Латералы

[ИГВИН]

Serge_L, ну да, там физическое строение транзистора сильно влияет. Высокой крутизны при такой конструкции можно добиться, только включив параллельно много ячеек. А площадь ячеек видимо больше, чем площадь ячеек у вертикальной структуры.

[Alex]

Серега, они не про Rdson.

И как оно связано с сопротивлением канала транзистора?

Rdson - никак, конечно.

[Serge_L]

Да разобрались уже)))

---------- Сообщение добавлено 20:15 ---------- Предыдущее сообщение было 20:11 ----------

Игорь!
Там крутизна тем выше, чем выше управляющий эффект поля, а он определяется площадью затвора, толщиной диэлектрика, диэлектрической проницаемостью.
А как ты для горизонтальной структуры это обеспечишь?)))

Я просто времени не имею совсем, но, кмк, можно получить и на вертикалках хорошие результаты, обеспечив их нормальными драйверами.

[ИГВИН]

кмк, можно получить и на вертикалках хорошие результаты, обеспечив их нормальными драйверами.

Безусловно!
У меня такое тоже есть.

А как ты для горизонтальной структуры это обеспечишь?)))

Поэтому имеем что имеем.

[Serge_L]

Латералы хороши только обратной зависимостью тока от температуры
Если на вертикалках убить крутизну, получим такую же низкую емкость)