком линейной емкости очень серьезно... если она не учитывается в модели, то точность моделирования может не отражать реальность при оценке величин в сотые доли процента.

[olvicgor]

пФ ХО многовато ... . Ничего не путаете?

Да, вроде, нет. Вот данные из моделей транзисторов по ссылке Carbon
2SK3717 - CGD=2.238E-12
2SK3718 - CGD=2.1180E-12
2SK3719 - CGD=2.075E-12
2SK3782 - CGD=2.075E-12
2SK3783 - CGD=2.075E-12
Может, это и правда. Во всяком случае, если посчитать Ку для SK3719 в режиме из дейташита, исходя из указанной емкости, то получается величина даже на 0,5дБ выше, чем в дэйташите. Единственное (из понятного мне), что вызывает сомнение в модели того же 3719, это странное значение крутизны BETA=2.4188E-3 при отсечке VTO=-.34. Из дейташита это никак не следует.
Вполне допускаю, что у 3372 емкость затвор-сток намного меньше. Иначе трудно объяснить большие Ку, которые у меня получаются. Например, при 30кОм чистый Ку получается 4,5, что означает, что Сзс по крайней мере в 4,5 раза меньше емкости капсюля.

А вот замечание о не слишком линейной емкости очень серьезно... если она не учитывается в модели, то точность моделирования может не отражать реальность при оценке величин в сотые доли процента.

Согласен. Это действительно серьезный вопрос, поскольку при больших Ку в схеме ОИ (в большей степени) и в каскаде Линквитца (повторителе) (в меньшей степени) предельное значение искажений определяется почти исключительно нелинейностью емкости Сзс. А как всякая емкость p-n перехода, она изрядно нелинейна. Некоторое представление можно получить опять же только у NEC, например, для 3719:


Учитывая, что график дан при постоянном напряжении затвор-исток, то все изменение приходится на Сзс, т.е. в рабочем диапазоне она изменяется на 0,7 пФ. Но что опять же смущает в этом графике, это его несоответствие модели, по которой суммарная емкость должна быть почти 4,8пФ. Ну не при 0В же дана в модели емкость. Поэтому у меня постоянно возникают сомнения в достаточном для наших задач соответствии моделей и дэйташитов.

Думаю, есть возможность оценить как емкость капсюля, так и емкости транзистора по нескольким измерениям амплитуды сигнала при разных нагрузках (но одинаковой рабочей точке).

Можно оценить только отношение трех емкостей, но не их абсолютную величину.
Кстати, посмотрел твои капсюли (кроме ноутбучного). Сразу можно сказать, что по сравнению с капсюлем из моего ЕСМ8000 в них стоят транзисторы с меньшей Сзс, т.к. во-первых они заметно шустрее выходят на режим по постоянке после подачи питания - на 20-30%, а во вторых дают при больших Ку усиление в ОИ на 2-3дБ больше, . Так что твои опасения напрасны. У них также можно подобрать режимы компенсации в схеме ОИ. НО для измерения SPL больше 115дБ я бы их использовал все-таки в схеме Линквитца, разумеется, с увеличенными, как было описано выше, резисторами.

Никак не могу запомнить, как называется каскад в Фениксе и каскоде ...

Каскод так и называется - каскод, а вот каскад на ОУ, где сигнал подается непосредственно на инвертирующий вход, называется трансимпедансным. Благодаря высокому быстродействию, он очень много используется в оптоэлектронике для снятия сигнала с фотодиодов. Собственно, этот термин когда-то оттуда и пошел. В других областях электроники он не так часто используется и термин, соответственно, тоже. Но я по старой памяти его все время так называю, хотя уже очень давно не занимаюсь оптикой. А название следует из его функции: он преобразует источник тока в источник напряжения.

[Bobby_ii]

А вот замечание о не слишком линейной емкости очень серьезно... если она не учитывается в модели, то точность моделирования может не отражать реальность при оценке величин в сотые доли процента.

Всякие нелинейности п-н переходов ОБЫЧНО приводят к появлению длинного хвоста гармоник высоких порядков (т.к. эти нелинейности мелкие, но резкие).
Т.е. нелинейность емкости вряд-ли существенно повлияет на К2/К3, это скорее - замечание, относящееся к звукозаписи (о которой я впараллель думаю).
По замечанию Ку+1 - согласен. Влияет существенно. Про 0,5кОм не понял. Но и пока не пойму - надо моцк в кучу собрать, а он не собирается (отвык).

