Подскажите схему на полевиках.

[Flanger]

Хочу для своих АСок собрать УМ по уму, двойное моно и т.д. Но не это самое главное.
Требования - хочу целиком на полевиках. Нагрузка 16Ом, может даже с возожностью работать на 8Ом. Мощности номинальной достаточно 30Вт (для 8Ом соответственно вдвое больше). Умеренная сложность схемы.
Так понимаю БП нужен со стабилизированным питанием?
Заранее спасибо за предложенные схемы и ваши комментарии

[Logger]

Ещё не забудьте учитывать, что в большинстве узлов нормальных схем ток базы вообще практически не учитывается.

А как быть, например, с биполярникам работающими на выходе в классе А, с болшими токами покоя, тоже пренебречь токами базы?

[Painmailer]

Это что же тогда, если производители биполярных транзисторов достигнут таки совершенства и избавятся от этого "паразитного" параметра у них получится... полевик (соответственно не по технологии изготовления, а по электрическим параметрам)?

Как на счёт КТ3102 у которых бета подбирается к 1000? И это не составной транзистор.

[ADDED=Painmailer]1133856615[/ADDED]

А как быть, например, с биполярникам работающими на выходе в классе А, с болшими токами покоя, тоже пренебречь токами базы?

Хороший пример - на больших токах коллектора наблюдается абсолютное отсутсвие линейной зависимости токов эммитера от токов базы. Кроме того, придётся бороться с большими входными емкостями вашего каскада - а это большой ток покоя предварительного (в несколько раз больше тока базы уж точно). Да и бета предварительного будет под сотню. Можно, конечно вводить какие-то поправки, но, учитывая разброс параметров реальных транзисторов, можно и не вводить.

[ADDED=Painmailer]1133856708[/ADDED]
А самое главное, что я говорил о физике, а если разработчик хочет создать хорошое изделие на базе каких-то приборов, он должен понимать как эти приборы работают.

[Гоша]

Теперь, для вашей модели введите зависимость напряжения база-еммитер от тока базы и напряжения коллектор-эммитер

А кого интересует напряжение коллектор-эмиттер? Ну, за исключением случая лавинного пробоя .
Зря вы усердствуете, вместо того, чтобы открыть учебник. В учебнике, безусловно, есть формула, по которой можно рассчитать падение напряжения на прямосмещенном pn переходе, коим и является переход база-эмиттер (в случае усилителя, конечно). Однако-же ни в одном учебнике я не встречал обьяснения работы БТ через напряжения. Слишком громозко получается, да и необходимости нету.

если производители биполярных транзисторов достигнут таки совершенства и избавятся от этого "паразитного"

Никогда этого не будет. Ибо принцип работы БТ основан именно на нелинейности pn перехода. А если не будет нелинейности, то получится совсем другой полупроводниковый прибор. Только не БТ.

[ADDED=Гоша]1133857239[/ADDED]

Как на счёт КТ3102 у которых бета подбирается к 1000?

Не вижу связи. Точно такой-же нелинейный элемент, как и КТ315. База потоньше, а в остальном - то-же самое.

[Logger]

Как на счёт КТ3102 у которых бета подбирается к 1000? И это не составной транзистор.

[ADDED=Painmailer]1133856615[/ADDED]


Хороший пример - на больших токах коллектора наблюдается абсолютное отсутсвие линейной зависимости токов эммитера от токов базы. Кроме того, придётся бороться с большими входными емкостями вашего каскада - а это большой ток покоя предварительного (в несколько раз больше тока базы уж точно). Да и бета предварительного будет под сотню. Можно, конечно вводить какие-то поправки, но, учитывая разброс параметров реальных транзисторов, можно и не вводить.

[ADDED=Painmailer]1133856708[/ADDED]
А самое главное, что я говорил о физике, а если разработчик хочет создать хорошое изделие на базе каких-то приборов, он должен понимать как эти приборы работают.

