Эффективная защита транзисторов выходного каскада УМЗЧ

[Mepavel]

Предлагаемая для рассмотрения электрическая схема защиты транзисторов выходного каскада (ВК) УМЗЧ позволяет точно учесть их статическую и импульсные области безопасной работы (ОБР) в широком диапазоне температур и при работе на произвольную комплексную нагрузку.
Благодаря этому в отличие от традиционных схем защит отпадает необходимость в двух-, трёх- и даже четырёхкратном запасе по мощности транзисторов ВК.
Основные особенности:
- Высокая точность;
- Непосредственное и непрерывное измерение мгновенной рассеиваемой мощности на транзисторном кристалле, что позволяет адекватно работать на любую реактивную нагрузку (учёт эллиптической нагрузочной кривой);
- Динамическое измерение температуры перехода кристалла (Tj) и тока стока (коллектора) (учёт импульсной ОБР);
- Зависимость ОБР от температуры корпуса (Tc);
- Гарантированная и правильная работоспособность в широких пределах изменения напряжения питания ВК;
- Малый температурный дрейф параметров полупроводниковых элементов защиты;
- Простая настройка (отсутствует надобность экспериментального подбора большого числа номиналов схемы).
Электрическая схема защиты

Основным элементом схемы является четырёхквадрантный аналоговый умножитель AD633, который обладает высокими показателями по быстродействию, точности и термостабильности. Напряжение с резистивного датчика тока R4 предварительно усиливается УН на ОУ X3 в 10 раз и поступает на дифференциальный вход X умножителя на X4. Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер) через резистивный делитель 1:10 подаётся на вход Y умножителя. Таким образом, с учётом математической формулы умножителя получаем на 100 Ватт рассеиваемой мощности приращение в 1 Вольт выходного напряжения умножителя. Далее сигнал с выхода умножителя идёт на интегрирующую цепочку R8С1, которая учитывает динамику разогрева кристалла. Напряжение с конденсатора С1 поступает на компаратор X2, который срабатывает при превышении заданного порога по мощности. Контроль за превышением максимально допустимого тока стока (коллектора) осуществляет компаратор X6. Сигнал «тревоги» с выхода компараторов X2 и X6 складывается диодным «ИЛИ» и поступает, например, на вход «Мute» усилителя (разумеется через логическую развязку «ИЛИ» с других плеч ВК).
Результат моделирования схемы , оптимизированной под транзистор типа 2SC5200

Зависимость ОБР от температуры корпуса транзистора

Pmax=f(Tc)=(Tj-Tc)/Rt, (1)

где Pmax – максимально допустимая рассеиваемая мощность транзистора;
Tj – максимально допустимая температура перехода;
Tc – температура корпуса транзистора;
Rt – тепловое сопротивление переход-корпус.
Эта зависимость учитывается, с помощью термодатчика на транзисторе Q1, сигнал с которого подаётся на вход суммирования Z умножителя.
Например по формуле (1) для транзистора 2SC5200 максимальная рассеиваемая мощность Pmax составляет 150 Ватт при Tc=25 C (Rt=0,833 С/Ватт), а при Tc=100 С она уменьшается до 60 Вт. Учитывая, что при Pmax=150 Вт на выходе умножителя должно быть приращение напряжения на 1,5 В, а при Pmax=60 Вт соответственно на 0,6 В, нужно делителем R1R2 добиться такого ТКН термодатчика, чтобы при повышении температуры с 25 С до 100 С напряжение Uэк транзистора Q1 изменялось на 1,5-0,6=0,9 В.

[свернуть]

[korolkov24]

Так же не следует забывать про импульсные ОБР.

Так импульсные это то же самое что и DC, только сдвинуты вправо, лини параллельны.

Это не так. ОБР полевого транзистора ещё может иметь участок максимально допустимого ток стока IDmax

Мы никак не сможем до него достать, в линейном усилении, не выходя из зоны ОБР по мощности рассеяния.

у реального транзистора - участок ограничения по мощности на ОБР описывается гиперболой.

Ну я как бы ориентировался на график из даташит.

слишком мало точек снято. Надо схемы защиты исследовать в DC анализе.

