Какие могут быть аргументы за и против применения в качестве выходных транзисторов КТ912Б ?
А нужно ли вапще в этот усилок подбирать транзисторы?
А то они какбы мультяхой не прозваниваются..
Желательно подобрать. КТ908А можно "прозвонить" обычным китайским мультиметром при маленьком (стандартном для мультиметра) токе; при бОльшем рабочем токе равенство пар транзисторов по коэффициенту усиления, как правило, сохраняется.
Импортные транзисторы при маленьком токе могут и не "звониться", для проверки придется собрать насложную схемку из нескольких резисторов и источника питания. Ток проверки для каждого транзистора следует задавать исходя из 1/2 тока потребления схемы... Но в принципе, у импортных транзисторов, если они из одной партии и серии выпуска, разброс параметров не велик, вполне можно обойтись без подбора, чего не скажешь о КТ908А. Мне, например, чтобы отобрать 2 пары, пришлось провести "кастинг" среди 25 штук...
КТ908А изготовлены по меза-планарной технологии, КТ912Б - по эпитаксиально-планарной. Есть у кого-нибудь идеи, какая технология (в условиях советского производства) обеспечивала лучшее качество мощных высокочастотных транзисторов? У КТ912Б все выводы изолированы от корпуса, получается более простой конструктив, можно применить навесной монтаж.
Добавлено через 3 часа 23 минуты
Есть у кого-нибудь критика в адрес КТ912Б, please ? Не может быть что никто из форумчан их не использовал.
Последний раз редактировалось PMCF; 26.11.2009 в 15:32. Причина: Добавлено сообщение
Добавлено через 2 минуты
Для высокочастотности эпитаксиально -планарная технология лучше, она позволяет более прогнозируемо управлять размерами, структурой и легированием областей Э-Б-К за счёт эпитаксиального слоя. Меза-технология проще (!), она добавляет высокочастотности только за счёт вытравливания боковых областей транзистора (уменьшая ёмкости, утечки, и медленные состояния приповерхностных областей. А для музыкальности простота может оказаться лучше высокочастотности.
Последний раз редактировалось shura1959; 26.11.2009 в 23:40. Причина: Добавлено сообщение
«Не торопитесь соглашаться или опровергать. Не так уж важно, что утверждает или отрицает автор. Важно то, что он направляет Ваше внимание по определенному руслу». Павел Сергеевич Таранов.
В оригинальной статье Дж.Л.Худа приведена таблица зависимости КНИ от Ку выходных транзисторов:
http://www.tcaas.btinternet.co.uk/jlh1969.pdf
Последний раз редактировалось S.K.; 28.11.2009 в 17:42.
Для транзисторов наверное можно обосновать их положительные \ отрицательные свойства зависимостями их параметров от напряжений, токов и частоты, температуры, т.е. измеряемыми параметрами. Высокочастотность ведь видится как малость паразитных емкостей и легкость раскачки на высоких частотах. Говоря что простота лучше для музыкальности мы начинаем говорить о неком факторе Х в свойствах транзисторов. Это в схеме усилителя можно говорить о преимуществе простоты, которая позволяет снижать паразитные эффекты диэлектриков и электромагнитные взаимодействия токовых контуров.
«Не торопитесь соглашаться или опровергать. Не так уж важно, что утверждает или отрицает автор. Важно то, что он направляет Ваше внимание по определенному руслу». Павел Сергеевич Таранов.
Социальные закладки