Защита АС на микроконтроллере

[viakon]

Возникла идея сделать защиту на простеньком микроконтроллере. Схема прилагается.
Задачи устройства
Контроль напряжений питания
Контроль постоянки на выходе
Задержка включения АС при подаче питания

на ресет можно еще термореле посадить, будет контроль перегрева

[Mepavel]

Offтопик:

korolkov24,
Рисунок, как из datasheet TOSHIBA 2SC5200 (2SA1943).

Важно отметить и то, что ОБР биполярного и полевого транзистора различны. Если перемножить допустимый ток и напряжение, то для полевого транзистора в любой точке графика, будет допустима максимальная мощность, а для биполярного, чем выше напряжение на переходе, тем меньше и допустимая мощность на кристалле.

Интересно… из Ваших слов получается, что для полевого транзистора допустимый ток бесконечно большой (при малых напряжениях)?
P.S. Как это физически объяснить?

[Mepavel]

P.P.S. Тут разработал схемку…
D1,D3 – диоды Шоттки.
Цепочка D1,D3, C1, R7 нужна для повышения чувствительности (компенсация потенциального барьера эмиттерного перехода транзистора)
Резисторы R3,R4,R6 подбираются, для достижения нужной зависимости тока срабатывания от выходного напряжения.

[korolkov24]

Offтопик:

korolkov24,

Интересно… из Ваших слов получается, что для полевого транзистора допустимый ток бесконечно большой (при малых напряжениях)?
P.S. Как это физически объяснить?

Да, но этого не может быть, так как ток будет ограничен сопротивлением канала.
На графике ОБР полевого транзистора красным цветом.

Рисунок, как из datasheet TOSHIBA 2SC5200 (2SA1943).

Он и есть

[Mepavel]

для полевого транзистора в любой точке графика, будет допустима максимальная мощность

Это же выполняется и на первом падающем участке для биполярного.
P.S. Почему Вы считаете, что в этом полевой транзистор принципиально отличается от биполярного???

[korolkov24]

P.S. Почему Вы считаете, что в этом полевой транзистор принципиально отличается от биполярного???

Не могу ответить на этот вопрос, не понимаю, что отвечать.
Эта разница имеет большое значение при проектировании усилителя. Если взять транзистор полевой и биполярный с одинаковыми допустимыми током и мощностью, то полевой сможет работать при более высоком напряжении.

[Mepavel]

Если взять транзистор полевой и биполярный с одинаковыми допустимыми током и мощностью, то полевой сможет работать при более высоком напряжении.

Хорошо, если не трудно, найдите такую пару транзисторов.

[korolkov24]

Хорошо, если не трудно, найдите такую пару транзисторов.

Зачем?

[Djemshut]

Зачем?

Offтопик:
+++++500! я бы сначала полез рыться по даташитам а потом, наверное, задал бы себе этот вопрос.

[Mepavel]

я бы сначала полез рыться по даташитам

Ok! Даташит на IRC644. Его параметры близки к 2SC5200. (14А, 250V, 125W)
Действительно в интервале 10-250В наблюдается постоянство предельной мощности рассеивания.
P.S. Вообще мне было бы интересно узнать физическое объяснение уменьшения предельной мощности с повышением напряжения КБ для биполярного транзистора.

[Mepavel]

Нашел! В советской книжке 1973 года.
Сие явление объясняется вторичным пробоем.

«Вторичный пробой непосредственно связан с перераспределением тока в транзисторной структуре и потерей термической устойчивости

***

Анализ большого количества транзисторов, вышедших из строя в результате вторичного пробоя, показал, что он возникает из-за концентрации («шнурования») тока в пределах малых областей активной площади прибора. Проблема равномерного токораспределения по структуре и отвода выделяющегося тепла в мощных ВЧ планарных транзисторах в связи с этим приобретает исключительно важное значение…»

[Djemshut]

Mepavel, ага, похожая хрень и в чернобыльском реакторе произошла- началось с точек локального перегрева и...

[Mepavel]

По теме, упрощенно (без диодов) рассчитал зависимость тока срабатывания (I) от сопротивления нагрузки (Rn).

I(Rn) = Uэб / [(Rn+Re) / (R1+R2) - Rn]

График зависимости приведен для номиналов сопротивлений указанных на схеме.
Считалось, что Uэб=0.6В – напряжение открывания транзистора VT2.
P.S. Из графика видно, что ток срабатывания при КЗ (т.е. Rn=0) равен 2А, при сопротивлении нагрузки Rn=4 Ом — 9А.