Павел, я же дал понять что всё на скорую руку сделано, рисовать и считать схемки просто так нет времени.
Отчасти во многом могу с вами согласиться, я немного идеализирую понятия, но основная цель достигается простым способом.
О линейности в безопасной области я и не говорю,

за исключением случая, когда сдвинута фаза в нагрузке, но там точность и не нужна, так как допустимо срабатывание не доходя до границы ОБР.

Забейте схему в симулятор, посмотрим что получилось, а потом я попытаюсь сделать то же самое используя классический способ.

[Mepavel]

А графики даташитов адекватны применяемым транзисторам (в зависимости от изготовителя, партии и т.д.)? Иначе вся красота теряет смысл.

SAPR, граница ОБР приведена в даташите транзистора как минимум с 20-30% запасом, в который как раз и закладываются разбросы от партии к партии, проблемы с качеством напайки кристаллов и т.д.

Мы никак не сможем до него достать, в линейном усилении, не выходя из зоны ОБР по мощности рассеяния.

Вы не правы, достичь максимально допустимого тока стока можно при меньших значениях мощности, чем Pmax. Вот пример ОБР полевого транзистора stac3932b.pdf

Статическая ОБР (DC SOA) ограничена сверху горизонтальной линией максимально допустимого тока стока. Это связано с ограничениями по току из-за внутренних выводов разварки и металлизации кристалла транзистора.

Мы никак не сможем до него достать, в линейном усилении, не выходя из зоны ОБР по мощности рассеяния.

Можем. Когда у нас КЗ по выходу или слишком низкоомная нагрузка (например сгоревшая звуковая катушка или несколько АС в параллельном подключении).

у реального транзистора - участок ограничения по мощности на ОБР описывается гиперболой.

Ну я как бы ориентировался на график из даташит.

Ну вообще-то в даташите участок ограничения по рассеиваемой мощности на ОБР тоже описывается гиперболой (кроме участка вторичного пробоя у БТ). Просто обратите внимание на двойной логарифмический масштаб графика. В таком масштабе функция вида 1/x вырождается в прямую (см. масштаб графиков в первом посте). А порог срабатывания Вашей защиты описывается функцией вида y=k*x+b, т.е. прямой. Так что "скольжения по ОБР" вовсе не будет (см. картинки из книги Д. Селфа).

Отчасти во многом могу с вами согласиться, я немного идеализирую понятия, но основная цель достигается простым способом.

Основная цель в вашей защите достигается двух- и трехкратным запасом по мощности. Почти такая же защита используется, к примеру, в усилителях Yamaha, в которых запаса по мощности у транзисторов ВК нет. Линия порога срабатывания защиты, при средних значенияx напряжения на транзисторе выходит за границы ОБР. Поэтому в инструкции по эксплуатации написано, что при подключении более низкоомных АС возможен выход усилителя из строя. И Вы хотите сказать, что основная цель по защите транзистора достигнута?

Так импульсные это то же самое что и DC, только сдвинуты вправо, лини параллельны.

Не всё так просто. Эти линии параллельны опять же двойном логарифмическом масштабе. А в линейном масштабе всё намного сложнее. Моя схема защиты всё это учитывает. Классическая - нет.

[korolkov24]

Вы не правы, достичь максимально допустимого тока стока можно при меньших значениях мощности, чем Pmax. Вот пример ОБР полевого транзистора

Ну против такого транзистора мне не устоять, Rds около 1.25 Ома, и приходится нагружать его на 2 Ома, чтобы получить ток 20А при предельном питании +-50В.
Наверно ещё интереснее вариант можно найти.

Можем. Когда у нас КЗ по выходу или слишком низкоомная нагрузка (например сгоревшая звуковая катушка или несколько АС в параллельном подключении).

Нет, не можем, ну просто никак. Могли бы, если КЗ было бы например на минус питания.
Вникните пожалуйста в принцип работы схемы моего примера.

А порог срабатывания Вашей защиты описывается функцией вида y=k*x+b, т.е. прямой. Так что "скольжения по ОБР" вовсе не будет (см. картинки из книги Д. Селфа).

Но оно есть, как мы видим по результатам расчётов.

