Оригинал vs фейк (Фуфло? )

[фЕДОР ЧАЛЫЙ]

Предлагаю завести постоянную тему, в которой размещать фото элементов: оригинал vs фейк. Таким образом накопится материал для дополнительной визуальной страховки от приобретения "палева".

Результат покупок без очков и лупы (сдают глазки ).
На фото BD139 и 140 c Минского рынка. Внешне доверия не внушают (у второго даже отверстие "повернуто"), хотя разброс по бете небольшой и даташиту соответствует. Перемаркировка продукции "Интеграл"? В прайсе у них эти позиции есть.
На втором 2SC3421, источник тот же. Первый якокобы оригинальный, второй отличается мордой и подложка не закатана в пластмассу. Промер беты криминала не выявил. Такие бывают?
Вечером померяю зависимость беты от тока, отпишусь. Или сразу возвращать и не париться?

[straus]

Перерывал тут закрома родины, попалась на глаза AD1862.
Итак, вот как выглядит оригинал, полученный в давние времена прямо с AD:

[EDDiE]

[olifa]

ad843 - Фейк или оригинальные?

Сверху одинаковые, снизу нет? Не кажется подозрительным?

[Вергилий]

Eddie, маркировка и внешний вид микрух у Вас сильно разные

[funny the rat]

непосредственно у их изготовителя - компании Rochester Electronics

продажник который вам отвечал лучше бы торговал тапочками роселек ещё один дистрибутор и называть его производителем верх непрофссионализма

[EDDiE]

Eddie, маркировка и внешний вид микрух у Вас сильно разные

И что?

Давайте поиграем в игру - определите происхождение разных по "внешнему виду микрух" (ЦАП).

[меченый]

Приветствую. Мужики помогите разобраться. Купил в Платане полевых транзисторов, замерил параметры и что то не сходятся с датшитом, сопротивление канала в статике и есть утечка в одном из типов у всех 18 штук! По даташиту это пупер навороченные транзисторы по технологии coolmos, собственно потому и выбирал их, они якобы 7 поколение транзисторов- самые навороченные на сегодня. Фирма Infineon - IPW60R120P7, не понимаю почему при полном открытии транзистора напряжением 12В затвор-исток, секунды 2 транзистор открыт, далее заряд утекает как при пробое затвора(утечка), и через 10 секунд транзистор полностью закрыт, емкость затвора 1,5нана, да еще установлен супрессор от статики, вот и интересно почему он так быстро зарывается, иные полевики и неделями лежат открытыми.Сопротивление канала при этом 150мОм, а по датшиту должна быть 100мОм Еще смутила маркировка значка самой фирмы, на старых транзисторах она несколько иная. Да, у некоторых типов транзисторов как-то странно нанесена маркировка, есть подозрение что каким-то резаком что ли или фрезой или может клеймом под температурой, потому что нет характерных точек от остановки лазера, но все транзисторы не магнитятся и корпуса совпадают с датшитом. Схему измерения из ГОСТа прилагаю Искал есть ли заводы в Китае, у Infineon их уже два. Обычно если есть страна в маркировке то можно очень не хило засудить за подделку, вот и вызвало подозрение что с датшитом не сходится. К тому же IRFP460 по сопротивлению канала очень сошлись=270мОм, а вот IXKH 30N60C5 тоже завышено=140мОм, при заявленных 110мОм.
В Платане куплены только IXKH 30N60C5 и IPW60R120P7, остальные в других магазинах, IXKH 30N60C5 кстати по маркировке точ в точ как 8 лет назад на оригиналах из серверного блока питания Дельта на 2кВт, правда там IGBT на 60Ампер. Нашел интересную заметку, уж не смена формы логотипа?

[funny the rat]

Offтопик:

Искал есть ли заводы в Китае, у Infineon их уже два.

