Резисторы в истоках вертикальных ПТ.

[SAPR]

Общеизвестный факт - достаточно условная комплиментарность N и P вертикальных МОСФЕТов.
Кроме того, для лучшей термокомпенсации (и для выравнивания токов, при включении нескольких транзисторов в параллель) в истоки желательно ставить резисторы.
Их и ставят - одинаковые для верхнего и нижнего плеча.
НО:
Первый рисунок: Статическая передаточная х-ка тока стока от напряжения затвор - нижний вывод истокового резистора для 540 (синий) и 9540 (красный). В цепь затвора 540 добавлено смещение (0.46 В), чтобы уравнять пороговое напряжение. Резисторы в истоках одинаковые, по 0.35 Ом. Различие между 540 и 9540 - налицо.
Второй рисунок - все тоже, но в истоке 540 сопротивление 0.5 Ом, 9540 - 0.2 Ом.
в диапазоне токов стока до нескольких ампер - намного более лучшее совпадение.

А теперь - спектр искажений для напряжения 1, 3, 4 и 20 В для выходного каскада с одинаковыми (0.35 Ом) резисторами (красный) и разными (в верхнем плече 0.5 Ом, в нижнем 0.2 Ом) резисторами (синий). В обеих случаях ток покоя ВК одинаков - 160 мА.

[ИГВИН]

сравнивать будем "длину хвоста"

Его купирование - одна из главнейших задач
Что там про весовые коэффициенты гармоник Чивер писал?...

[aif.66]

Нужно ставить один резистор, в цепь истока полевика с большей крутизной.
P.S. А может выбирать заведомо разные транзисторы, по крутизне, и выравнивать одним резистором.
Тогда и термостабильность будет приемлемой, из-за увеличения этого резистора?

[SAPR]

Нужно ставить один резистор, в цепь истока полевика с большей крутизной.

И этот вариант рассматривал

[sia_2]

IMHO, не стоит заниматься онанизмом.
Дело в том, что "математика" Spice-модели MOSFET адекватна только для горизонтальных интегральных MOSFET, работающих преимущественно в режиме насыщения скорости носителей.
Мощные же полевики, особенно "вертикальные", принципиально (качественно) отличаются от "интегральных" почти по всем свойствам.
В частности, весь начальный участок сток-затворной характеристики у практически всех мощных полевиков - экспоненциальный, точно такой же, как и у биполярных транзисторов (только с несколько меньшей и неодинаковой для p- и n- канальных удельной крутизной).
Это хорошо видно на графиках в полулогарифмическом масштабе (когда напряжение затвор-исток дано в линейном масштабе, а ток стока - в логарифмическом).

[SAPR]

IMHO, не стоит заниматься онанизмом.

В частности, весь начальный участок сток-затворной характеристики у практически всех мощных полевиков - экспоненциальный,

Ну и что?

неодинаковой для p- и n- канальных удельной крутизной

В этом и проблема.
Резистор в истоке - местная ОС. Если выбором разных сопр. удается несколько улучшить параметры ВК, то причем тут онанизм?

[sia_2]

Резистор в истоке - местная ОС. Если выбором разных сопр. удается несколько улучшить параметры ВК, то причем тут онанизм?

При том, что Spice/MicroСap etc. без создания специальной "поведенческой" модели тут не помощник. А наоборот, источник ошибок. Несмотря на то, что сами резисторы, причем неодинаковые, для "вертикальных" MOSFET действительно полезны в большинстве случаев.

[SashaNetrusov]

...Можно ещё попробовать компенсировать разницу нелинейностей при малых токах подключением в истоки каких нить диодов, например...

[belka]

...Можно ещё попробовать компенсировать разницу нелинейностей при малых токах подключением в истоки каких нить диодов, например...

Или прийти в конечном итоге к "токовому шунту" Акулиничев-Хаксфорд-Корделл и не и не занимать себе мозги всякими ненужностями.

[aif.66]

А без умничанья, как шунт Акулиничев-Хаксфорд-Корделла выправляет отличия в крутизне вертикальных FETов?
Можно на математических формулах?

[Walter]

Различие между 540 и 9540 - налицо.

Поэтому нужно брать 640 и 9540.

[viktor8m]

...Можно ещё попробовать компенсировать разницу нелинейностей при малых токах подключением в истоки каких нить диодов, например...

У японцев видел ВК с диодами на мосфетах, интересно попробывать ВК, где, к примеру, в истоке IRF540 стоит диод из IRF9540, а в истоке IRF9540 стоит диод из IRF540.

[belka]

А без умничанья, как шунт Акулиничев-Хаксфорд-Корделла выправляет отличия в крутизне вертикальных FETов?
Можно на математических формулах?