Основная цель в вашей защите достигается двух- и трехкратным запасом по мощности.

Не понял вашу мысль.

Линия порога срабатывания защиты, при средних значенияx напряжения на транзисторе выходит за границы ОБР. Поэтому в инструкции по эксплуатации написано, что при подключении более низкоомных АС возможен выход усилителя из строя.

Плохой усилитель.

И Вы хотите сказать, что основная цель по защите транзистора достигнута?

Да, потому что усилитель полностью использует возможности транзистора, защита срабатывает чётко на границе ОБР, мне непонятно, что вам непонятно в схеме и результатах симуляции.
Да и не к чему это, близко подходить выходу из ОБР, это только ухудшает параметры усилителя.

Моя схема защиты всё это учитывает.

Учитывает что? и для чего?
Не внятно и необоснованно поставлена задача, я поэтому и прицепился к теме.
Подобное уже делалось, да и я по молодости, в вашем возрасте, 2500вт. усилитель делал с защитой подобной вашей - постараюсь найти схему, кстати, я использовал один шунт, последовательно с нагрузкой.

---------- Добавлено в 16:34 ---------- Предыдущее сообщение в 16:19 ----------

ведь ставить дополнительный транзистор не увеличивая ток покоя вообще бессмысленная задача вплане повышения линейности ВК).

Не бессмысленная:
Если используются биполярные транзисторы, а мы предполагаем их использовать до предела возможности, то с одним транзистором мы имеем падение hFE – IC, на максимальном токе.
Полевой транзистор имеет Rds, которое так же не позволит достичь цели, то есть лучше поставить ещё один транзистор и получить больше мощность, при том же питании, а возбуды и.т.д, это дело схемотехники.

[Mepavel]

Нет, не можем, ну просто никак. Могли бы, если КЗ было бы например на минус питания.
Вникните пожалуйста в принцип работы схемы моего примера.

korolkov24, чтобы вы могли понять свою ошибку постройте пожалуйста в DC-анализе функцию порога срабатывания защиты на плоскости токов и напряжений (UI), как это сделал я в первом посте. Наложите на этот график ОБР транзистора и тогда думаю Вам станет понятна актуальность темы. Более того импульсные ОБР и температура корпуса транзистора не учитывается в схеме Вашей защиты. КЗ на минус питания - это классический случай выброса тока на индуктивности (например фильтра АС при КЗ в звуковой катушке).
Те моделирования, которые Вы провели вообще ничего не показывают. На графиках я не вижу всю плоскость допустимых токов и напряжений, которые отсекает Ваша защита.
Кстати, схема защиты, аналогичной Вашей рассмотрена подробно в книге Д. Селфа.

---------- Добавлено в 16:50 ---------- Предыдущее сообщение в 16:41 ----------

Если используются биполярные транзисторы, а мы предполагаем их использовать до предела возможности, то с одним транзистором мы имеем падение hFE – IC, на максимальном токе.

Согласен, но это актуально только при работе усилителя на низкоомную нагрузку. Большинство современных АС имеют модуль импеданса 6-8 Ом. Поэтому для УМЗЧ мощностью 100Вт с одной парой транзисторов ВК не возникает проблем с падением hFE. Предел возможности в данном случае будет упираться только в максимально допустимую рассеиваемую мощность при работе на такие АС.

Да, потому что усилитель полностью использует возможности транзистора, защита срабатывает чётко на границе ОБР

Я не против. Пожалуйста покажите это на плоскости токов и напряжений в DC-анализе.
С уважением Павел.

[Mepavel]

Ну против такого транзистора мне не устоять, Rds около 1.25 Ома, и приходится нагружать его на 2 Ома, чтобы получить ток 20А при предельном питании +-50В.
Наверно ещё интереснее вариант можно найти.

Пожалуйста любой транзистор, хоть тот же irf540n.pdf

Красной горизонтальной прямой показана граница максимально допустимого тока стока (Continuous Drain Current) при температуре корпуса 25 градусов, который равен 33 А. Как видно в точке пересечения линий ограничения R_DSon и I_Dmax=33 A (красная линия). Мощность явно меньше 130 Ватт. Так что Вы не правы в том, что для полевого транзистора ОБР определяется лишь рассеиваемой мощностью.

