Усилитель на GaN транзисторах.
Собственно задумка собрать класс Д на этих современных приборах возникла после демонстрации модулей Павла "Electrovoicer".
Павел достаточно щедро делился нюансами, примерами разводки плат.
Я решил попробовать, собрал первый свой усилитель на этих приборах.
Родился вот такой модуль.
От жадности я выбрал транзисторы с большим током (мощи хотелось, мощи в усе размером с пачку сигарет!) EPC2215, драйверы подсмотрел у Павла, LMG1210
Получилось достаточно неплохо, работал на частоте 800кГц, но зверски грелся. Даже при питании от 36 вольт. Звучал хорошо.
Решил продолжить, сделать 2 канала и БП на одной плате.
В итоге родилось вот это.
Работал, грелся, звучал, но все же было не то.
Но ковид, проблемы с полупроводниками помешали дальнейшим мучениям, забросил, купил модули Павла (выше), собрал, слушал.
Но все же исследовательская жилка не давала покоя, и родилось это
Один канал и резонансный источник питания, транзисторы в БП и в усилителе INN650DA240A
Почему высоковольтные (650В) транзисторы в усилителе? Есть один большой недостаток у низковольтных и высокотоковых GaN, большая COSS.
Например, у транзистора IRFB5615 она 155пф, у EPC2215 почти 400, что "приемлемо для источников питания, но не приемлемо для усилителей (С)"
У примененных в последнем усилителе INN650DA240A всего 25пф, при этом у них высокий RDSon, и малый ток - применил 2 в плече, хватает для 200 ватт на 4 ома, конечно с охлаждением.
Источнику питания охлаждение не требуется, не выше 50 градусов.
Чуть позже выложу измерения. Это вторая версия, в первой был другой контроллер БП.
---------- Сообщение добавлено 17:06 ---------- Предыдущее сообщение было 16:51 ----------
Что у меня есть из GaN:
Нижний mastergan1 это сборки 10 амперных GaN с драйвером, для источников питания.
На верхнем фото сверху вниз:
TPH3212 каскодная (GaN+Si) сборка, как выяснилось очень медленная, только для ИИП.
Инфинеоновские IGT60R070D1, интересные транзисторы, 30 ампер, 70 миллиом. малая емкость.
Innoscience INN650DA240A, неплохие и очень легкие транзисторы.
Innoscience INN150LA070A 150В 28А 8мОм но выходная емкость большая, 355 пф.
И EPC2215, о них я писал выше.
Ответить с цитированием
Ну и естественно , весь конструктив тоже , те же платы должны быть многослойными , должны соблюдаться СВЧ нормы проектирования , итд ... чувствуется в этом какая-то несоразмерность целей и средств , что ли - ну вроде "стрельбы из пушки по воробьям" 
При том , что сами эти Ga-N полевики - это шедевр технологии , при их параметрах лично я бы , например , применял бы их для разных скоростных импульсных и высоковольтных схем , мощных передатчиков на сотни мегагерц ... но в УНЧ ? Боже мой , ну зачем ??? Качество звука от этого же не улучшится . Только ради КПД ? А какой смысл так улучшать КПД усилителей , если они всё равно будут работать на колонки с КПД в лучшем случае 10% ? 
Понятно же , что повышение КПД динамиков - а там большой резерв для этого - приведет к заметно меньшему потреблению энергии УНЧ даже в классе АВ , чем переход на класс D , но с обычными динамиками . А тогда в чём смысл ? 
Сообщение от deemon
Ну вот , а для класса D - мне уже придётся плату ( минимум 4-слойную ) в Китае заказывать - вот он уже лишний "геморрой" , не считая редких , дорогих и экзотических компонентов ... и главное - ЗАЧЕМ ??? Звук-то лучше не станет от этого - в лучшем случае будет примерно вровень со средним классом обычных УНЧ , в худшем ( типичном ) случае - класс D проиграет хорошему АВ . И это мы ещё не говорили про стремящуюся к нулю ремонтопригодность таких решений - там практически выгорание выходных транзисторов означает выбрасывание в мусорник всей платы 
Так это только выходной транзистор , но его же надо ещё и раскачать - нужен значит и драйвер , с соответственной полосой частот и мощным токовым выходом . А там ещё вылезает в полный рост проблема dead time ... в общем , чисто как инженерная задача - оно может быть и интересно , но какой практический смысл ? Именно для УНЧ ? Вот , я собственно про то и говорю ...
Социальные закладки