Расширение ОБР транзисторов ВК

[kobarr]

Допустим имеется трансформатор, обмотки которого могут обеспечить только одноуровневое питание, например 2х80 вольт. И соответственно после выпрямителя 2х110.

Есть-ли способ расширения ОБР транзисторов выходного каскада в данном случае? Тепловыделение не брать во внимание.

В некоторых схемах увидел последовательное соединение маломощных транзисторов, например Крок. Возникла мысль сделать так ВК. Моё представление этого на картинке.

Offтопик:
просьба, строго не судить.

Это обеспечит расширение по ОБР?

...

[kobarr]

эээ...

[antiluser]

На практике применяют параллельное включение транзисторов, это дает не только уменьшение Pк на каждом транзисторе, но и другие преимущества. Много об этом есть в ветке о сверхлинейном С. Агеева.

[kobarr]

antiluser, всё верно, однако сдесь нескалько иное.

Поясню почему интересует именно это. Выше писал, что трансформатор не "даёт" организовать ВК с двухуровневым питанием, которое, какраз позволяет (кроме всего прочего) расширить ОБР транзисторов и уменьшить их количество.

В случае с одноуровневым питанием, для меня, терпеть количество запаралеленых транзисторов на нагрузку 2 ом, без каординального изменения схемы выходного каскада, можно только вольт до 2х70.
Для надёжной работы без выхода за ОБР при напряжении 2х110 вольт, хорошем блоке питания, на нагрузку 2 ом, "класических" транзисторов 5200/1943 потребуется 30 пар на канал! Это нереально! С двухуровневым питанием 5 пар двоек, то-есть всего 10 транзисторов в плечё.

Вот и хотел узнать, будет-ли работать тот принцеп, что нарисовал на картинке?

[sia_2]

antiluser, всё верно, однако сдесь нескалько иное.

Поясню почему интересует именно это. Выше писал, что трансформатор не "даёт" организовать ВК с двухуровневым питанием, который, какраз позволяет (кроме всего прочего) расширить ОБР транзисторов и уменьшить их количество.

В случае с одноуровневым питанием, для меня, терпеть количество запаралеленых транзисторов на нагрузку 2 ом, без каординального изменения схемы выходного каскада, можно только вольт до 2х70.
Для надёжной работы без выхода за ОБР при напряжении 2х110 вольт, хорошем блоке питания, на нагрузку 2 ом, "класических" транзисторов 5200/1943 потребуется 30 пар на канал! Это нереально! С двухуровневым питанием 5 пар двоек, то-есть всего 10 транзисторов в плечё.

Вот и хотел узнать, будет-ли работать тот принцеп, что нарисовал на картинке?

1. "Расширить ОБР" конкретного транзистора - нельзя в принципе. Ну можно улучшить охлаждение и только.
2. Нарисованная схема - неработоспособна , т.к. напряжение К-Э на "выходном" транзисторе каждого из плеч должно быть меньше 0.
3. Для улучшения использования выходных транзисторов по ОБР нужна схема с распределением падения напряжения по выходным транзисторам, или с многоуровневым питанием. Такие схемы есть, однако при этом "узкое место" часто переходит на предвыходные - их ОБР невелика. Делитель напряжения, необходимый в схеме с распределением падения напряжения, сильно нагружает предвыходные или пред-предвыходные транзисторы. Поэтому при применении этого решения приходится сильно снижать скоростные свойства усилителя.

[antiluser]

sia_2 опередил, в нижнем плече включение транзисторов вообще неверное.

[kobarr]

"Расширить ОБР" конкретного транзистора - нельзя в принципе.

Имелось ввиду создать условия при которых область безопасных режимов не выходила за рамки допустимого для конкретного транзистора.

2. Нарисованная схема - неработоспособна , т.к. напряжение К-Э на "выходном" транзисторе каждого из плеч должно быть меньше 0.

Печально. А я так надеялся.
Просто увидел как вот тут сделано и подумал будет-ли это работать в ВК.

[kobarr]

в нижнем плече включение транзисторов вообще неверное.

Ошибся, недоглядел.

Добавлено через 4 минуты
Исправил.

[kobarr]

Да, действительно, халява не прокатила!

Пробовал сейчас комутировать транзисторы через нагрузку.
На одном падение напряжения было менше пол вольта, а на другом несколько вольт. Причём с закономерностью: если взять верхнее плечё, то на нижнем транзисторе меньше падение чем на верхнем. Выравнивающие резисторы на результат не повлияли.

[sia_2]

Таки можно. ОБР биполярного транзистора зависит от схемы включения. С общим эмиттером или коллектором ОБР практисски одинаковая, именно она и приводится в даташитах. Но в схеме с общей базой ОБР сильно расширяется и становится почти прямоугольной вплоть до максимально допустимых тока коллектора и напряжения на нём. Так шта ОБР транзистора можно сильно расширить, если включить его с общей базой, тоисть если использовать на выходе т.н. каскодную схему, например ОЭ-ОБ.

