Усилители на полевиках

[pokos]

Banker, спокойнее, без надрыва, пожалуйста.
У людей существуют разные знания и разный опыт, случаются и заблуждения, и ошибки.
WP, видимо, знает-таки разницу между диффузионной и барьерной ёмкостями, но по каким-то причинам не хочет это знание применить сейчас. Поэтому он хочет считать входную ёмкость БТ барьерной, хотя зависимость её величины от входной напруги обратная зависимости у барьерной емкости. Да и величины ёмкостей КБ и БЭ обычно отличаются на порядок. Ну, хочет человек считать так, пусть считает. Может, и объяснит нам, почему у него сложилось такое мнение.
Возможно даже, это мнение и есть правильное, а я что-то недопонимаю.

Вообще, у нас тут не Хобот, здесь атмосфера обычно гораздо спокойнее, обмен мнениями вполне мирный.
Чем, собственно, мне и нравится этот форум.....

[WP]

Да и величины ёмкостей КБ и БЭ обычно отличаются на порядок.

Только эффект Миллера их выравнивает. Модуляция емкости эмиттерного перехода намного меньше чем у емкости затвор- исток при одинаковых изменениях тока колектора (стока) при одинаковой площади транзисторов. Крутизна прямой передачи на порядок различается. В общем емкость эмиттерного перехода очень слабо влияет на свойства каскада, а проходная значительно и на полосу пропускания и на линейность.

[pokos]

Только эффект Миллера их выравнивает.

Вы считаете, что эффект Миллера существует во всех типах включения транзистора?
Кстати, а каким образом эффект Миллера влияет на характер зависимости ёмкости перехода от напряжения на нём?

[WP]

Поэтому он хочет считать входную ёмкость БТ барьерной,

При том порядке приращения Ube при котором обычно работают транзисторы в аналоговых усилителях входную емкость вообще можно считать постоянной, у MOSFET модуляция входной емкости выражена гораздо сильнее, но основной вклад в нелинейность вносит как раз проходная емкость, которая одного порядка для MOSFET и BjT.

[WP]

Во всех кроме ОБ, и каскодных схемах.
Эффект Миллера на зависимость не влияет. Эта зависимость определяется конкретной конструкцией транзистора. Он влияет на общую входную емкость каскада и наиболее сильно выражен в схемах ОИ ОЭ. С вх каскада ОЭ = Свх + Спрох*Ку по напряжению

Добавлено через 1 минуту
Банкир, от темы отвлекаемся. Не надо стрелки на историю перекидывать. Здесь вроде как транзисторы обсуждают.

[pokos]

При том порядке приращения Ube при котором обычно работают транзисторы в аналоговых усилителях входную емкость вообще можно считать постоянной, у MOSFET модуляция входной емкости выражена гораздо сильнее, но основной вклад в нелинейность вносит как раз проходная емкость, которая одного порядка для MOSFET и BjT.

Можно то, можно сё.
А можно рассмотреть выходной каскад с ОК.
Проходной ёмкостью в нём является диффузионная ёмкость БЭ, слегка уменьшеная эффектом Миллера. Можно считать эту ёмкость постоянной, но вредно. Потому что она зависит от тока базы. И вот ведь, засада, это приводит к зависимости частотных свойств каскада от выходного тока!

[WP]

Конечно зависит, куда деваться, но можно влияние свести к минимуму.
Способа два - просто тупо применить транзисторы с малой зависимостью граничной частоты от тока например MJW21193 MJW21194 и особо не греть голову проблемами устойчивости. И вдобавок свести к минимуму резисторы между базой и эмиттером. И с определенным приближением можно будет считать частотные свойства независимыми от выходного тока.
С ВЧ транзисторами типа 2SA1215 2SC2921 все несколько сложнее. У них граничная частота и емкость эмиттерного перехода болтается в значительных пределах, что делает неоднозначной коррекцию. Тут приводить к малой частотной зависимости от тока приходится установкой конденсаторов между базой и коллектором и опять же сведением к минимуму резисторов между базой и эмиттером. Но в общем низкочастоные транзисторы препочтительнее.

[Banker]

Можно то, можно сё.
А можно рассмотреть выходной каскад с ОК.
Проходной ёмкостью в нём является диффузионная ёмкость БЭ, слегка уменьшеная эффектом Миллера. Можно считать эту ёмкость постоянной, но вредно. Потому что она зависит от тока базы. И вот ведь, засада, это приводит к зависимости частотных свойств каскада от выходного тока!

Правильно! Потому что понятие "входная ёмкость" - это чисто умозрительное понятие, модель, которое позволяет СВЕСТИ поведение дурного биполяра - транзистора к набору (цепочке) простейших элементарных радиоэлектронных приборов (конденсатор, резистор). Такую модель в статике можно подогнать под результаты статических измерений и примерно спрогнозировать поведение транзистора на моно-гармоническом синусоидальном сигнале (мы ж знаем как себя ведут конденсаторы?).
Но для широкополосного (10 октав) полигармонического сигнала эта "конднсаторная" модель не работает. Почему? Да потому что нельзя ПОТОК электронов и "дырок" представить в виде конденсатора. Надо рассматривать его как поток И учитывать это при разработке схемы.

