Выбор выходного каскада.

[.Васильев]

Несмотря на сложившееся мнение по выбору ВК в усилителе решился на новое поднятие этой темы. Статью Н.Сухова читал, читал и С.Агеева и других авторов . При симуляции отдельных Выходных каскадов всё же вкрались сомнения. И хотелось бы услышать мнения более подготовленных товарищей, профи и любителей, которые собаку на этом съели. Вашему вниманию предлагаю 4 варианта выполнения Вк. Параллельник А.Агеева с вольтдобавкой ,стандартную тройку с межбазовыми конденсаторами, а также два варианта с Шинклаями, один стандартный ОЭ-ОЭ, второй с " композитными " транзисторами на выходе.Хотелось бы узнать поподробнее об плюсах и минусах каждого из вариантов. Схемы и модели в МС_9 в архивчике прилагаю.

[deemon]

А как тут со сквозными токами выходников? или папа на гуталиновой транзисторной фабрике сторожем?

Да уж , тут и гуталиновая фабрика не спасёт ... малейший возбуд - и кранты . Более того , тут даже без возбуда на верхних звуковых частотах начнётся рост искажений . А ещё с ростом температуры радиатора растут токи утечки выходников , которым деваться некуда - есть риск теплового разгона В общем , тоскливо всё

---------- Добавлено в 00:52 ---------- Предыдущее сообщение в 00:42 ----------

ну раз я его на биполярах не делал, значит о нём и не думал А чисто теоретически, не спаяв, как-то не хочется дискутировать.

Неужели "гумелю" не собирал ? А это ведь практически тот же Шиклаи на выходе , только ещё хуже Я вот собирал в 80-х , кучку транзисторов пожёг .... а потом подумал , что и как - и понял , что делать этого не надо было В идеале , надо было бы подумать ещё до того , ха-ха .... но уж - что вышло , то вышло .

[anli]

Неужели "гумелю" не собирал ?

Неа.

В идеале , надо было бы подумать ещё до того

Тогда бы ты ничего не понял так, как после после того

[humbl]

Конечно я согласен. Ведь задачи каждый раз разные и глупо решать их только одним способом , когда иной раз проще сделать шаг конем.

Здесь задача одна-подключить на выход громкоговоритель с максимальным успехом.

[Nota Bene]

разве что источник сделать управляемый , но это уж чересчур

Про токовое зеркало слышали?


Еще вариант по Шиклаи с контролем тока покоя:

[ИГВИН]

В п.4 поста 427 я изложил свои представления о том, как усилитель класса АВ в максимальной степени приблизить к классу А (в сочетании с глубокой ОООС) Вот этот пункт:

4. Если стоит задача максимально точного усиления, то оптимальным будет применение в УМЗЧ двухтранзисторного ВК по схеме Шиклаи. Его применение позволяет минимизировать коммутационные искажения за счет:
- расширения диапазона токового управления ВК по сравнению с трехтранзисторным ВК.
- возможности уменьшить сопротивления эмиттерных резисторов с сохранением температурной и динамической стабильности тока покоя ВК по сравнению с дарлингтоном и параллельным усилителем.

Никто не высказался по существу этого пункта. Неужели все согласны?

Валет, лично у меня нет опыта использования Шиклаи.
Поэтому сказать нечего.

PS. Усилители класса АВ отличаются от усилителей класса А только наличием дополнительных коммутационных искажений (если рассматривать их как "черные ящики").

Не только.
Еще они отличаются формой амплитудной характеристики. Если сравнивать с однотактным А, которой ближе всего к идеалу (и то сильно недостает до него )

[Валет]

Интересное умозаключение .... но ведь при малом токе нагрузки и малом же резисторе параллельно БЭ - верхний транзистор вообще будет закрыт , разве это трудно понять ?

Начальный ток верхнего (второго, мощного) транзистора устанавливается источником смещения между базами первых транзисторов, точно так же, как в дарлингтоне. Начальный ток первого транзистора определяется сопротивлением БЭ второго транзистора. И вообще, по усилительным параметрам на ЗЧ, режимам транзисторов и способами их регулировки между дарлингтоном и шиклаи нет никакой разницы, разница только в температурной и динамической стабильности начального тока.

Offтопик:
И не надо эмоций (разве это трудно понять?), Вы не барышня. Эмоции не прибавляют веса Вашим постам.

[SAPR]

по усилительным параметрам на ЗЧ, режимами транзисторов и способами их регулировки между дарлингтоном и шиклаи нет никакой разницы, разница только в температурной и динамической стабильности начального тока.

Очень спорно.
Шиклаи неплохо работают благодаря местной ОС по току. Но если в каскад с ОК ввести местную ОС по току, то результат будет на пару порядков выше.

[Валет]

Очень спорно.
Шиклаи неплохо работают благодаря местной ОС по току. Но если в каскад с ОК ввести местную ОС по току, то результат будет на пару порядков выше.