Ровно так же, как и резисторчик в истоке, только гораздо эффективнее. ООС.
А формулка, которую вы приняли за математическую истину - эмпирическая. То есть с большими допущениями, экспериментальная, для понимания сути вопроса.
И ещё. Возьмите в симуляторе биполярные транзисторы и попробуйте с ними сделать аналогичный фокус - хер хрен. Вот сразу.
Остаётся сделать опытный полевой образец и он работать как тут мечтают не будет. Будет то рубашка длинная, то сами знаете, что короткое.

[CS-A]

У японцев видел ВК с диодами на мосфетах, интересно попробывать ВК, где, к примеру, в истоке IRF540 стоит диод из IRF9540, а в истоке IRF9540 стоит диод из IRF540.

Тоже хотел это предложить, только слишком много напряжения на них будет падать, > 4 вольт!

[aif.66]

Ровно так же, как и резисторчик в истоке, только гораздо эффективнее. ООС.
А формулка, которую вы приняли за математическую истину - эмпирическая. То есть с большими допущениями, экспериментальная, для понимания сути вопроса.
И ещё. Возьмите в симуляторе биполярные транзисторы и попробуйте с ними сделать аналогичный фокус - хер хрен. Вот сразу.
Остаётся сделать опытный полевой образец и он работать как тут мечтают не будет. Будет то рубашка длинная, то сами знаете, что короткое.

Значит никаких формул, кроме вышененазванных не будет?

[belka]

Значит никаких формул, кроме вышененазванных не будет?

Нет. Потому, что это решение - бред неправильное.

Делайте циклотрон, aif.66, так сильно ровнее получится.

Резисторы в истоках надо всеми известными способами уменьшать, а не пытаться ими что-то варьировать или использовать их как датчики токовые для всевозможных ООС. Делаете повторитель напряжения, так делайте его сразу нормальным или возьмите другие приборы и опять пытайтесь его сделать изначально нормальным.

[Mepavel]

В частности, весь начальный участок сток-затворной характеристики у практически всех мощных полевиков - экспоненциальный, точно такой же, как и у биполярных транзисторов (только с несколько меньшей и неодинаковой для p- и n- канальных удельной крутизной).

sia_2, интересно чем объясняется этот факт? Я лично такого не замечал у DMOS транзисторов.

[dekko]

Offтопик:
походу, надо запасться попкорном, ща ветку снесут.... а жаль

[sia_2]

sia_2, интересно чем объясняется этот факт? Я лично такого не замечал у DMOS транзисторов.

Тем, что силовые (= ключевые) полевики рассчитываются на гораздо меньшую плотность тока в канале (особенно в сравнении с "цифровыми" MOS в микросхемах). Для минимизации омических потерь. Поэтому "начальный участок" (экспоненциальный для любых электронных приборов, вакуумных в том числе) у них простирается до достаточно больших (в абсолютном исчислении) токов.
В этом первое основное отличие "ключевых" DMOS от радиочастотных, где важнее минимальные емкости (и выше плотность тока). Второе - как правило, поликремниевый затвор, и, соответственно, выраженная "распределенность" RзатвораСвх.

[Mepavel]

Поэтому "начальный участок" (экспоненциальный для любых электронных приборов, вакуумных в том числе) у них простирается до достаточно больших (в абсолютном исчислении) токов.

sia_2, вот меня как раз и интересует именно физическое объяснение, тому что, как Вы утверждаете, начальный участок для любых электронных приборов экспоненциальный и простирается до достаточно больших токов (не знаю причём здесь абсолютное исчисление, тогда уж надо говорить о плотности тока). Сколько снимал передаточные ВАХ для тех же IRF и всегда они чётко совпадали с квадратичной зависимостью на нелинейном участке
I_D=S₀*(V_GS-V_T0)²,
где S₀ - удельная крутизна;
V_T0 - пороговое напряжение.
Аналогично для ВЧ и СВЧ DMOS и LDMOS транзисторов (даже очень короткоканальных).
Специально даже привел две картинки передаточных ВАХ в полулогарифмическом масшатабе для IRF640N. Одна взята из даташита, другая получена в симуляторе. Если честно, наблюдаю достаточно адекватное совпадение простой модели до области насыщения тока стока. Кстати, если бы там была экспонента, то эти зависимости должны были представлять собой прямые, но это не так.

[SAPR]

походу, надо запасться попкорном, ща ветку снесут.... а жаль

Да я ее сам снесу.
Простая и очевидная вещь - есть два не сильно комплиментарных транзистора (вертикальные МОСФЕТы, других я и не трогал). Необходимо в истоки поставить резисторы - без них ну никак нельзя, по ряду причин. Т.к. резисторы в истоках являются местной осью, то изменяя их номинал (глубину местной ОС) можно несколько исправить различия между верхним и нижним транзистором. ФСЕ
Нет, нужно и симулятор походу облаять, и х...ми померится в знании всяких теорий (я и сам могу херову гору всяких формул нарисовать и поцитировать страницы из учебников - только не сильно хочется) + добавить всякие бредовые предложения.