[korolkov24]

Красной горизонтальной прямой показана граница максимально допустимого тока стока (Continuous Drain Current) при температуре корпуса 25 градусов, который равен 33 А. Как видно в точке пересечения линий ограничения RDSon и IDmax=33 A (красная линия). Мощность явно меньше 130 Ватт. Так что Вы не правы в том, что для полевого транзистора ОБР определяется лишь рассеиваемой мощностью.

У меня нет времени сейчас с вами беседовать, как будет возможность отвечу на все вопросы.
Слишком много ошибок допускаете, ошибка на ошибке, я даже не знаю с чего начинать.

Так что Вы не правы в том, что для полевого транзистора ОБР определяется лишь рассеиваемой мощностью

Линия Operation limited by RDSon говорит о том, что ток ограничен сопротивлением канала, и естественно мощность рассеяния здесь будет уменьшаться с уменьшением напряжения, и как не странно, при нуле вольт будет вообще равна нулю.

---------- Добавлено в 21:35 ---------- Предыдущее сообщение в 21:32 ----------

и тогда думаю Вам станет понятна актуальность темы.

Тема не актуальна в принципе, я уже объяснял почему, но по мере возможности я буду выкладывать свои соображения.

Offтопик:
Кроме меня ни кому не интересно, так что вам нужно меня беречь

[Walter]

Что будет с h21 и частотными свойствами выходного транзистора на грани ОБР?

[korolkov24]

Поэтому для УМЗЧ мощностью 100Вт с одной парой транзисторов ВК не возникает проблем с падением hFE. Предел возможности в данном случае будет упираться только в максимально допустимую рассеиваемую мощность при работе на такие АС.

Вот смотрите сколько можно снять с 2SC5200, на схеме я оставил полевик, будем подразумевать что это биполярный.
hFE – IC у него загибается уже при 3-х амперах, а транзистор на нагрузку 6 Ом работает при токах 15, не покидая ОБР.
Если конечно 5200 использовать для усилителя 100Вт, то ситуация с линейностью улучшится, но и запас по ОБР будет огромным.

[Mepavel]

Линия Operation limited by RDSon говорит о том, что ток ограничен сопротивлением канала, и естественно мощность рассеяния здесь будет уменьшаться с уменьшением напряжения, и как не странно, при нуле вольт будет вообще равна нулю.

Offтопик:
А то я не знаю этого (законы Ома мне не знакомы) Вы точно надо мной издеваетесь (к слову я занимаюсь разработкой мощных LDMOS транзисторов) и не хотите признавать свои ошибки. Ох, как приятно, когда тебя считают дураком.

А что будет дальше, после того как участок limited by RDSon пересечёт красную линию? По мощности ли будет ограничение, как Вы утверждаете, насмотревшись в "ирфовских" даташитах импульсных ОБР?
P.S. Для справки - статические ОБР ихние разработчики уже перестали приводить ввиду их банального описания системой параметров, указанных в разделе "Absolute Maximum Ratings".

---------- Добавлено в 22:21 ---------- Предыдущее сообщение в 22:14 ----------

hFE – IC у него загибается уже при 3-х амперах

Так уж прям загибается? Ну вот только не надо так сильно драматизировать. Если что до этого тока hFE "недогибается". И как дальше жить? Делать усилители в классе А?

Что будет с h21 и частотными свойствами выходного транзистора на грани ОБР?

Ничего не будет сверхъестественного с этими свойствами. Транзистор может нормально работать и не много за гранью ОБР (технологический запас всегда есть). ОБР, приводимые в даташите, упреждающие с гарантированным запасом.

[korolkov24]

А что будет дальше, после того как участок limited by RDSon пересечёт красную линию? По мощности ли будет ограничение

Так я вам уже ответил, на некорректный вопрос некорректным ответом, хотя ответ вполне корректен. Вы цепляетесь за параметры, которые по умолчании ни кем не рассматриваются в нашей беседе, и это уже второй раз.
Первый раз вы привели пример с транзистором, предназначенным для других целей.