Коэффициенты усиления по току и дарлингтона, и шиклаи равны произведению коэффициентов усиления по току входящих в них транзисторов, т.е. одинаковы при одинаковых параметрах транзисторов. А раз они одинаковы, то одинакова у них глубина местной ООС в режиме повторителя. Поэтому одинаково будет и входное сопротивление, и другие параметры.
Между ними есть некоторые различия, но на ЗЧ они определяются не типом обратной связи.

[SAPR]

Коэффициенты усиления по току и дарлингтона, и шиклаи равны произведению коэффициентов усиления входящих в них транзисторов, т.е. одинаковы при одинаковых параметрах транзисторов. А раз они одинаковы, то одинакова у них глубина местной ООС в режиме повторителя. Поэтому одинаково будет и входное сопротивление, и другие параметры.

Вот это Вы загнули ...

[Валет]

Вот это Вы загнули ...

А расшифровать можно? Иначе это просто...

[deemon]

Начальный ток верхнего (второго, мощного) транзистора устанавливается источником смещения между базами первых транзисторов, точно так же, как в дарлингтоне.

Начальный ток верхнего транзистора зависит не только от смещения ( и тока ) нижнего , но и от того , какая часть тока проходит в базу верхнего , и какая в резистор между его БЭ . Скажем , при токе нижнего транзистора 20 ма , и сопротивлении резистора БЭ 20 ом , падение напряжения будет 400 мв , что вообще недостаточно для открывания верхнего транзистора . Если это трудно понять , то я уж ничем помочь не могу Притом , не надо забывать , что с изменением температуры доля тока , проходящего в базу верхнего транзистора , будет изменяться ( из-за изменения напряжения БЭ у кремниевого перехода от температуры ) - что тоже нехорошо . При небольшом значении резистора БЭ ( десятки ом ) - при нагревании радиатора у верхнего транзистора будет заметно расти ток , даже если ток нижнего транзистора вообще не изменяется . Далее - коэффициент усиления по току тоже ведь растёт с температурой - и это тоже работает в ту же сторону , ток выходника ещё больше растёт с температурой .

А в дарлингтоне ( так же как и в ПКПС ) напряжение БЭ мощного транзистора включено в ту же цепь термостабилизации , что и предвыходного .... соответственно , оно и регулируется одновременно с предвыходным - цепью смещения . Что , это тоже трудно понять ?

[SAPR]

А расшифровать можно? Иначе это просто...

Например:

одинаково будет и входное сопротивление,

Параллельный повторитель. Достаточно подключить коллекторы входных тр - ов не к шинам питания, а конд. вольтдобавки - будет совсем другое входное сопротивление (а тр - ры остаются прежние, и их коэфф. передачи по току не меняются). Значит, входное сопротивление ВК определяется не коэфф. передачи по току входящих в него транзисторов - можно привести и другие примеры. (А вообще, что это за термин коэфф. усиления тр - ра?)

[Валет]

Начальный ток верхнего транзистора зависит не только от смещения ( и тока ) нижнего , но и от того , какая часть тока проходит в базу верхнего , и какая в резистор между его БЭ . Скажем , при токе нижнего транзистора 20 ма , и сопротивлении резистора БЭ 20 ом , падение напряжения будет 400 мв , что вообще недостаточно для открывания верхнего транзистора . Если это трудно понять , то я уж ничем помочь не могу Притом , не надо забывать , что с изменением температуры доля тока , проходящего в базу верхнего транзистора , будет изменяться ( из-за изменения напряжения БЭ у кремниевого перехода от температуры ) - что тоже нехорошо . При небольшом значении резистора БЭ ( десятки ом ) - при нагревании радиатора у верхнего транзистора будет заметно расти ток , даже если ток нижнего транзистора вообще не изменяется . Далее - коэффициент усиления по току тоже ведь растёт с температурой - и это тоже работает в ту же сторону , ток выходника ещё больше растёт с температурой .

То же самое относится и с теми же цифрами к дарлингтону, посмотрите внимательнее. Но ни дарлингтон, ни шиклаи в таком режиме в ВК не используются. Любую схему можно испортить, если постараться. Если это трудно понять , то я уж ничем помочь не могу

---------- Добавлено в 13:22 ---------- Предыдущее сообщение в 12:52 ----------

входное сопротивление ВК определяется не коэфф. передачи по току входящих в него транзисторов

В базу второго транзистора и в дарлингтоне и в шиклаи проходит ток первого транзистора, только в одном случае он идет с коллектора, в другом – с эмиттера. Этот ток усиливается в β второго транзистора раз, а ток его базы был предварительно усилен в β первого транзистора раз. Поэтому результирующий коэффициент усиления по току равен произведению β входящих транзисторов в обоих случаях. Он является коэффициентом усиления по току эквивалентного транзистора, которым можно представить и дарлингтон и шиклаи. Таким образом, ВК с ними обоими являются эквивалентными эмиттерными повторителями, и их входное сопротивление рассчитывается по известной формуле одинаково.
А чем по Вашему мнению определяется входное сопротивление ВК?