Только проверьте (это не совсем тривиально к сожалению) что именно они там выпускают может оказаться так что именно мощные транзисторы ни на одном из этих двух, во всяком случая когда я копал по многим известным брендам на своих заводах в Китае (которых не так и много) или чисто корпусировка или производят массовую мелочь что либо технологически новое производят за пределами Китая

[меченый]

Проверял, заводы серьезные, гектары площадей, по 2к сотрудников, за год работы 1/5 прибыли головному офису принесли, есть варианты заказа чисто кристаллов... Неясно, вроде Платан говорят что являются официальными поставщиками, загуглил сайт infineon посмотрел диллеров по России= нету Платана)), есть компэл, есть симметрон, я ждал 2 недели доставка, может из москвы у компэла прикупили. Вроде замерял по Госту, почему на 50% отличаются от даташита сопротивления каналов- неизвестно. Расколоть чтоль один, жалко, может кто встречал всё таки новую маркировку от infineon?
Хотел найти почту на их сайте(infineon) - блин там фиг пробьешься, скинуть пару фоток- спросить оригинал или нет.

[funny the rat]

Offтопик:

Проверял, заводы серьезные, гектары площадей, по 2к сотрудников, за год работы 1/5 прибыли головному офису принесли,

Это не совсем то. Hадо проверять какие именно тех. нормы применяются на данных заводах и делают ли по ним ваши транзисторы. В платных источниках (в зависимиости от оплаты) была представлена даже номенклатура изделий

Расколоть чтоль один,

отнесите на рентген там хотя бы размер кристала увидите без разламывания

[poddel]

Купил в Платане полевых транзисторов, замерил параметры и что то не сходятся с датшитом, сопротивление канала в статике. Фирма Infineon - IPW60R120P7, Схему измерения из ГОСТа прилагаю

Так в приведенной вами схеме измерения, режим включения транзистора совсем иной, чем указано в даташите, для измерения сопротивления канала.

[olifa]

Вроде замерял по Госту

При каком токе, напряжении и времени?

[меченый]

Ток установил на лабораторнике ровно 1А(5в), плюс на сток, минус на исток, от второго БП закинул плюс на затвор, минус на исток. Всё по схеме, замерил мультиметром нарпяжение- миливольты -переводим в вольты получаем сопротивление канала, ток 1А позволяет обойтись без калькулятора). Чем там может отличатся измерениями от датшита? Статика она и на луне будет измерятся одинаково, что там по другому то измеришь? Статика- я постоянку на затвор подаю +12В! Время не важно. Относительно стока мерить неззя- там внутренний диод, если уверены в обратном аргументируйте схемами.
Что никто за 2018 год мощных полевиков от Infineon не покупал, хоть узнать -маркировка в норме?

[poddel]

Ток установил на лабораторнике ровно 1А(5в), плюс на сток, минус на исток, от второго БП закинул плюс на затвор, минус на исток. Всё по схеме, замерил мультиметром нарпяжение- миливольты -переводим в вольты получаем сопротивление канала, ток 1А позволяет обойтись без калькулятора). Чем там может отличатся измерениями от датшита? Статика она и на луне будет измерятся одинаково, что там по другому то измеришь? Статика- я постоянку на затвор подаю +12В! Время не важно. Относительно стока мерить неззя- там внутренний диод, если уверены в обратном аргументируйте схемами.
Что никто за 2018 год мощных полевиков от Infineon не покупал, хоть узнать -маркировка в норме?

В даташите : на затворе - 10В; ток через канал - 8,5 А; температура кристалла - 25С.

[Alex]

Сходил на сайт TI. Вроде все 6012 в статусе active. ничонепонимаю

Нет, не все, а только те что в соике. BGA давно же obsolete.
Нро THS6012IDWP - это соик и есть, поэтому странной что они попали к Рочестеру.

[меченый]

Они хитрые ребята, они указали только предельные паратметры для +125С, про +25С они только в таблице.Как замерял : у меня дома +24С, взял транзистор, собрал стенд как в схеме, включаю- мгновенно получаю результат, температура кристалла не может за 1секунду поменяться на вменяемую величину- согласны? Смотрю на дрейф тока- минимальный, так как от 1А он не нагреется, сопротивление канала 0,15Ом...
На затвор хоть +10 хоть +12В- разница не велика, примерно 2-5мВ- ниочем, ток через сток 8,5А- а вы пробовали? Он влияет очень не существенно, пробовал от 100мА до 2А- влияние минимально. При этом зависимость прямая чем выше ток тем выше сопротивление канала!!! Значит при малых токах Rds должен быть еще ниже...