не хотите признавать свои ошибки

С удовольствием признаю, честное слово мне будет не стыдно, разговор у нас как бы без нервозности, но только ошибок у себя пока не вижу, а у вас уже есть явные.
1)

Так уж прям загибается? Ну вот только не надо так сильно драматизировать. Если что до этого тока hFE "недогибается". И как дальше жить? Делать усилители в классе А?

Ответил, но не признал.

Если что до этого тока hFE "недогибается"

hFE падает в 2 раза, в интервале 3....15А.
2)

во-первых, установка дополнительного транзистора может ухудшить частотные свойства и КПД усилителя с общей ООС (ведь ставить дополнительный транзистор не увеличивая ток покоя вообще бессмысленная задача вплане повышения линейности ВК),

Дальше продолжать?

---------- Добавлено в 22:45 ---------- Предыдущее сообщение в 22:36 ----------

к слову я занимаюсь разработкой мощных LDMOS транзисторов

Offтопик:
Павел, это очень хорошо, а то я думал, что совсем у нас всё плохо.

Ох, как приятно, когда тебя считают дураком.

Как раз нет, видите сколько времени я потратил на, как я считаю, полезную только для вас тему. Займитесь лучше усилителями класса D, это перспективно и ещё не всё придумано, года два в запасе есть.

[Mepavel]

korolkov24, я вот заметил, что на этом форуме большинство считают других дураками, более того в класс "дураков" записываются зарубежные разработчики известных брендов, а также авторы известных книг (например, Дуглас Селф).
Yamaha делает по Вашему кривые усилители. Приводите зависимости hFE от тока коллектора, как будто я их не видел. Сравниваете hFE в максимальной точке и минимальной, где ток в 15А!!! Потом утверждаете, что я чушь пишу про смысл параллельного включения транзисторов, когда речь шла про стандартную нагрузку в 6-8 Ом и номинальную выходную мощность УМЗЧ 100-150 Вт, которая и соответствует паре 2SA1943/2SC5200 в приемлемом диапазоне температур корпуса транзистора. Скажите, откуда там возьмётся ток в 15 А при работе на нормальную АС?

hFE – IC у него загибается уже при 3-х амперах, а транзистор на нагрузку 6 Ом работает при токах 15, не покидая ОБР.
Если конечно 5200 использовать для усилителя 100Вт, то ситуация с линейностью улучшится, но и запас по ОБР будет огромным.

Где огромный запас по ОБР для этого транзистора? Покажите это при температуре корпуса транзистора ВК, скажем, в 85 градусов?
Где график порога срабатывания Вашей защиты на плоскости UI? Где доказательство того, что Ваша защита действительно скользит по ОБР, приведённой в даташите на транзистор? Где учёт температуры корпуса транзистора? Где учёт импульсных ОБР?
P.S. В общем как обычно. Нетрадиционную разработку совершенно безосновательно раскритиковали за дороговизну и сложность, поскольку не поняли актуальность проблемы из-за технической безграмотности по данному вопросу.
Но всё равно большое спасибо за внимание и ответы в теме.
теоретизирующий практик, хотя бы правильно понял смысл и принцип работы рассматриваемой схемы защиты. Slava!!!, дал хороший повод сравнить обсудить преимущества традиционных схем в сравнении с данной.

Offтопик:

Кроме меня ни кому не интересно, так что вам нужно меня беречь

Хорошо, буду беречь. Но правда создаётся такое впечатление, что у Вас интерес только к классу Д. А потому моя тема неактуальна и нечего тут рассуждать!

P.S. korolkov24, смеха ради, так я и не понял, Вы осознали, что даже у IRF540N DC SOA имеет горизонтальный участок ограничения по максимально допустимому току стока или нет? (подсказка - этот участок располагается между участками ограничения RDSon и Pmax. Красная линия на всю длину напряжений нарисована, специально, чтобы вы определили на нём начальную и конечную точку. Может Вам как-то будет интересен этот пост).

[korolkov24]

Yamaha делает по Вашему кривые усилители.

Вы об этом сами сказали, я только подтвердил.

