Страница 53 из 74 Первая ... 43515253545563 ... Последняя
Показано с 1,041 по 1,060 из 1470

Тема: Выходные транзисторы

  1. #1 Показать/скрыть первое сообщение.
    Старый знакомый
    Автор темы
    Аватар для Octagon
    Регистрация
    02.12.2006
    Адрес
    Киев
    Сообщений
    521

    По умолчанию Выходные транзисторы

    Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?

  2. #1041
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    В шоттках- охранная структура, начало ее пробоя-1,3 Ubr. Разница в емкостях MJE340 разных изготовителей обьясняется разными техпроцессами
    Последний раз редактировалось vladimir sim; 15.06.2022 в 00:12.

  3. #1042
    Старый знакомый Аватар для minimalman
    Регистрация
    27.02.2021
    Сообщений
    833

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    В шоттках- охранная структура, начало ее пробоя-1,3 Ubr.
    Странно, я слышал, там пробой уже на 1,05Ubr - брешуть люди?

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    Разница в емкостях MJE340 разных изготовителей обьясняется разными техпроцессами
    То есть сами кристаллы тоже разные. Там же нет специальной топологии типа многоэмиттерности?

  4. #1043
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Ну так возьми да проверь, а брешут или нет- мне пофигу. Лично я использовал L3040C{2х15А,40В} как стабилитрон на 51- 53 В, вот и верь после этого людям.
    Последний раз редактировалось vladimir sim; 15.06.2022 в 12:59.

  5. #1044
    Завсегдатай Аватар для Serge_L
    Регистрация
    12.09.2008
    Адрес
    Калуга
    Возраст
    49
    Сообщений
    2,740

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    minimalman, При прямом смещении емкость только диффузионная, она маленькая, - это во-первых; а во-вторых ну совсем плыть будет у разных изготовителей (при разном тп).
    Шоттки, насколько я знаю, очень по-разному сделаны низковольтные и на напряжения 30В и выше.
    Но это из области совсем догадок, я плотно только МДП занимался, остальное поскольку…

    ---------- Сообщение добавлено 07:41 ---------- Предыдущее сообщение было 07:39 ----------

    vladimir sim, а про транзисторные сборки Вы рассказываете. Это чьё производство?
    И можно хоть примерный «даташит» глянуть?
    Просто интересно. Всё ж очень много лет было потрачено «на науку»(((
    Это просто джиттер какой-то! (с) momitko

  6. #1045
    Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    4,009

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от Serge_L Посмотреть сообщение
    minimalman, При прямом смещении емкость только диффузионная, она маленькая, - это во-первых; а во-вторых ну совсем плыть будет у разных изготовителей (при разном тп).
    Шоттки, насколько я знаю, очень по-разному сделаны низковольтные и на напряжения 30В и выше.
    Но это из области совсем догадок, я плотно только МДП занимался, остальное поскольку…

    ---------- Сообщение добавлено 07:41 ---------- Предыдущее сообщение было 07:39 ----------

    vladimir sim, а про транзисторные сборки Вы рассказываете. Это чьё производство?
    И можно хоть примерный «даташит» глянуть?
    Просто интересно. Всё ж очень много лет было потрачено «на науку»(((
    Поправка. Диффузионная ёмкость p-n перехода при прямом смещении как правило, существенно больше барьерной, и именно этот механизм ответственен за формирование "плато" Ft как функции тока у биполярных транзисторов: рост диффузионной ёмкости база-эмиттер пропорционально току базы приводит к тому, что рост крутизны с током эмиттера перекрывается шунтированием базо-эмиттерной цепи диффузионной ёмкостью прямосмещенного перехода.

  7. #1046
    Завсегдатай Аватар для Serge_L
    Регистрация
    12.09.2008
    Адрес
    Калуга
    Возраст
    49
    Сообщений
    2,740

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    При прямом - конечно, больше барьерной)))
    Просто сама величина по сравнению с барьерной в обратносмещенном меньше.
    Те емкость при прямом смещении, можно считать только диффузионной, а при обратном - только барьерной.
    Ну и плюс, диффузионная же сильно убывает с ростом частоты?
    Или я совсем всё подзабыл?)
    Это просто джиттер какой-то! (с) momitko

  8. #1047
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    SergeL, это не я и не про сборки-это ПП ЛЕФИ , Брянск, юзер здесь- vl o, это транзисторы с кольцевым эмиттером VL035DN и VL035DP, хорошая вещь кстати. Даташит выкладывал у себя в теме Букварев. У них вот Ft слабо зависит от тока в пределах двух декад 0,05-5 А, и при 1А примерно 100 МГц.

