Усилители на полевиках

[Banker]

Да где ж, "гуру", мне несчастному "почитать"? Я уж читал, читал. И тут читал:
Advanced Power
ARF448
http://www.microsemi.com/catalog/par...PARTNO=ARF448B
и тут:
FreeScale - Motorola
MRF158
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=MRF158
и тут:
Renesas
2SK2595
http://www.alldatasheet.net/datashee...S/2SK2595.html
и тут:
Philips
BLF147
http://www.alldatasheet.net/datashee...PS/BLF147.html
и везде ёмкости ПАДАЮТ от напряжений.
Хде ж мне правды поднабраться?

[SashaNetrusov]

По линейности мосфеты не лучше биполяров выглядят, но по площади усиления гораздо сильнее. За счет ООС можно большого выигрыша добиться......

[Alex Nikitin]

Я имею в виду, что напряжение на затворе соответствует области насыщения, т.е. когда сопротивление СИ уже не падает, если подать напряжение на сток.

Не так, резкое изменение ёмкости соответствует просто появлению проводимости в канале. Я замерил и сопротивление канала, получилось, что в начале "скачка" ёмкости оно примерно десятки килоом, 100 пФ на входе соответствуют примерно 1К, и на плоской части графика сопротивление продолжает падать от 400 до 40 Ом.

Кстати, я в первом вложении ошибся в 2 раза со значениями напряжения, неправильно пересчитал в спешке - сейчас исправил.

Добавлено через 14 минут

На интересный вопрос, почему такое видно и при нулевом напряжении на стоке

Эффект не совсем тот - всё гораздо проще. В полевике с индуцированным каналом область канала при напряжении на затворе ниже напряжения отсечки вообще не проводит, и, соответственно, не участвует в создании входной ёмкости. При превышении порога канал начитает проводить и его ёмкость добавляется к уже имевшейся.

Алексей

P.S. - а Банкир явно не те книжки читал .

[pokos]

В полевике с индуцированным каналом область канала при напряжении на затворе ниже напряжения отсечки вообще не проводит, и, соответственно, не участвует в создании входной ёмкости.

Всё это оч. хорошо, только при отсутствии внутреннего поля в полупроводнике картина была совсем другая.

[Alex Nikitin]

Всё это оч. хорошо, только при отсутствии внутреннего поля в полупроводнике картина была совсем другая.

При чём тут отсутствие внутреннего поля?! Поле присутствует между затвором и подложкой (которая в данном случае соединена с истоком), а канал ведёт себя, как управляемый резистор.

Алексей

[pokos]

При чём тут отсутствие внутреннего поля?!

При разнице в картинах изменения ёмкости.

[Alex Nikitin]

При разнице в картинах изменения ёмкости.

"Картины изменения ёмкости", показываемые в описаниях, практически всегда сняты при нулевом напряжении ЗИ, то есть при отсутствии канала, как такового.

Алексей

[pokos]

"Картины изменения ёмкости", показываемые в описаниях, ....

Так мы описания обсуждаем? А я-то #195.

[Костя Мусатов]

Не так, резкое изменение ёмкости соответствует просто появлению проводимости в канале. Я замерил и сопротивление канала, получилось, что в начале "скачка" ёмкости оно примерно десятки килоом, 100 пФ на входе соответствуют примерно 1К, и на плоской части графика сопротивление продолжает падать от 400 до 40 Ом.

А возможно снять тот же график при наличии нпряжения на стоке выше напряжения на затворе? Или это будет сложно, поскольку большое чило измерений можно сделать только в импульсном режиме. Но хотя бы ту часть измерений, когда не превышается допустимая мощность рассеяния.

[Alex Nikitin]

Так мы описания обсуждаем? А я-то #195.

Тогда я просто не понял, к чему был #213 . Картина изменения ёмкости, приведённая мной, имеет своей причиной именно появление проводимости канала, а совсем не эффекты, описанные Вами в #206, именно потому, что напряжения СИ отсутствует, и нечему изменять геометрию канала. Вот когда это напряжение приложено, а тем более, когда через канал идёт ток, то к этому эффекту добавятся другие.

Добавлено через 5 минут

А возможно снять тот же график при наличии нпряжения на стоке выше напряжения на затворе?

Могу попробовать, но картина будет (как правильно заметил pokos) другая, и, похоже, ещё более интересная . Кстати, большая часть изменения ёмкости вроде приходится на область сравнительно малых токов, так что это не проблема, но надо будет несколько переделать мой макет.

Алексей

[pokos]

...именно потому, что напряжения СИ отсутствует, и нечему изменять геометрию канала.

Вот именно это я и объяснил. Почему и без напряжения картинка имеет такой вид.
Полезно помнить географию образования области с инверсной проводимостью. Если бы канал образовывался сразу везде, и добавочная ёмкость определялась бы только его проводимостью, не было бы перехода на константу.

[Alex Nikitin]

Если бы канал образовывался сразу везде, и добавочная ёмкость определялась бы только его проводимостью, не было бы перехода на константу.