Неверно.
Включение с общей базой расширяет RBSOA, а не ARSOA.
(RBSOA - ОБР при закрывании транзистора, ARSOA/FBSOA - ОБР в активном режиме при прямом смещении). Это полезно в преобразователях и ключевых усилителях, но в линейном режиме проку не дает, т.к. первопричина - шнурование тока в структуре при работе на высоких напряжениях - не может быть устранена без изменения конструкции транзистора - балластирования (деление эмиттера на огромное число маленьких островков с индивидуальными резисторами к каждой из этих областей). Чем выше рабочие напряжения, тем больше приходится делать номинал этих резисторов, теряя в минимальном напряжении при больших токах.
Ключи с коммутацией по эмиттеру были широко распространены до появления высоковольтных МОП и IGBT, сегодня применяются в высоковольтных преобразователях большой мощности.

Имелось ввиду создать условия при которых область безопасных режимов не выходила за рамки допустимого для конкретного транзистора.

Это можно. Снижение ("деление") напряжения - тут в кассу.

[Alex_Zhuravlyov]

была когда-то така схема включения выходных транзисторов, в году эдак 85-86, которая называлась "бобовый стебель", применялась как раз для того, что бы расширить ОБРи увеличить мощность, так как не было нормальных выходных транзисторов, но сейчас найти инфу не представляеццо возможным, по простому похоже на класс G, тока без нижнего питания, выходники включены последовательно, верхние качаются с выхода УСЯ, КПД схемы в районе 30-40%

[aleksandr_pot]

ОБР биполярного транзистора сужается от напряжения, по этому два последовательных транзистора, при напряжении близком к предельному, глубже в ОБР, чем два параллельных.
Схема http://www.guitar.ru/articles/make/sk-2/shema_ym.htm
Описание идеи.http://www.guitar.ru/articles/make/sk-2/

[Alex_Zhuravlyov]

Схема http://www.guitar.ru/articles/make/sk-2/shema_ym.htm
Описание идеи.http://www.guitar.ru/articles/make/sk-2/

Вот это я и имел ввиду...

[kobarr]

Значит нечто подобное существует...

Из за не знания физики мне сложно понять как камутируются транзисторы ВК в приведённой схеме. Но я тут пойгрался немного с включением транзисторов и пришол к некоему результату. Возможно, что драйвером следует камутировать один из двух этажей, другой-же постоянно держать в открытом состоянии. Именно так и удалось сравнять падение напряжения на транзисторах, оно составило 1.27V на транзистор. Возможно результат удасться улучшить, но надо это всё расчитать.
На картике верхнее плечё. Это работоспособно?

[sia_2]

Значит нечто подобное существует...

Из за не знания физики мне сложно понять как камутируются транзисторы ВК в приведённой схеме. Но я тут пойгрался немного с включением транзисторов и пришол к некоему результату. Возможно, что драйвером следует камутировать один из двух этажей, другой-же постоянно держать в открытом состоянии. Именно так и удалось сравнять падение напряжения на транзисторах, оно составило 1.27V на транзистор. Возможно результат удасться улучшить, но надо это всё расчитать.
На картике верхнее плечё. Это работоспособно?

Работоспособно, если "нижний" резистор от базы верхнего транзистора подключить к выходу схемы, и резисторы взять примерно одинаковые.. Однако приводит к расходу тока через резисторы, поэтому транзисторы туда лучше ставить Дарлингтоны (составные). Плюс потеря в быстродействии (на ВЧ емкость коллектор-база верхнего транзистора, видимая со стороны эмиттера, умножается в h21э раз, отчасти лечится шунтированием делителя RC-цепями).
А вообще дешевле поменять трансформатор - это окупится уже на электролитах (цена микрофарады в 120-150В и 63В электролитах отличается раз в 6).

[kobarr]

Работоспособно, если "нижний" резистор от базы верхнего транзистора подключить к выходу схемы,

Точно. На макете так и сделано. Опять невнимательность.

Дарлингтоны (составные)

Вот их и не хотелшось ставить. А как на счёт полевых?

на ВЧ емкость коллектор-база верхнего транзистора, видимая со стороны эмиттера, умножается в h21э раз

Так ведь транзистор постоянно открыт!

А вообще дешевле поменять трансформатор

Много возни и лишних денег. Естественно был-бы он в наличии и все проблемы разом отпадают.

[25602]

kobarr, посмотри усь Сакевича там ВК выполнен как ты хотел

[sia_2]

Вот их и не хотелшось ставить. А как на счёт полевых?

C ними все то же самое. Только потери напряжения больше и емкости выше.

Так ведь транзистор постоянно открыт!

Именно потому, что открыт. При закрытом этой проблемы (умножения емкости) нету.

Много возни и лишних денег. Естественно был-бы он в наличии и все проблемы разом отпадают.

Высоковольтные кондеры тоже денег стоят, и конкретных.

[Tetragramaton]

На практике применяют параллельное включение транзисторов, это дает не только уменьшение Pк на каждом транзисторе, но и другие преимущества. Много об этом есть в ветке о сверхлинейном С. Агеева.

почему - то мне кажется, что я тесно знаком с этим усилителем...