  9. #1048
    Завсегдатай Аватар для BesPav
    Регистрация
    01.06.2011
    Адрес
    Москва
    Возраст
    42
    Сообщений
    2,720

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от vl o.. Посмотреть сообщение
    продавать через сеть дистрибьютеров!
    Еще совсем немного и вы на полном серьезе будете материть этих барыг.
    1. Вам нужна официальная продажа через кассу? Есть ИП?
    2. Wildberries/Ozon/Авито уже предложили.
    3. Прямая рассылка физлицам с чеками в коробке.
    4. Перепись здесь на форуме в соответствующем разделе Толкучки с группировкой по городам и пакетной рассылкой.

    У вас-то на выходе какая стоимость получилась?

    Дистрибьютер как держатель складских запасов возьмет слишком большой процент, цена будет бессмысленно высокой для конечного пользователя, особенно с учетом двойной пересылки малого количества транзисторов.

    Есть модель хоть какой-нибудь степени адекватности?
    Каков типовой сценарий применения?
    Одновременно быстрый и мощный транзистор сейчас - это нечто новое и для разработчиков усилителей штука в первую очередь непривычная.
    1. Поставить его на место драйвера "в лоб" в типовом ВК с какими-нибудь 3281 на выходе просто бессмысленно. Ибо а) избыточно мощный, б)ощутимо дороже типового для этого места 4793/669
    2. Поставить его на выход "в лоб" в типовом ВК с 4793 в качестве драйвера или на драйвер и выход с 3503 первой ступенью на первый взгляд тоже нельзя. Слишком быстрый, придется "тормозить" вторую ступень, а тогда зачем он нам третьей ступенью такой быстрый? Надо отлаживать модель и макетировать.
    3. Делать ВК двойку на них тоже сложно, слишком велика получается входная ёмкость первой ступени, это потребует некоторого переосмысления.

    Литография пусть литографией, инвестиции и окупаемость пусть тоже как-нибудь мимо форума.
    Здесь давайте конкретно отрабатывать типовой сценарий применения.
    Есть в коллективе ваших разработчиков отвечающий за это специалист?

  10. #1049
    Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    4,009

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от Serge_L Посмотреть сообщение
    При прямом - конечно, больше барьерной)))
    Просто сама величина по сравнению с барьерной в обратносмещенном меньше.
    Те емкость при прямом смещении, можно считать только диффузионной, а при обратном - только барьерной.
    Ну и плюс, диффузионная же сильно убывает с ростом частоты?
    Или я совсем всё подзабыл?)
    Если совсем строго - диффузионной ёмкости как таковой не существует, а существует накопление неравновесных носителей. Соответственно, надо различать ситуации "большого" и "малого" сигнала. "Частотная зависимость диффузионной ёмкости" - это случай большого сигнала, когда чередуются прямое и обратное смещение перехода. Там всё просто: чем дольше период прямого смещения, тем больше накапливается заряд, до тех пор, пока не достигается среднее время жизни неравновесных носителей. Но в случае, когда переменная составляющая невелика, и переход все время смещен в прямом направлении - диффузионная ёмкость должна рассматриваться как почти частотно-независимая (но низкодобротная, с большими потерями) для этого малого сигнала. Именно этот эффект используется при создании т.н. диодов для коммутации ВЧ сигналов, типа КД409 - у них сопротивление на ВЧ при прямом смещении легко может быть намного ниже, чем дифференциальное сопротивление диода при прямом токе (примерно 28 Ом/миллиампер).

  11. #1050
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    BesPaV, по коммерции правильно рассуждаешь, по применению- в корне неверно, никак не можешь сьехать с заезженной колеи вроде 1837/4793 . Драйвер-чем мощнее , тем лучше для звука. Работа избыточно мощного прибора при низком уровне инжекции дает нам электрометрическую точность при сьеме сигнала с заведомо высокоомного источника, каковым является УН, поскольку сопротивление коллекторного перехода очень велико, субьективно это выражается в правильном басе, передаче обьема, тонких деталей, независимо от глубины ООС в петле. В сопоставлении, например с KTB817/KTD1047{лучшие на сей день приборы по отношению емкость/мощность} любимые тобой и еще одним чилавеком драйвера 1837/4793 и 649/669 жидко обсираются, это как свинью стричь- визгу много, толку мало, в буквальном смысле. В данный момент я использую пару VL035 DN/DP именно как драйвера в выхлопе-двойке, и без всяких плясок с бубнами поднял F1 почти в 3 раза, благодаря тому, что у них отсутствует избыточный набег фазы и динамическая входная емкость в 2 раза ниже , чем у одноклассников 2SA1294/2SC3263, при одинаковой статической емкости.
    Последний раз редактировалось vladimir sim; 15.06.2022 в 17:50.

