Это фантастика?
Alex Nikitin меня опередил!
Придется играть на добивание ..
О линейностях ВАХ-к необходимо рассуждать только в окрестности рабочей точки характеристики усилительного элемента соответствующей току покоя каскада. И тогда будет очевидно, что говорить о крутизне в 2000 мА/ В просто легкомысленно.
Конечно, для разных. Тлоько числовое значение крутизны есть штука малоизменяемая в довольно широком диапазоне рабочих точек. И уж в крайнем случае изменяется меньше, чем на порядок.
Добавлено через 6 минут
А вот тут поподробнее. Какое отношение имеет линейность ВАХ к крутизне? Крутизна - первая производная от ВАХ, она, безусловно, непостоянна, но, как ты думаешь, насколько она изменяется для, например 2SK15xx в диапазоне токов 0,1...5А? Я, например, абсолютно точно знаю, что во всем этом диапазоне S>2000. Я ВАХ этих ПТ видел не только на картинке в даташите, но и строил их для реальных приборов.
Так что гол не засчитан, офсайт.
Последний раз редактировалось Гоша; 04.12.2006 в 20:23. Причина: Добавлено сообщение
SashaNetrusov,
Это все не то.
Добавлено через 7 минут
Alex Nikitin,
Дык и я о чем? Что видим? Изменение в 3 раза. Я ж говорил - меньше, чем на порядок (10 раз). А уж если рассматривать малые изменения тока стока около рабочей точки, так и совсем можно пренебречь.
А даже и в 10 раз - все равно, крутизна MOSFETа больше, чем у лампы раз в 100 как минимум..
Последний раз редактировалось Гоша; 04.12.2006 в 21:05. Причина: Добавлено сообщение
В случае с УН ситуация получается забавная.
В УН ток стока будет стабилен (высокое сопротивление нагрузки по переменному току), а изменяться будет сопротивление сток-исток, а эффективность усилительного элемента будет определяться отношением приращения выходного сопротивления к приращению входного напряжения. И ситуация получается как с корректором Алексея Никитина, где обычный биполярный транзистор в схеме ОЭ будет иметь входное сопротивление 0.6-2 кОм, а с застабилизированным током коллектора и местной ООС уже 47 кОм.
Таким образом, при прочих равных условиях выигрыш будет иметь элемент с максимальной крутизной и линейностью упомянутой характеристики, но пренебрегать паразитными проводимостями нельзя.
И таки я не понимаю, что это такое -
Зачем умножать сущности без нужды?
К тому-же рассматривать каскад с генератором тока в цепи стока (коллектора) без учета сопротивления нагрузки некорректно.
Вообще-то я высказывался насчет частотных свойств ламп/ПТ, и как то незаметно съехали на зависимости крутизны от токов.
В качестве штриха к частотным свойствам мосфетов напомню, чтобы обеспечить работу его в ключевом режиме на частоте 20 кГц, он потребляет на фронтах импульса ток от драйвера 1-2А. На фоне таких токов говорить о статической крутизне мосфета как-то неуместно.
Действительно, статическая крутизна мосфета выше, чем у лампы, но в отличие от лампы не может браться за основу при анализе поведения схемы на частотах более 20 кГц.
Необходимо учитывать и значительную зависимость ВАХ мосфета при малых токах покоя от температуры.
Вот ты вроде слушаешь, а как-бы и не слышишь.
И кто здесь про ключевой режим говорил? Кроме тебя? Я же говорил о малых изменениях тока стока. Какие амперы? Сколько драйвер отдаст - за то и спасибо.
А большие емкости ПТ с лихвой компенсируются высокими проводимостями канала.
Знамо дело
Вот только операционник...
.....на затвор таких операционников не надо. Предлагалась схема с общим истоком и ОС со стока на затвор.....
А не надо расслабляться!
Я надеюсь, Вы не предлагаете компенсировать паразитные емкости индуктивностями?
Да и десятки мА тоже где-то надо взять, может с линейного входа?
Они не компенсируются высокими проводимостями канала, а являются причиной невозможности получить с каскада максимальное усиление по напряжению в широкой полосе частот, что приводит к росту числа каскадов усиления напряжения.
При необходимости получить крутой фронт нарастания выходного напряжения необходимо быстро заряжать паразитные емкости, а значит не стоит забывать о емкостях при необходимости достоверной передачи импульсных сигналов.
Несмотря на явные проблемы с мосфетами, тем не менее, мы не будем их сбрасывать со счетов. При правильном использовании они могут быть очень полезны.
Ну, а сейчас приведем полупроводниковый аналог лампы (тетрода- триода) см. приложение.
На лицо все преимущества лампы.
Затвор – сетка, катод – сток, анод – коллектор верхнего транзистора.
Верхний тр-тор высоковольтный.
Анодное напряжение от 10 Вольт.
Вариацией элементов получаем требуемые ВАХ каскада и мощности.
Возможны полностью комплементарные пары ламп.
Используя маломощные высокочастотные мосфеты получаем лампу с положительным прямым смещением на сетке.
Ну вот, опять мне открывают глаза . А себе слабо?
Мы о чем здесь трем? О МОСФЕТе в ключевом режиме? Для этого ветка есть специальная в Источниках питания. При работе в линейных режимах ничего там так страшно не перезаряжается. Хуже с выходной емкостью, но про это я уже писАл.
А насчет схемы - я не понял, ты хочешь транзисторы вместо ламп присобачить? Или лампы вместо транзисторов?
Точно! Давно пора - кто первый?
Только ещё надо, чтобы у этого транзистора было всё в порядке с тепловыми искажениями. Что-нибудь в таком ключе:
http://peufeu.free.fr/audio/memory/
Именно с этим в предлагаемой схеме полный ажур.
Полевик, определяющий ВАХ каскада работает в разгруженном тепловом режиме (практически с постоянной мощностью). А биполярусы, несущие на себе основную нагрузку по тепловой модуляции, охвачены глубокой ООС по току, в результате тепловая модуляция их характеристик не будет иметь существенного значения.
Социальные закладки