Учитывая, что график дан при постоянном напряжении затвор-исток, то все изменение приходится на Сзс, т.е. в рабочем диапазоне она изменяется на 0,7 пФ.

Как говорится "Врёшь, НАТОвская сволочь!!! Не может солдат за день 2 мешка брюквы съесть!!!"
Точнее говоря, величина изменения в 0,7пФ - это очень много даже для "базовой" 2пФ. И 2пФ само по себе много.

называется трансимпедансным

Точно!!! Надо запомнить.

Можно оценить только отношение трех емкостей, но не их абсолютную величину.

Этого будет достаточно + в конце-концов, можно отлучить тр-р от капсюля и прмерить. Найду капсюль от Надьки - раздербаню его (он всё равно помялся в процессе извлечения).

Сразу можно сказать, что по сравнению с капсюлем из моего ЕСМ8000 в них стоят транзисторы с меньшей Сзс, т.к. во-первых они заметно шустрее выходят на режим по постоянке после подачи питания - на 20-30%, а во вторых дают при больших Ку усиление в ОИ на 2-3дБ больше, .

Косвенно говорит о том, что капсюли разные.

Offтопик:
Пред от Надьки нашел. Если интересно - выложу фото.
Также выкладываю "сырой" хлс с расчетом емкостей и выхсопр. Пока только для ИП работает. Для ОИ тоже не сложно сделать, но хочу сделать универсальный для каскада с разд. нагрузкой (и в стоке и в истоке).

PT.xls

[Bobby_ii]

Вот теперь можно и пооценивать соотношение емкостей по величинам сигналов (если интересно).
НО НАДО ОДНУ И ТУ-ЖЕ РАБОЧУЮ ТОЧКУ (одинаковое установившееся напряжение С-И и соотв. одинаковый ток т.к. условно считаем что Ugs=0, то Ugd и I связаны однозначно).
и хотя бы по 3 замера амплитуды вых. напряжения в ОИ и в ИП (при разных сопротивлениях и подобранных напр. питания).
FET.xls

---------- Сообщение добавлено 17:20 ---------- Предыдущее сообщение было 17:19 ----------

Можете и с симулятора данные какие-нить подкинуть - заодно файл и себя проверю.

[olvicgor]

Всякие нелинейности п-н переходов ОБЫЧНО приводят к появлению длинного хвоста гармоник высоких порядков (т.к. эти нелинейности мелкие, но резкие).

Нет это совсем не так. Изменение емкости перехода при запирающем напряжении больше нуля приближенно пропорционально единице, деленной на квадратный или кубический корень из напряжения. Зависит от структуры перехода. Т.е. изменение совсем даже не резкое. Так что, как раз, низкие гармоники это изменение генерирует очень даже неплохо.

величина изменения в 0,7пФ - это очень много даже для "базовой" 2пФ. И 2пФ само по себе много.

Тем не менее, хоть изменение емкости и не резкое, но в два-три раза она вполне может измениться при изменении напряжения от 1В до 20В.

Косвенно говорит о том, что капсюли разные.

Радикальные отличия только по чувствительности, но даже они укладываются в допуски по дейташиту. Так что не факт, что капсюли разные

Пред от Надьки нашел. Если интересно - выложу фото.

Выкладывай.

Вот теперь можно и пооценивать соотношение емкостей по величинам сигналов

Только твой файл желательно изменить так, чтобы по результатам измерений вычислялись емкости, а не наоборот. И еще хотелось бы список обозначений, а то не все понятно.
Я пока не смог просмотреть детально твою экселовскую считалку.
А пока выкладываю результаты по твоему капсюлю. Можешь попробовать оценить емкости.

Измерения сделаны при 105дБ
(Величина SPL и напряжение в Вольтах очень приблизительные и даны просто для оценки порядка величин)

1) Сопротивление 10кОм.
Относительные уровни:
Uси=2В
ИП - Uвых = -27,4дБ (размах сигнала примерно 150мВ)
ОИ - Uвых = - 16,7дБ
Uси=10В
ИП - Uвых = -26,5дБ
ОИ - Uвых = - 13,4дБ

2) Сопротивление 30кОм.
Относительные уровни:
Uси=2В
ИП - Uвых = -26,6дБ
ОИ - Uвых = - 14,4дБ
Uси=10В
ИП - Uвых = -25,1дБ
ОИ - Uвых = - 10,3дБ

3) Сопротивление 100кОм.
Относительные уровни:
Uси=2В
ИП - Uвых = -26,0дБ
ОИ - Uвых = - 12,4дБ
Uси=7,5В
ИП - Uвых = -25,9дБ
ОИ - Uвых = - 9,8дБ

Для сравнения при том же давлении капсюль из моего ЕСМ8000
Сопротивление 100кОм.
Относительные уровни:
Uси=7,5В
ИП - Uвых = -32,2дБ
ОИ - Uвых = - 15,0дБ

Получается, что твой капсюль чувствительнее в два раза.