[SashaNetrusov]

.... беспредметный спор какойто. Сравнение верблюда с лошадью. Всё определяется конкретным местом где хотите использовать транзистор. Условия его работы.....
А вообще то лучше тот прибор, который даёт большее соотношение усиления (неважно чего тока или напряжения, или крутизны) к уровню гармоник и их количества. Биполяр в режиме усиления тока и МОСФЕТ в режиме усиления напряжения примерно сравнимы (на больших мощностях)....
Слишком много факторов, надо пробовать и пробовать...

[Alex Nikitin]

Так много понаписали, аж жуть. Понятно, что с Банкиром никакого смысла дискутировать нет , споры о вере непродуктивны, но вот для тех, кому интересно, экспериментально снятый график ёмкости ЗИ для MOSFET транзистора с индуцированным каналом ZVN0545A (просто то, что было под рукой), при нулевом напряжении на стоке. Информация к размышлению, так сказать. В описании транзисторов такие графики обычно не приводятся . Напряжение на графике в вольтах, емкость - в пикофарадах.

Алексей

P.S. - заменил картинку, в первой был неправильный масштаб по напряжению (ошибся в спешке и не поделил на 2 )

[Костя Мусатов]

Кто-то (ацкий сОтОна) спутал карты инженерам, смешал действия и противодействия разных электрических эффектов. Для того, чтобы найти истину и получить хороший звук надо при рассмотрении любой схемы разбираться С КАЖДЫМ ЭФФЕКТОМ.
Что же касается экономических обоснований, то мой ник позволяет мне пока не обращать на это внимания. Сначала получим звук, а потом удешевим.

Да, что Вы. Есть столько независимых разработчиков, им ни кто ничего не спутает
Мало того, некоторое время назад была МОСФЕТ-мода, когда считалось круто иметь мосфеты в схеме, особнно на выходе. Прошла.
Но не в этом дело. Вопрос в конечной реализации. Идеальных усилительных приборов нет. Так может лучше не мерить что круче, мосфеет или биполяр, а сравнить параметры каскадов или усилителей на них. Все ж таки музыку мы будем слушать, в конце концов, или носители заряда?

[SashaNetrusov]

экспериментально снятый график ёмкости ЗИ для MOSFET

А рабочая область куда попадает?

[Костя Мусатов]

Напряжение на графике в вольтах, емкость - в пикофарадах.

Алексей, правильно я понимаю, что верхняя полка соответствует насыщению. А в рабочей зоне имеем плавный подъем.

[WP]

Так может лучше не мерить что круче, мосфеет или биполяр, а сравнить параметры каскадов или усилителей на них.

Константин, я и пытаюсь донести до сознания Банкира то что конкретный вид усилительного прибора определяется его местом в схеме. Т.е. где комплекс свойств BjT более подходит для поставленной задачи, там использовать BjT, а где более подходит MOSFET то использовать MOSFET. Но не слышит. Никак не слышит.

Добавлено через 1 минуту
Похоже жертва рекламы.

[Alex Nikitin]

Алексей, правильно я понимаю, что верхняя полка соответствует насыщению. А в рабочей зоне имеем плавный подъем.

Не так. Здесь график снят при нулевом напряжении СИ, то есть при отсутствии тока стока. Резкое изменение ёмкости соответствует напряжениям вблизи порогового, в той самой, никакими симуляторами (насколько мне известно) не описываемой правильно, области . Вот ещё один график - изменение тока стока в этой области, взятое из книги о слабосигнальных измерениях от Keithley . Видно, что зависимость логарифмическая.

Алексей

[Костя Мусатов]

Не так. Здесь график снят при нулевом напряжении СИ, то есть при отсутствии тока стока

Оно то понятно, что при отсутствии тока, там было указано, что при нуевом напряжении на стоке. Я имею в виду, что напряжение на затворе соответствует области насыщения, т.е. когда сопротивление СИ уже не падает, если подать напряжение на сток.

[pokos]

Вот ещё один график - изменение тока стока в этой области, взятое из книги о слабосигнальных измерениях от Keithley . Видно, что зависимость логарифмическая.

Прекрасный график! Отлично видно, что при низких токах исток работает как эмиттер.

[Banker]

Интересно, как это несчастный производитель ZVN0545A умудрился намерять при 25 Вольтах не более 70pF когда "гуру" показывают, что там должно быть не меньше 140pF ???
http://www.zetex.com/3.0/pdf/ZVN0545A.pdf
Вот бедолаги в Zetex, мерять не умеют, не знают что на самом деле кривая ёмкости у MOSFET -ов с напряжением растёт (???), а не падает ......

[pokos]

...экспериментально снятый график ёмкости ЗИ для MOSFET транзистора с индуцированным каналом ZVN0545A ...

Крутой линейный кусочек - это как раз и есть рабочая зона транзистора в линейном режиме. Практически линейное увеличение ёмкости происходит из-за увеличения площади индуцированного канала на поверхности. Плавный переход на константу - область замыкания канала.
На интересный вопрос, почему такое видно и при нулевом напряжении на стоке ответить легко - из-за разной степени легирования истока и стока, а также из-за градиента концентрации примеси в теле канала.

Костя, для полевого транзистора термин "насыщение" означает не то, что для биполярного.....

[WP]

В данном случае похоже Константин хотел сказать полностью открытого.
Банкир, все уняться не можешь. Почитай техническую литературу, полезнее будет, чем клаву топтать.