  12. #1051
    Старый знакомый Аватар для minimalman
    Регистрация
    27.02.2021
    Сообщений
    833

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    Работа избыточно мощного прибора при низком уровне инжекции дает нам электрометрическую точность при сьеме сигнала с заведомо высокоомного источника,
    А что это за точность обычным, не экзотерическим языком? Не девиация от напряжения на переходе же?

  13. #1052
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    minimalman, надоел уже. Проходи мимо , если заняться нечем. Не твое это, а вести пустые разговоры и разжевывать азбучные истины нет ни времени , ни желания. Ты часом не из Украины?

  14. #1053
    Старый знакомый Аватар для minimalman
    Регистрация
    27.02.2021
    Сообщений
    833

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Сим, если нет желания или способности объяснить - проходи мимо. Не твоё это.

  15. #1054
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Да кому ты нужен, нормальные усилители делаются вовсе не путем ведения бестолковых и бесконечных разговоров на форуме с такими же спецами.Желания- нет, ибо один академический час обьяснений=100уе. Такова общепринятая практика.

  16. #1055
    Завсегдатай Аватар для BesPav
    Регистрация
    01.06.2011
    Адрес
    Москва
    Возраст
    42
    Сообщений
    2,720

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    по применению- в корне неверно, никак не можешь сьехать с заезженной колеи вроде 1837/4793
    Да я вроде на неё и не залезал, это просто по тексту пример сравнительно высокочастотного (относительно последней ступени) прибора средней мощности. Давайте KSC2690 напишу, лучше?

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    при сьеме сигнала с заведомо высокоомного источника, каковым является УН, поскольку сопротивление коллекторного перехода очень велико
    Не в этом дело. Здесь тоже навязанный стереотип высокоомности и нужна она не сама по себе, а для вполне земных целей.
    1. Большое сопротивление нагрузки УНа позволяет условному разработчику задрать побольше петлевого усиления. Которое, откровенно говоря, в таком количестве уже и не требуется, но здесь есть следующий пункт.
    2. При маленьком сопротивлении классическую тройку просто так в широкой полосе не угомонить, надо разбираться.

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    В данный момент я использую пару VL035 DN/DP именно как драйвера в выхлопе-двойке, и без всяких плясок с бубнами поднял F1 почти в 3 раза, благодаря тому, что у них отсутствует избыточный набег фазы и динамическая входная емкость в 2 раза ниже , чем у одноклассников 2SA1294/2SC3263, при одинаковой статической емкости.
    Владимир, ну так двойка - это совершенно другое дело нежели тройка.
    Лично я предпочту иметь пару пик Миллера и 470к||20пФ нагрузки УНа с правильно спроектированной Тройкой и полюсом ВК где-нибудь ощутимо повыше 40 мег, чем нежели 20 пик Миллера у мощного УНа с нагрузкой ~20-47к и стабильной двойкой с теми же итоговыми мегами.
    Сами дизайн-концепции разные.

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    BesPaV, по коммерции правильно рассуждаешь.
    Ну хоть здесь договорились, ура!
    Это абсолютно непривычное чувство по сравнению с постоянными местными срачами и выпученными от эмоций глазами.


    ---------- Сообщение добавлено 22:13 ---------- Предыдущее сообщение было 21:53 ----------


    Offтопик:
    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    ибо один академический час
    Ой ладно, а.
    Кому надо - уже всё спроектировали, а кому не надо все равно не поймут.
    Просто обычные люди с вирусологов вон в военных экспертов перепрофилировались, а мы тут одно и то же мусолим сколько лет чисто на поговорить.

    Последний раз редактировалось BesPav; 15.06.2022 в 21:16.

  17. #1056
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    BesPav, так и не было цели ссориться- просто реальная жисть при прослушивании выводит в лидеры простые топологии, вроде Динакорда, на тихоходных MJ2119х и 340-350, либо Кресты 8001-9001, где УН и предрайвер к ужасу здешних пикофарадников- сделаны на совсем жутких MJE13007/MJE5852. Как с этим быть?

  18. #1057
    Завсегдатай Аватар для BesPav
    Регистрация
    01.06.2011
    Адрес
    Москва
    Возраст
    42
    Сообщений
    2,720

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    реальная жисть при прослушивании выводит в лидеры простые топологии
    Есть такое, да. На прошлых выходных знакомые прокатчики притащили какую-то древнючую Biema ватт на 300, на глаз дрова-дровами и внешне стремненькая, говорят валялась на складе какого-то клуба и выменяли на спиртное.
    Ну включил ради интереса и чтобы вы думали - на два часа из жизни просто выпал.