Почти такая же защита используется, к примеру, в усилителях Yamaha, в которых запаса по мощности у транзисторов ВК нет. Линия порога срабатывания защиты, при средних значенияx напряжения на транзисторе выходит за границы ОБР. Поэтому в инструкции по эксплуатации написано, что при подключении более низкоомных АС возможен выход усилителя из строя.

Нормальных усилителей, сгорающих от перегрузки по току или КЗ не бывает. Возьмите любой ПРО усилитель и попробуйте его сжечь.

когда речь шла про стандартную нагрузку в 6-8 Ом и номинальную выходную мощность УМЗЧ 100-150 Вт, которая и соответствует паре 2SA1943/2SC5200 в приемлемом диапазоне температур корпуса транзистора. Скажите, откуда там возьмётся ток в 15 А при работе на нормальную АС?

Вы по диагонали штоль читаете?

hFE – IC у него загибается уже при 3-х амперах, а транзистор на нагрузку 6 Ом работает при токах 15, не покидая ОБР.
Если конечно 5200 использовать для усилителя 100Вт, то ситуация с линейностью улучшится, но и запас по ОБР будет огромным.

Расшифровываю.
1) Вы хотите использовать возможности транзистора полностью, для этого и построили защиту, которая позволяет использовать транзисторы в минимальном количестве, без запаса на надёжность.
2) Потом пишите.

Сравниваете hFE в максимальной точке и минимальной, где ток в 15А!!!

когда речь шла про стандартную нагрузку в 6-8 Ом и номинальную выходную мощность УМЗЧ 100-150 Вт, которая и соответствует паре 2SA1943/2SC5200 в приемлемом диапазоне температур корпуса транзистора. Скажите, откуда там возьмётся ток в 15 А при работе на нормальную АС?

То есть, вы предлагаете использовать работать 2SA1943/2SC5200 с двойным запасом по ОБР.
Вопрос:
Если использовать транзистор с двойным запасом по ОБР, для чего же такая мудрёная защита?

Где огромный запас по ОБР для этого транзистора? Покажите это при температуре корпуса транзистора ВК, скажем, в 85 градусов?

28 пост, там всё глубоко в ОБР, при какой температуре будет выход из-зоны, не прикидывал, но выше 25 градусов. Допустим даже где-то есть неточность в вашу пользу, но полюбому ситуация остаётся такая же.

Нетрадиционную разработку совершенно безосновательно раскритиковали за дороговизну и сложность,

Да ни за это, за ненужность.

Вы осознали, что даже у IRF540N DC SOA имеет горизонтальный участок ограничения по максимально допустимому току стока или нет?

Павел, я где-то вам говорил о не существовании ограничения? опять вы по горизонтали читаете.

Offтопик:

создаётся такое впечатление, что у Вас интерес только к классу Д

До класса D (на сколько ума хватило) я прошёл все классы и вероятно все защиты, ваша идея не нова ни только для меня, на форумах уже попадалось подобное.
В 25 лет я занимался производством УМ в МП "Элма", потом "MIER". 10 лет я только и делал, что разрабатывал линейные УМ, но потом они стали не актуальны, поэтому и перешёл на класс D.
Если вы заметили, последние 15 лет разрабатывается только класс D.

Offтопик:
Создаётся впечатление, что вы всех оппонентов считаете дураками или безграмотными.
Вы молоды и горячи, мы все были такими, я искренне за вас рад и желаю вам удачи!
Только не забывайте, впереди ещё годы, которые в корне изменят многие ваши понятия, но это можно осознать только прожив их.

[Mepavel]

которая позволяет использовать транзисторы в минимальном количестве, без запаса на надёжность.

korolkov24, транзистор может работать в предельно допустимых условиях в непрерывном режиме (какой никогда не реализуется в звуке) сотни тысяч часов без существенного ухудшения (изменения) своих характеристик. Поэтому надёжности хватает, что усилитель проработал десятки лет при непрерывном воспроизведении звука (по крайней мере это касается транзисторов ВК и других ПП элементов).

Нормальных усилителей, сгорающих от перегрузки по току или КЗ не бывает. Возьмите любой ПРО усилитель и попробуйте его сжечь.

Так я и писал, то бюджетные усилители хоть той же Yamaha превосходно справляются с КЗ, но не справляются с нагрузкой, создающей области токов и напряжений, выходящих за границу ОБР транзисторов.