[deemon]

То же самое относится и с теми же цифрами к дарлингтону, посмотрите внимательнее.

То есть , нет разницы - открывать транзистор напряжением между БЭ , или током через резистор между БЭ , так ?

[Серый Мыш]

То есть , нет разницы - открывать транзистор напряжением между БЭ , или током через резистор между БЭ , так

Да! - т.к. источник тока, шунтированный резистором R, и источник напруги с выходным сопр. R, абсолютно идентичны

[deemon]

Да! - т.к. источник тока, шунтированный резистором R, и источник напруги с выходным сопр. R, абсолютно идентичны

А вот если это R в каждом случае разное - тогда тоже идентично ? Если у источника напряжения внутреннее сопротивление вовсе не равно R - тогда как ?

[SAPR]

В базу второго транзистора и в дарлингтоне и в шиклаи проходит ток первого транзистора, только в одном случае он идет с коллектора, в другом – с эмиттера. Этот ток усиливается в β второго транзистора раз, а ток его базы был предварительно усилен в β первого транзистора раз. Поэтому результирующий коэффициент усиления по току равен произведению β входящих транзисторов в обоих случаях. Он является коэффициентом усиления по току эквивалентного транзистора, которым можно представить и дарлингтон и шиклаи. Таким образом, ВК с ними обоими являются эквивалентными эмиттерными повторителями, и их входное сопротивление рассчитывается по известной формуле одинаково.
А чем по Вашему мнению определяется входное сопротивление ВК?

Я вам привел конкретный пример. Как в базы втекало - так и вытекает () - и всякие бетта остаются неизменными. Вместо ответа на конкретно поставленный вопрос - Вы задаете встречный:

А чем по Вашему мнению определяется входное сопротивление ВК?

Отвечу частично - отнюдь не коэфф. передачи по току. (Не к Вам относится, но помнится, небезызвестный Гумеля долго и нудно высчитывал и перемножал коэфф. передачи по току - и на основе этого предсказывал параметры своего "шедевра" (в том числе и скорость нарастания выходного напряжения ).

Offтопик:
Пока сдесь идут разборы полетов, в разделе "для начинающих" уже легко определились со связью между Шиклаи, Дарлингтонами, режимом А и АВ, а также ихней корреляцией с площадью\ обьемом помещения .

[Валет]

Я вам привел конкретный пример. Как в базы втекало - так и вытекает () - и всякие бетта остаются неизменными. Вместо ответа на конкретно поставленный вопрос - Вы задаете встречный:


Отвечу частично - отнюдь не коэфф. передачи по току.

На конкретно заданный вопрос я дал конкретный ответ. Вот он, повторяю:

В базу второго транзистора и в дарлингтоне и в шиклаи проходит ток первого транзистора, только в одном случае он идет с коллектора, в другом – с эмиттера. Этот ток усиливается в β второго транзистора раз, а ток его базы был предварительно усилен в β первого транзистора раз. Поэтому результирующий коэффициент усиления по току равен произведению β входящих транзисторов в обоих случаях. Он является коэффициентом усиления по току эквивалентного транзистора, которым можно представить и дарлингтон и шиклаи. Таким образом, ВК с ними обоими являются эквивалентными эмиттерными повторителями, и их входное сопротивление рассчитывается по известной формуле одинаково.

Так что Вы слегка передергиваете. Но чтобы было понятней приведу эту формулу (для первого приближения):
Rвх = Rнагр х β1 х β2

А вот Вы на вопрос не ответили, а только бездоказательно отвергли мой ответ. Но ладно, замнем для ясности, будем считать вопрос исчерпанным.

[SAPR]

Так что Вы слегка передергиваете. Но чтобы было понятней приведу эту формулу (для первого приближения):
Rвх = Rнагр х β1 х β2

Да... Если Вы по таким формулам считаете входное сопротивление ВК (и не только ВК и не только сопротивление) - тогда действительно,

Но ладно, замнем для ясности, будем считать вопрос исчерпанным.

Вот график модуля входного сопротивления стандартной тройки при токе покоя 100 мА и изменении нагрузки от 1 до 10 Ом. Как видно, изменение нагрузки влияет на частотах выше 2 мГц, на более низких ее влияние незначительное (и этому есть достаточно простое обьяснение) - гораздо больше на входное сопр. влияют токи покоя 1 - й и 2 - й пары ЭП. Как это согласуется с Вашей формулой? (ответ - никак).

[.Васильев]

offтопик:
Пока сдесь идут разборы полетов, в разделе "для начинающих" уже легко определились со связью между Шиклаи, Дарлингтонами, режимом А и АВ, а также ихней корреляцией с площадью\ обьемом помещения .

Это часом не веточка https://forum.vegalab.ru/showthread....оким-входным-R