[poddel]

Как замерял : у меня дома +24С, взял транзистор, собрал стенд как в схеме, включаю- мгновенно получаю результат, температура кристалла не может за 1секунду поменяться на вменяемую величину- согласны? Смотрю на дрейф тока- минимальный, так как от 1А он не нагреется, сопротивление канала 0,15Ом...
На затвор хоть +10 хоть +12В- разница не велика, примерно 2-5мВ- ниочем, ток через сток 8,5А- а вы пробовали? Он влияет очень не существенно, пробовал от 100мА до 2А- влияние минимально. При этом зависимость прямая чем выше ток тем выше сопротивление канала!!! Значит при малых токах Rds должен быть еще ниже...

Если уж ссылаемся на то, что измеренная цифра отличается от цифры в даташите, то и измерения нужно проводить как в даташите. Всё остальное - это если бы, да кабы. Если изначальная температура корпуса транзистора - 24С, то какова будет температура кристалла через секунду после начала протекания тока - не нужно гадать, нужно знать.

[shura1959]

отнесите на рентген там хотя бы размер кристала увидите без разламывания

По идее, размер кристалла можно оценить по ёмкости ЗИ. Чтобы уменьшить размер кристалла, и оставить затворную ёмкость без изменений необходимо либо "утоньшИть" подзатворный диэлектрик, либо применить его с бОльшим епсилон, и то и другое маловероятно,т.к. первое снижает пробивное, второе требует мощной науки и технологии.

Кстати, интересно, тепловизором можно как то оценить размер кристалла?

Статика она и на луне будет измерятся одинаково, что там по другому то измеришь?

Время не важно.

Про луну понял, не совсем понятно про время. Если измерять статику долго, кристалл нагреется и сопротивление канала возрастёт. В ДШ приведено два значения для 25грдС и 150грдС, это температура кристалла. Я думаю, что по честному померять можно либо коротким импульсом, 10мкс, например, или измерив температуру кристалла (это можно сделать по падению напряжения на защитном диоде).

[Juzzy]

Нет, не все, а только те что в соике. BGA давно же obsolete.
Нро THS6012IDWP - это соик и есть, поэтому странной что они попали к Рочестеру.

подозрение у меня, собственно, вызвали развалы именно такой корпусировки на али, типа-
https://ru.aliexpress.com/item/Free-...598665355.html
в-общем, я решил эти типа рочестеровские не ставить никуда, пусть лежат пока. на маузере закажу еще, хоть и месяц ждать надо.

[меченый]

Парни да вы чего, лабораторники включил- сразу данные, какие нагретые кристаллы? При токе 1А я минуту ждал, кристалл греется очень медленно, кому интересно дрейф всего пару миливольт(температуру корпуса не мерил- не нужно, тут важно кристалл как прогрелся). Еще раз, +12В на затворе или +20- влияние минимальное, почему? да потому что он уже открылся ему достаточно +10! если подаю +12В просто это удобно мне, пробовал и +5 и +10... после +10В транзистор ПОЛНОСТЮ открыт!
Никаких падений на диоде- он в закрытом состоянии(+ находится на стоке), диод нелинеен- его нельзя так измерять! Довайте договоримся так, пурги не надо, не вчера родился, заригился просто заново, старый пароль продолбал(который знал не подходит), как работает и как устроен МОП(МДП) знаю давно, так что только конструктив.
Какие микро импульсы на затвор, если после 1минуты сопротивление увеличилось от нагрева на 5мОм?

---------- Сообщение добавлено 13:27 ---------- Предыдущее сообщение было 13:09 ----------

.

По идее, размер кристалла можно оценить по ёмкости ЗИ. Чтобы уменьшить размер кристалла, и оставить затворную ёмкость без изменений необходимо либо "утоньшИть" подзатворный диэлектрик, либо применить его с бОльшим епсилон, и то и другое маловероятно,т.к. первое снижает пробивное, второе требует мощной науки и технологии.

Дело в том что это не просто полевики, это coolMos они там такое наворотили... Пару страниц текста чтоб обьяснить, кто хочет почитайте.2006_10_96.pdf