[Bobby_ii]

Задам сакраментальный вопрос: Uси - это между Стоком и Истоком или на капсюле целиком (Vcc)?
Скажем по ВАХ ток получается 0,4мА+- (3-4,5) - именно такой ток и должен устанавливаться при 0м смещении безразлично к схеме включения (кстати, какой он устанавливается?).
при 100кОм на резисторе должно быть порядка 40В и еще 10 на капсюле, т.е. питание схемы 50В. Это правда?
Или было применено др. решение типа ГСТ по постоянке||резистор по переменке?
Еще один сакраментальный вопрос: дБ - это дБ (мощности) или дБА (амплитуды)? т.е. 20лог() или 10лог()? В Вольтах-то сколько? В файле на 2й странице "Probe" справа - пересчет в Вольты.
Я пару часов потратил на подбор (20лог(..)). Нифига не получилось.
FET.xls
ОЧЕНЬ не хватает измерений при R~1кОм (сравнимо с выхсопр ИП).

Offтопик:

Изменение емкости перехода при запирающем напряжении больше нуля приближенно пропорционально единице, деленной на квадратный или кубический корень из напряжения

Уже посмотрел. НО.
По графику показалось, что емкость более менее линейна (влияние квадратично = 2я гармоника). Бог с ней. Восемь бед - один ответ . Тогде ЖЕЛАТЕЛЬНО в модели такую нелинейность учитывать. Хотя бы линейно.

И еще хотелось бы список обозначений, а то не все понятно.

Вроде старался общеупотребительно изъясняться. Кроме Ro - выхсопр тр-ра, Rout - выхсопр каскада (Ro||Rрезистора).

Только твой файл желательно изменить так, чтобы по результатам измерений вычислялись емкости, а не наоборот.

Это теоретически возможно, но мало реально. Получается несколько ОДИНАКОВЫХ уравнений и с 3мя неизвестными (система уравнений). И уравнения не линейные. Насколько помню, мы линейные системы пол года решали .
Так что придется подбирать. Но и подбирать параметры тоже не сахар (уже попробовал). Придется чутка подумать.
Например над тем, как сходу определить S.

Почему и не хватает 1кОм. Разница 10к - 100к (теоретическая) 10%. Слишком велика погрешность измерений. Разница 1к - 100к в 2 раза.
Выхсопр. ИП - порядка 1кОм. При 1кОм получается делитель вых.сигнала 1/2 + вдвое (по ср. со 100к) увеличивается влияние Ciss. Ориентировочно с 0,04пФ (при 100к фактически Свх=Сrss) до 2пФ (емкостной входной делитель с прим. 90% до прим. 65%).
Т.е. зависимость от сопр. нагрузки двойная (выходной_делитель*емкостной_делитель(выходной делитель))

[Bobby_ii]

Получается, что твой капсюль чувствительнее в два раза.

"У Шпака - магнитофон, у посла - медальон ..."
Переделал файлик попроще. И вобщем-то подобрал +-10%(даже лучше)
FET2.xls
2V Cm=5pF S=1.3 Ciss=3.5 Crss=1.05 R_d=100k(VAH)
10V Cm=5pF S=1.5 Ciss=3.5 Crss=0.7 R_d=100k(VAH), исходил из того, что при повышении Uси должны меняться только S и Crss.

[olvicgor]

Uси - это между Стоком и Истоком или на капсюле целиком (Vcc)?

Именно сток-исток. Что такое капсюль целиком, честно говоря, я не понял.

при 100кОм на резисторе должно быть порядка 40В и еще 10 на капсюле, т.е. питание схемы 50В. Это правда?