---------- Добавлено в 10:26 ---------- Предыдущее сообщение в 10:16 ----------

То есть, вы предлагаете использовать работать 2SA1943/2SC5200 с двойным запасом по ОБР.

Так это мне уже нравится. Хоть ближе к теме двигаемся. Прекрасно, примерно двойной запас по мощности (и, кстати, по току), реализуется при температуре корпуса 25-30 градусов. В реальных усилителях (без водяного и воздушного охлаждения, и тем более при использовании номаконовских теплопроводящих изоляционных прокладок), температура корпуса улетает далеко за 90-100 С (и это в самом благоприятном случае). Вопрос к Вам, как квалифицированному разработчику УМЗЧ, какая будет максимально допустимая рассеиваемая мощность транзистора 2SC5200 при температуре корпуса, к примеру, 90 град.? Какой будет при этом запас по ОБР (если он вообще будет)?

Нетрадиционную разработку совершенно безосновательно раскритиковали за дороговизну и сложность,

Да ни за это, за ненужность.

Чтобы был предметный разговор покажите порог Вашей защиты на плоскости UI.

[korolkov24]

Так я и писал, то бюджетные усилители хоть той же Yamaha превосходно справляются с КЗ, но не справляются с нагрузкой, создающей области токов и напряжений, выходящих за границу ОБР транзисторов.

Так это же не нормально, и для бытового тоже. У большинства бытовых, по крайне мере у тех, что мне попадались, нормальная защита по ОБР с учётом реактивной и.т.д. составляющих.

[Mepavel]

У большинства бытовых, по крайне мере у тех, что мне попадались, нормальная защита по ОБР с учётом реактивной и.т.д. составляющих.

Хорошо, докажите это, чтобы были основания так полагать.

Offтопик:
Вот мне интересно, Вы читали книгу Д. Селфа?

[korolkov24]

Offтопик:

Хорошо, докажите это, чтобы были основания так полагать.

Позже, на работу убегаю.
Но это доказательство тоже не имеет смысла, если не нравится защита в бытовых УМ, возьмите защиту от ПРО.

[Mepavel]

Но это доказательство тоже не имеет смысла.

Тогда не имеют смысла все Ваши заявления про фантастические возможности традиционных схем защит.

если не нравится защита в бытовых УМ, возьмите защиту от ПРО.

Что есть ПРО? Концертный усилитель? Ну и чем там защита принципиально отличается от бытовых УМ?

[Vovk]

транзистор может работать в предельно допустимых условиях в непрерывном режиме (какой никогда не реализуется в звуке) сотни тысяч часов без существенного ухудшения (изменения) своих характеристик.

И с кристаллом ничего не случится (без циклов охлаждение-нагрев)?

[korolkov24]

Что есть ПРО? Концертный усилитель? Ну и чем там защита принципиально отличается от бытовых УМ?

Особо ни чем, просто ПРО сжечь перегрузками всякими точно невозможно, там это главный аргумент, про китайские дешёвки говорить не будем.

Тогда не имеют смысла все Ваши заявления про фантастические возможности традиционных схем защит.

Ничего фантастического, всё обычно.

[Mepavel]

И с кристаллом ничего не случится (без циклов охлаждение-нагрев)?

С кристаллом (и не только с ним) разумеется произойдут несущественные изменения, описываемые уравнением Аррениуса. Потому граница ОБР выбрана таким образом, чтобы при непрерывной работе в таких условиях прибор обеспечивал заданную наработку на отказ (обратная величина интенсивность отказов). Кстати отказом может считаться уход параметров прибора за пределы даташитных значений. Реально прибор может отработать значительное время существенно выходя за границы ОБР (что обычно и происходит, когда безграмотный радиолюбитель не заботится о правильном охлаждении радиоэлектронных приборов и элементов), поэтому срок службы может существенно сократиться.

Ничего фантастического, всё обычно.

Ох... честно ну уже не хочется язвить, но а как же "скольжение по ОБР"? Не иначе как фантастика для любой традиционной схемы защиты.

Offтопик:
korolkov24, если бы всё так было просто.