КТ3102 хороший транзистор, правда маломощный, да и с 1000 придется поискать экземпляр... Для входа подойдет, хотя вы вроде сами писли что на вход лучше полевики ставить?

Для выходного каскада стараются брать транзисторы у которых есть протяженный линейный участок зависимости беты от тока слева и справа от рабочей точки, поэтому при рабочих токах сохраняется линейная зависимость токов эммитера от тока базы. И поэтому "паразитный" параметр становится одним из основных и пренеберечь им не получится и ток предвыходного каскада придется повышать именно из-за него, а не только из-за большой входной емкости биполярника.

[Л. Зуев]

Зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер определяется точным соотношением: Iк=Iко*exp(Uбэ/Uт), где Iко - обратный ток коллектора, зависящий от напряжения коллектор-эмиттер и температуры; Uт - термический потенциал (примерно 26мВ при комнатной температуре). Это свойство биполярного транзистора используется в логарифмических и антилогарифмических преобразователях.
Четкой зависимости тока коллектора от тока базы нет.

[Logger]

Никогда этого не будет. Ибо принцип работы БТ основан именно на нелинейности pn перехода. А если не будет нелинейности, то получится совсем другой полупроводниковый прибор. Только не БТ.

Я просто хотел показать что "паразитность" тока базы это правакационное и еретическое утверждение
и слава богу что не будет, пусть остается биполяр управляемый током, и полевик управляемый напряжением...

[Logger]

А самое главное, что я говорил о физике, а если разработчик хочет создать хорошое изделие на базе каких-то приборов, он должен понимать как эти приборы работают.

Поэтому и родилась эта дискуссия... как выяснилось не у всех одинаковые взгляды на канонические представления о работе биполярных транзисторов

[Painmailer]

Для входа подойдет, хотя вы вроде сами писли что на вход лучше полевики ставить?

В симметричную схему можно без проблем ставить и биполярники.

Для выходного каскада стараются брать транзисторы у которых есть протяженный линейный участок зависимости беты от тока слева и справа от рабочей точки, поэтому при рабочих токах сохраняется линейная зависимость токов эммитера от тока базы.

Не сохраняется, а как бы сохраняется. Не забывайте, что рабочая зона тока выходных транзисторов каскада в классе А находится в пределах от 0 до 2-х токов покоя.

И вообще данный разговор вырождается в спор ради спора. Так что я завязываю. К тому же я нигде не говорил, что ток базы вообще не нужно учитывать.

[PSV]

Зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер определяется точным соотношением: Iк=Iко*exp(Uбэ/Uт), где Iко - обратный ток коллектора, зависящий от напряжения коллектор-эмиттер и температуры; Uт - термический потенциал (примерно 26мВ при комнатной температуре). Это свойство биполярного транзистора используется в логарифмических и антилогарифмических преобразователях.
Четкой зависимости тока коллектора от тока базы нет.

Правильно!Это основная формула для биполярного транзистора.Дальше,для упрощения анализа работы,стали применять различные модели,которые вводят ток базы,как один из основных параметров.

[Quasar]

Хех, вот дискуссия тут развернулась

Я просто хотел показать что "паразитность" тока базы это правакационное и еретическое утверждение
и слава богу что не будет, пусть остается биполяр управляемый током, и полевик управляемый напряжением...

Вот-вот, и я желал того же ( а именно показать, что утверждение про паразитность тока базы) "не совсем корректно".

Но только кто-то сразу, начал бросаться фразами: "Да если бы вы знали, да будет вам известно и т.д. и т.п.".

К тому же я нигде не говорил, что ток базы вообще не нужно учитывать.

Я тоже не отрицал истин, касательно напряжения и его роли. Но, только следуя такой категоричной логики как у некоторых, может создаться такое впечатление, что принципиальных отличий полевиков от биполярных транзисторов нет.

[WP]

что принципиальных отличий полевиков от биполярных транзисторов нет.