[korolkov24]

По теме, упрощенно (без диодов) рассчитал зависимость тока срабатывания (I) от сопротивления нагрузки (Rn).

I(Rn) = Uэб / [(Rn+Re) / (R1+R2) - Rn]

График зависимости приведен для номиналов сопротивлений указанных на схеме.
Считалось, что Uэб=0.6В – напряжение открывания транзистора VT2.
P.S. Из графика видно, что ток срабатывания при КЗ (т.е. Rn=0) равен 2А, при сопротивлении нагрузки Rn=4 Ом — 9А.

[Andre_ussr]

нафиг микро контроллер ..... тем более уже усе придумано ... от дискрета и 155 до коннтроллеров .... а ну да .... нужно еще защиту от кривых рук приделать .... при смещении кривизны рук более 90 градусов .... повер офф нах ))))

Добавлено через 4 минуты
Мля .... я еще тут и почитал .... у sia 2 ..... хоть огород нагорожен в сверх мега усе (не в обиду просто я так думаю .... многовато будет)))) ..... но тут прям хуиен даконца .....))))))))
Извините за нецензуру но нелюблю .... на бред смотреть

Добавлено через 6 минут
график кривизны рук нарисую

Добавлено через 7 минут

Я использую такой контроллер как универсальную плату и для транзисторных и для ламповых усилителей. В зависимости от коммутации и впаяных деталей, она может следить за 4-мя аналоговыми сигналами, как однополярными, так и двуполярными, управлять двумя реле 5 или 12 В, управлять мотором регулятора громкости, принимать команды ИК, получать команды от кнопок и индицировать состояние светодиодами. Остается только подправлять программу под задачу. Программа писана на С и быстро изменяется по необходимости.

вот ИК прилеплено эт да ... нужный девайс а остальное ток напряжение выход уся .... ну софт старт (и то не всегда надо) а что еще надо ? ....
транюки или 155 ... 176 легко ..... вот за ИК и другое действительно полезное заслужываете уважение.... а огарод гародить кому это надо?

[Mepavel]

нафиг микро контроллер ...

Автор темы считает, что это удешевит и упростит схему...
P.S. На вкус для разных типов «паяльщиков»… : Кто-то любит «цифру», кто-то «аналог»…
P.P.S. По мне проще разработать схему на одних только транзисторах… Правда, понадобятся еще и электролиты, которые, как мы знаем, не очень долговечны…

Offтопик:

график кривизны рук нарисую

Ждем!

[Костя Мусатов]

вот ИК прилеплено эт да ... нужный девайс а остальное ток напряжение выход уся .... ну софт старт (и то не всегда надо) а что еще надо ? ....
транюки или 155 ... 176 легко ..... вот за ИК и другое действительно полезное заслужываете уважение.... а огарод гародить кому это надо?

Я не парюсь с кучей систем. Одна маленькая и простая плата выполняет все, да еще позволяет изменять алгоритмы по мере получения нового опыта.

[Mepavel]

Костя Мусатов, хорошая и нужная вещь… особенно для профессионального тестера УМЗЧ.
P.S. Интересно создать такой девайс, у которого бы не было электролитов в сигнальных цепях (вроде всяких там интеграторов и т.д.).
Чтоб на плате был один кремний. (ну можно чуть керамики… )

[korolkov24]

P.S. Интересно создать такой девайс, у которого бы не было электролитов в сигнальных цепях (вроде всяких там интеграторов и т.д.).
Чтоб на плате был один кремний. (ну можно чуть керамики… )

Можно, без проблем, и на дискрете, но зачем?

[Alex]

Чтоб на плате был один кремний. (ну можно чуть керамики…

С какой целью ?

[Mepavel]

Можно, без проблем, и на дискрете, но зачем?

Предлагаете увеличить коэффициент усиления по току, чтобы можно было использовать относительно малые (керамические) емкости (С) и большие сопротивления (R) (увеличить постоянную времени RC)?
P.S. Конкретно, какие функции Вы сможете реализовать на «дискрете»?

Цитата:
Сообщение от Mepavel Посмотреть сообщение
Чтоб на плате был один кремний. (ну можно чуть керамики…
С какой целью ?

С целью повышения надежности, увеличения срока службы.