Я не получил Uси=10В при 100к, т.к. не хватило напряжения источника питания. Обрати внимание, что для 100к указано напряжение 7,5В.
С током все немного интереснее. Он получается РАЗНЫЙ. Т.е. в схеме ИП Uси=7,5В при 100к получается при Еп=32,2В, а в схеме ОИ - при Еп=36,6В. Пока я не могу понять, откуда такая разница, но она точно есть. Разница у капсюля из ЕСМ8000 тоже есть, хотя и несколько меньше - при 100к и 7,5В Еп соответственно получилось 30,7В и 32,6В. Т.е. ток в схеме ОИ получается больше. Но вообще, работать с большими резисторами типа 100к очень неудобно режим устанавливается очень-очень медленно. Напряжение Uси то ли постоянно дрейфует, то ли я просто слишком тороплюсь, но ждать при каждом изменении Еп по минуте, пока дрейф прекратится, очень напрягает.
К сожалению из-за цейтнота не смог снова подробно посмотреть файл, да и не все понял в посте #2620. Но ИМХО вроде похоже на правду.

[Bobby_ii]

С током все немного интереснее. Он получается РАЗНЫЙ.

Видимо, результат того, что выхсопр стока не бесконечность.
Пусть ток в ОИ и ИП разный.
Одинаковый ли он при разных сопротивлениях в ОИ? Или тоже разный?

Offтопик:
с чужими файлами разбираться - проще собственный заделать
у меня алгоритм такой:
- сначала источник сигнала = источник напряжения
- считаем со стороны истока выходное напряжение (получаем Ky_s)
- оцениваем вклад Ciss
- считаем напряжение со стороны стока (получаем Ky_d)
- оцениваем вклад Crss (Миллер)
- суммируем емкость получаем Cin
- оцениваем, что остается после емкостного делителя
- то, что остается множим на соотв. Ку - получаем Ку капсюля
- подгоняем один из отсчетов чтобы соответствовал измерениям
- варьируя S, Ciss/См, Crss/Ciss добиваемся максимального соответствия остальных измерений.

Очень хорошо, что были измерения с 100к - это близко к внутр.сопр.ПТ в ОИ.
Жаль, что не было с 1кОм (близко к выхсопр в ИП)

Offтопик:
Если цейтнот, то лучше заниматься главным .
Если доведется экспериментировать, то хочется: 500, 1к, 10к, 30к, 100к. ОИ/ИП. Напряжение желательно в Вольтах (хотя можно и в дБ). Хочется видеть режим по постоянке: напр.питания, ток, напр.на ПТ (для проверки).
Но наверное, проще разобрать капсюль и промерить ПТ отдельно, чем гадать на капсюле
Итак уже сделано столько, сколько давно не делалось.

Интересно, если тр-р капсюля использовать как половинку дифкаскада с соотв. дальнейшей схемотехникой (типа ОУ) - как это отразится на емкостях и искажениях? Влияние Ciss ->0. А есть ли способ избавиться и от влияния Crss?

[semimat]

Отлично, что начался процесс познания тонкостей работы капсюля. Но я пока не нашел способа измерить даже такие параметры транзистора в его составе, как крутизна и напряжение отсечки без вскрытия корпуса. Пусть мы отрезали корпус от истока... Но ведь он (корпус) он соединен с затвором через неизвестную нам емкость мембраны. Тогда как мы измерим, например, выходное сопротивление истока? Чтобы более понятно было мое сомнение, представьте себе, что емкость корпуса (через мембрану) по отношению к затвору равна нулю или хотя бы много меньше емкости затвор-исток. Это означает, что затвор фактически не связан с корпусом, а, скорее, закорочен на исток (емкостью Сзи и резистором утечки), и его напряжение болтается вместе с напряжением истока, а не зафиксировано относительно общей точки (в роли которой хотелось бы видеть корпус). Поэтому, подавая переменное напряжение на исток относительно корпуса, мы не прикладываем его к переходу исток-затвор. Вместо этого оно почти всё приложится к емкости мембрана-затвор. Мы вместо реального значения сопротивления истока, получим величину в разы большую. Почти то же получится, если измерять по переменке сопротивление стока (только огромная ошибка уже будет в сторону занижения реального значения). Но там хоть можно провести корректные измерения на постоянке, учитывая, что по постоянке напряжение на затворе закорочено на исток за счет сопротивления утечки.

---------- Сообщение добавлено 05:32 ---------- Предыдущее сообщение было 04:35 ----------

В общем, я практически окончательно уверовал, что без реального гальванического доступа к затвору измерить параметры транзистора и емкость мембраны, не говоря уж о паразитных емкостях, не получится. Интересно, а если чем-либо аккуратно прогнуть мембрану так, чтобы она коснулась пуговицы. Например, можно плотно (герметично) всунуть микрофон входной частью в соответствующего диаметра кембрик длиной сантиметров пятнадцать, расположить все это вертикально свободным отверстием вниз и начать погружать в воду до тех пор, пока не добьемся желаемого результата или окончательно не испортим капсюль . Заодно, узнаем, при каком давлении зазор обращается в ноль, и емкость мембрана-затвор становится максимальной. Увы, у меня с возрастом точки произрастания рук очень сильно сместились от плеч вниз по спине, и я такой эксперимент уже аккуратно провести не могу...