А их в общем то и не слишком много. Погляди на разрез кристалла MOSFETa, и что же там увидишь? Правильно - структуру биполярного транзистора, где база управляется электрическим полем через слой изолятора.

[Quasar]

А их в общем то и не слишком много.

Но согласитесь, они есть.

[Гоша]

Погляди на разрез кристалла MOSFETa, и что же там увидишь? Правильно - структуру биполярного транзистора,

Ну, это уже чересчур . А если посмотреть на структуру тиристора - что увидим? Полтора биполярного транзистора?
Основное, я бы сказал, основополагающее, отличие ПТ от БТ не в топологии кристалла, а в том, что МОП транзистор ПРИНЦИПИАЛЬНО обходится без pn переходов. Если они там есть - то только в паразитном виде.
В ПТ с pn переходом он обратносмещенный и, в принципе, выполняет функцию диэлектрика. Ну, конечно, если не рассматривать экзотичные схемы с затворными токами.
А в БТ один из переходов транзистора, работающего в активном режиме, обязательно прямосмещен. На том и стоим.

[WP]

обходится без pn переходов

Без p-n переходов ни один транзистор не обходится. Ибо принцип работы и полевого и биполярного транзистора обусловлен явлениями возникающими в области p-n переходов (BJT, JFET, MOSFET) или контакта металл - полупроводник (арсенид-галлиевые полевые транзисторы с затвором Шоттки).
Всем

[Гоша]

Володя, укажи мне хоть ОДИН pn переход в MOSFET. Кроме перехода в защитном диоде, который является внешним по отношению к транзистору. MOS-ы и транзисторами назвать - не совсем корректно.

[WP]

В MOSFETе имеется три области, стоковая, подзатворная и истоковая, для n-канального транзистора эти области соответственно имеют проводимость n p n типа. И проводящий канал формируется в подзатворной области. Кстати некоторые старые типы MOSFET имели вывод от подзатворной области, который назывался выводом подложки, так вот это выод управляет током через транзистор точно также как база у биполярного транзистора. В современных MOSFET подложка электрически накоротко соединена с истоковой областью.

[Гоша]

Это ты рассмотрел вертикальный транзистор типа 2SK - 2SJ (индуцированный канал). А в обычном КП350 (встроенный канал)?
Кстати, и в вертикальных ПТ наличие высоколегированных n областей необходимо чисто технологически, чтобы получить хороший контакт с выводами стока/истока. Образующиеся при этом переходы в работе прибора не участвуют, а порождают такое неприятное явление, как ненулевое напряжение отсечки.

[Китич]

Народ, вы сначала определитесь, в каком состоянии находится транзистор. Если это просто кристал его невключенного, то в мосфете конечно нет pn переходов. Они при работе возникают, если че

[Olderman]

Как это возникают при работе? р-n переход - это зона контакта полупроводников проводимости р и соответственно n, и существует он независимо от того, работает полупроводниковый прибор или нет. Это че, типа когда диод просто лежит на столе еще не впаяный, то это типа не диод и перехода в нем нет? вот кстати ссылочка по mosfet и IGBTтранзисторам со схемами структур http://www.elcp.ru/index.php?state=i...00_01&i_art=16 (самому было интересно посмотреть, как бывшему специалисту по "производству полупроводниковых приборов )

[Quasar]

А в БТ один из переходов транзистора, работающего в активном режиме, обязательно прямосмещен. На том и стоим.

Вот вот, я уже где-то выше писал, про прямо смещенный p-n переход. Главное подали на него прямое напряжение, и утверждают, что ток есть паразитное явление. Остаётся еще добавить, что ток в проводниках есть паразитное явление.

Народ, вы сначала определитесь, в каком состоянии находится транзистор. Если это просто кристал его невключенного, то в мосфете конечно нет pn переходов. Они при работе возникают, если че

Чё?
Просто кристалл, под действием эл.тока ни когда p-n переходом не станет. P-N переход образуется в результате диффузии.....(химия одним словом)... Просто кристалл, это не транзистор......