Это почему? Максимальная ёмкость в этом случае определяется просто геометрией затвора и его диэлектриком, не так ли, для MOSFET-а?

Алексей

[Black_Panther]

Использование полевых транзисторов везде, где можно и нельзя - не должно быть самоцелью. Это годится разве что для коммерческого хода: "Зырь, пацаны: у меня усь весь на полевиках, аццко круто, покупайте быстро!".
Полевики на входе очень любят шуметь, прочем, в теме про это уже писали.
Примерно год назад я тоже хотел усилитель весь на полевиках. Ну собрал, ну послушал.Бывало и лучше.


По первому посту темы:если хотите хорошй стоваттный усилитель с полевиками - вот вам схема:
https://forum.vegalab.ru/attachment....9&d=1126159081
Пару лет назад всем форумом ее разбирали, потом ветка куда-то делась.
Учтя советы опытных форумчан и потратив два года на разбирание ее по косточкам, подбирал транзисторы, пробовал разные источники тока для ДК,разные транзисторы в ДК и предоконечном каскаде, варьировал количество пар выходников, слушал, измерял, в итоге выяснились нюансы и недостатки схемы, вылезли особенности и тонкости, если интересно - я могу написать ряд действий, чтобы ЭТО достойно заиграло. Нет, Марк Левинсон не повесится от стыда и Крелл в запой не уйдет, но получить отличный усилитель для ДОМА можно. В паре с высококлассной акустикой ( не обязательно дорогущей) это просто монстр. Ни капли не жалею потраченное время и деньги на его доводку.Но у него есть некоторые условия, несоблюдая которые лучше не начинать делать совсем.

Кстати, самая большая ошибка многих собирателей схем - непонятная любовь к полевикам от IR.Причем, безответная. Как думаете, почему Шушурин ( это который Амфитоны разрабатывал) так не любит IR? Практика показала, что Шушурин прав. Почему Нельсон Пасс юзает IR - мне тоже непонятно.

[pokos]

Максимальная ёмкость в этом случае определяется просто геометрией затвора и его диэлектриком, не так ли, для MOSFET-а?

К максимуму загибалась бы кривая, а не почти ровная линия.

[Alex Nikitin]

К максимуму загибалась бы кривая, а не почти ровная линия.

Не совсем понял, мне кажется, что она достаточно кривая . Кроме этого, надо представлять себе. что форма этой кривой будет по понятным причинам зависеть от способа измерения ёмкости, поэтому делать выводы на основании тонкостей её формы, пожалуй, несколько некорректно.

Алексей

[pokos]

Кроме этого, надо представлять себе. что форма этой кривой будет по понятным причинам зависеть от способа измерения ёмкости,

Ну, я надеялся, что это всё-же значение ёмкости, а не ёмкости с проводимостью, скажем.
Кстати, присоединяюсь к просьбе промерить то же самое с напругой на стоке несколько меньше, чем пороговая напруга и раза в два больше, чем пороговая.
Это есть весьма интересно.

[Alex Nikitin]

Ну, я надеялся, что это всё-же значение ёмкости, а не ёмкости с проводимостью, скажем.

Я же всё-таки не диссертационную работу делал, а просто пытался проиллюстрировать эффект, описанный, кстати, в хороших книжках . Для более аккуратных данных надо бы хороший измеритель импеданса, которого у меня под рукой нет. Измеритель ёмкости, который я использовал, в целом неплохо работает и учитывает фазу, то есть измеряет ёмкостную компоненту проводимости, но, как легко понять, ситуация здесь примерно эквивалентна подключению второй ёмкости в параллель первой через переменный резистор, роль которого выполняет сопротивление канала, так что характер изменения величины будет (вместе с фазой) зависеть, как минимум, от частоты, хотя начальное и конечное значения зависеть будут мало.

Алексей

[pokos]

Я же всё-таки не диссертационную работу делал,

Дык, мы и не просим разложить с погрешностями как учили. Просто эффект интересный, а картинки наглядные.

Измеритель ёмкости, который я использовал, в целом неплохо работает и учитывает фазу,

Это есть хорошо и правильно. Частотные зависимости здесь и не нужны, достаточно одной частоты.

...ситуация здесь примерно эквивалентна подключению второй ёмкости в параллель первой через переменный резистор,...

Фактически подключается не одна ёмкость, а две. Начало закругления на константу соответствует их слиянию в одну ёмкость.

Если вам не очень в напряг, просим ещё картинок.

[Alex Nikitin]

Если вам не очень в напряг, просим ещё картинок.

Думаю, теперь уже после праздников, на работу выхожу во вторник, тогда и попытаюсь найти полчасика ещё помучать этот транзистор .

Алексей

[Alex Nikitin]

просим ещё картинок.

Вот успел промерять при 5В на стоке - приведены графики зависимости ёмкости и тока стока от напряжения ЗИ .

Алексей