Если напряжение и ток по даташиту держат, то пусть будут считаться оригиналами.
Нужно ли их сажать на радиатор???
Зависит от тока который будет через них течь. Если не греются выше 60 то можно без радиатора.
Спасибо.
[QUOTE=Dieselboy;3058883]Попробуйте замерить ёмкости переходов и сравнить с указанными. Обычно в подделках занижают токовую нагрузку по размеру кристалла и ёмкости отличаются сильно в меньшую сторону.
Партия номер 1
---------- Сообщение добавлено 21:58 ---------- Предыдущее сообщение было 21:52 ----------
Партия номер 2
---------- Сообщение добавлено 22:01 ---------- Предыдущее сообщение было 21:58 ----------
Если первая партия показывает .10 nf-61 pf
То вторая партия показывает 1.1nf-.44nf
---------- Сообщение добавлено 22:02 ---------- Предыдущее сообщение было 22:01 ----------
Явно во второй партии все очень заниженно...значит это палево... Я прав???
---------- Сообщение добавлено 22:10 ---------- Предыдущее сообщение было 22:02 ----------
Datasheet
Нет. Во второй партии ёмкости переходов выше. Обычно у более мощных диодов выше ёмкость.
Вам эти диоды куда? В выпрямительный мост? Тогда проверьте что держат те режимы при которых будут работать. Если не пробьются и не сгорят то можно применять.
Добрый вечер.
Брали на АлиЭкспресс?? Спасибо..
https://www.chipdip.ru/product/vs-60apu04-n3-vishay 440 руб (не факт, что настоящие)
У вас две ёмкости приведены: 1-я - прямая (диффузионная), т.е. образованная носителями тока, её в листке данных нет, а вот 2-я - обратная (запертый pn переход), т.н. барьерная ёмкость. Отличие между ними в том, что зависимости их обратные, зеркальные тенденции отн. нуля - диффузионная близь нуля минимальна, а с ростом тока (падения напр. падения) растёт, барьерная же наоборот - вблизи нуля максимальная, а при увеличении U обр. падает, т.к. образована неосновными носителями зон п.п., по сути представляют из себя обычную ёмкость с "пьезоэффектом", когда заряды оттаскиваются от границы раздела зон п.п. У вас 2-я х-ка измерялась при напряжении Uобр=5 В, в листе данных приводится значение при Uобр=400 В (50 пФ), в документашке есть график зависимости барьерной ёмкости от напряжения, при 5 В она составляет 400 пФ (первое значение не 0, как обозначено, а 1 В, т.к. делений там 10 и 10-е 10 В, от нуля было бы 11). Таким образом, из второй группы Cбар.=0,44 нФ (440 пФ) близка к документируемой 400 пФ. Первая группа - подделки (60 пФ при Uобр=5 В).
Или я неправильно понял диапазон измеряемых напряжений, вроде от нуля до 5 В обратного? Т.е. оба значения для барьерной ёмкости, при нуле по документации 1 нФ, что ещё раз говорит о несоотвествии значений для группы 1, где значение в 10 раз меньше.
Откройте стр. 3 и сравните значения для 0 и 5 В на графике Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage: https://static.chipdip.ru/lib/990/DOC011990256.pdf
Ещё лучше - сколоть пластик и сравнить р-р кристаллов.
Благодарю !!! Всех откликнувшихся.
Социальные закладки