[Bobby_ii]

Металлизация мембраны от пуговыцы в любом случае изолирована слоем электрета, т.е. гальванического контакта не будет.
а эксперимент с давлением (ежели он нужен) лучше проводить в банке и с мануметром типа такого, которым давление в человеках мерят. И надо туда-же излучатель типа пьезика - чтоб за сигналом следить. Только зачем этот эксперимент?
Ну получим амплитуду сигнала (давление). Ну построим график кривизны мембраны .
Только у микрофона самое негерметичное место - вокруг мембраны, т.е. внутренний объем - передний.
Соотв. надо "дренажное отверстие" сверлить через платку и пластик до пуговицы. Надо только в отверстие пуговицы не попасть . Заодно будет гальванический доступ к затвору .
Сверло надо что-то типа 0.5 и дрель не ручную.

---------- Сообщение добавлено 10:21 ---------- Предыдущее сообщение было 10:19 ----------

Правда, есть еще одна проблема - любой щуп будет иметь емкость сравнимую с мембраной и внутр. емкостями.

[semimat]

Металлизация мембраны от пуговыцы в любом случае изолирована слоем электрета, т.е. гальванического контакта не будет.

Только у микрофона самое негерметичное место - вокруг мембраны, т.е. внутренний объем - передний.

То, что металлизация мембраны будет изолирована тонким слоем электрета на пуговице и слоем самой полимерной пленки мембраны, приведет к тому, что действительно, в чистом виде гальванического контакта не будет, зато будет очень большая емкость (существенно больше паразитных емкостей), и это, возможно, уже позволит измерить истинную крутизну (сопротивление истока, Ку), подавая на исток переменное напряжение, и измеряя напряжение на стоковом резисторе. То, что переход "внутренний объем - передний" не совсем герметичный - это да. Но, возможно, благодаря хорошему поджатию за счет завальцовки и определенной гибкости кольцевой изолирующей прокладки, эта негерметичность все-таки позволит хотя бы десяток секунд поддерживать мембрану прижатой к пуговице. Ну, на худой конец, можно просверлить маленькое отверстие в корпусе сбоку только в алюминии (или несколько отверстий по периметру), не сверля пластиковый стакан, и эта негерметичность заднего объема окажется уже больше и выполнит дренажные функции. А как заманчиво определить предельное акустическое давление, при котором мембрана касается таблетки. Ведь перепад уровней воды в 28 миллиметров соответствует амплитуде давления акустического сигнала с уровнем 140 дБ. Нам не надо подавать в трубку реальный акустический сигнал. То что произошел контакт, мы наверное обнаружим по резкому изменению снимаемого со стока электрического сигнала (на исток относительно корпуса мы заранее подаем сигнал с частотой, например, 1 кГц.

Впрочем, ты прав, если уж сверлить корпус, то это надо делать "до конца". То есть, просверлить отверстие сбоку через алюминий и пластиковый стакан с такого ракурса, чтобы попасть в полость, где находится транзистор и выйти прямо на его затвор. Тогда действительно можно осуществить реальный гальванический контакт к нему или к пуговице. А щуп при этом вообще может касаться одновременно и корпуса и затвора, так как это лишь закорачивает емкость мембраны, что нам, собственно, и нужно при чисто электрических измерениях. Фактически, это не щуп, а "общий провод", относительно которого на исток подается входной сигнал, а со стока снимается выходной (я, конечно, имею в виду, что исток уже отрезан от корпуса).

[Bobby_ii]

Почему бы не просверлить так, чтобы упереться в "пуговицу"?
Через платку и пластик? Транзистор известно где. И промерить все напрямую коль уж НАДО.
Мне проще - я могу и развандалить капсюль науки ради (уже есть развандаленный).
Вопрос - как промерить (метода)?

[Carbon]

Мне проще - я могу и развандалить капсюль науки ради (уже есть развандаленный).

Если есть желание измерить параметры транзистора, не обязательно портить WM-61. Можно взять полевик из любого дешевого капсюля. Транзисторы везде практически одинаковые. Для удобства можно взять полевик с корпусом побольше из 10мм капсюля.

[Bobby_ii]

Эти тоже есть (В596). ВМ-61 уже развандалены. Вот и сравним .
Еще раз: вопрос в методике.