    Цитата Сообщение от vladimir sim Посмотреть сообщение
    Как с этим быть?
    Понять, простить.
    Ну в смысле местных, которые особо одаренные.

    Ладно, это все болтовня, транзисторы патриотичные как пользовать станем?
    Что-то мне предельно сомнительной кажется идея пристроить несколько тысяч пар по самодельщикам с учетом указанного ценника и активности наличествующих активистов.

  19. #1058
    Лишен права ответа (до 30.06.2024) Аватар для vladimir sim
    Регистрация
    17.02.2014
    Адрес
    Екатеринбург
    Сообщений
    1,970

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Цена барыги в Митино- запретительная, это не дело. Как пристроить- бум думать. Баксов по 6 при текущем курсе было бы норм, чуть дороже топового Санкена, это бы подчеркивало премиальность отечественного продукта. Ведь берут же люди практически бессмысленные аудиоконденсаторы за невменяемые деньги.
    Последний раз редактировалось vladimir sim; 15.06.2022 в 23:55.

  20. #1059
    Завсегдатай Аватар для Serge_L
    Регистрация
    12.09.2008
    Адрес
    Калуга
    Возраст
    49
    Сообщений
    2,740

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Они красивые! Конденсаторы!
    Можно и не паять)
    А транзисторы чот не зашли в качестве настольного фетиша)))
    Жаль, что рынок аудио совсем схлопнулся(
    В-общем, если придумаете чего - могу поучаствовать)

    ЗЫ хочу про попоболь рассказать
    Крайний заказ на jlpcb.
    2600 плат.
    Всё в мусорку!
    И ржут черти!(
    Придётся после открытия границ съездить в офис)
    В одном проекте ни одного отверстия, в другом - пады под светодиод (один из двенадцати, посередине) исчезли, в третьем - кусок дорожки пропал!
    Вот такой вот «пизнез»)))
    Это просто джиттер какой-то! (с) momitko

  21. #1060
    Профиль удален Аватар для bukvarev
    Регистрация
    18.08.2012
    Адрес
    Нижний Новгород
    Возраст
    51
    Сообщений
    1,786

    По умолчанию Re: Выходные транзисторы

    Сравнил в работе пару MJW3281D+MJW1302D c VL035DN+VL035DP по критерию коммутационных искажений.
    ВК - двойка с КТ9180+КТ9181 и плавающим питанием в первом каскаде.
    Непосредственно между базами выходных транзисторов стоял резистор 20 Ом, и два параллельно ему конденсатора: 1 и 470 мкФ.
    От предыдущего каскада выходные транзисторы отделялись двумя резисторами сопротивлением по 1 Ом каждый.
    В эмиттерах стояли резисторы по 0,235 Ом.
    Использовал режектор от Г3-118 и дополнительный масштабный усилитель на 40 дБ.
    Частота 100 кГц, нагрузка - 2 Ом. Ток покоя предварительно отстраивался по минимуму искажений.
    Измерения проводил и без нагрузки, и при разных выходных напряжениях, но при 10 В и нагрузке 2 Ом (пиковый ток около 5 Ампер) картинки наиболее характерные.

    Осциллограммы:
    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Сравнение_комм_искажений_осцилл.JPG 
Просмотров:	239 
Размер:	229.9 Кб 
ID:	421519
    Спектры:
    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Сравнение_комм_искажений_спектры.JPG 
Просмотров:	227 
Размер:	239.6 Кб 
ID:	421520

    Вывод такой.
    1. На осциллограммах в основном видны нелинейные искажения сигнала (амплитудой около 10 мВ).
    2. Уровень коммутационных выбросов в целом меньше у VL035. У PNP чуть хуже. Но, возможно, что я его слегка перегрел, и при замене, его "пичок" будет такой же, как и у NPN собрата.
    3. Сам процесс коммутации у VL035 более широкополосный. Простирается до 10 МГц, но при этом в низкочастотной области (до трех МГц) спадает быстрее и равномернее.

    В общем, первоначальные предположения о характере переключения новых транзисторов подтвердились. Переключаются резвее, заряд рассасывается быстрее.

    Все выполнялось на макете, на огрызке платы от усилителя MW. Конструкция более-менее нормальная, но все равно на 100 МГц транзисторы не рассчитывалась.
    ИМХО, здесь ограничивающим фактором явилась конструкция макета, поэтому чтобы реализовать преимущества новых транзисторов в большей степени, для них желательно делать качественную плату.
    С наилучшими пожеланиями, Евгений.

Страница 53 из 74 Первая ... 43515253545563 ... Последняя

Социальные закладки

Социальные закладки

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •