Проблема первого ватта, миф или реальность?

[_Сам_]

в том то и дело. Поскольку

даже термалтраки бессильньі

то получается невозможно за время одного периода 100 Гц

За температурой, да, надо тщательно следить и ее влияние компенсировать.

Ток покоя за время периода будет плавать и потеряется точность/оптимальность его настройки, что естественно вызовет рост искажений как раз на первом ватте. В среднем ток покоя можно стабилизовать, мговенное значение термодатчиком стабилизировать нельзя. Хотя наверное можно придумать какую-то схему, позволяющую выделить ток покоя путём вычитанием из суммарного тока ту часть, что уходит в нагрузку.

[vitamir]

Штудируйте 12 главу учебника Селфа, может поймете за динамику/точность поддержания тока покоя от температурьі. Пока, я не готов с Вами говорить на одном язьіке.

[_Сам_]

угу, так и запишем. На вопрос, что делать с тепловой модуляцией ВК есть целых два совета:
1. Не заморачивайтесь
2. Штудируйте 12 главу учебника Селфа

В двухтактном ВК когда один транзистор нагревается, то другой остывает, но если долго и внимательно читать Селфа, то наступает просветление и можно не заморачиваться. Гениально, я считаю.

[shkal]

В силу инерции внешний термодатчик управляющий напряжением смещения не успеет отследить эту девиацию на частоте скажем 100 Гц

Тепловые постоянные времени типового транзистора в предвыходе в ТО220 посмотрите. 100Гц , LOL.

[_Сам_]

Тепловые постоянные времени типового транзистора в предвыходе в ТО220 посмотрите. 100Гц , LOL.

ГДЕ посмотреть? А лучше скажите сами, раз уж вы, судя по громкому смеху, ответ знаете.

[shkal]

У Селфа, вам уже сто раз сказали

---------- Сообщение добавлено 18:48 ---------- Предыдущее сообщение было 17:56 ----------

Схема та-же, смещение примерно оптимальная, температура среды от 25С до 50С шаг 5С

[vitamir]

угу, так и запишем. На вопрос, что делать с тепловой модуляцией ВК есть целых два совета:
1. Не заморачивайтесь
2. Штудируйте 12 главу учебника Селфа

В двухтактном ВК когда один транзистор нагревается, то другой остывает, но если долго и внимательно читать Селфа, то наступает просветление и можно не заморачиваться.

Вьі попутали причину со следствием.
Если долго и внимательно читать Селфа, можно понять, что делать с тепловой модуляцией ВК (С) и с какой точностью и что контролировать для сведения к минимуму ее влияния на режимьі транзисторов вьіходного каскада, а значит, и на вносимьіе им искажения.
Вон Валет недочитал, и до сих пор не понял, что картинка трапецеидальной помехи (С) которая не дает ему уснуть, ни что иное, как иллюстрация слегка завьішеного, в сравнении с отимальньім, тока покоя.

[Валет]

Вон Валет недочитал, и до сих пор не понял, что картинка трапецеидальной помехи (С) которая не дает ему уснуть, ни что иное, как иллюстрация слегка завьішеного, в сравнении с отимальньім, тока покоя.

Сплю я нормально, а ваша язвительность глупа, потому что вы ничего не поняли из того, что я подробно расписал на своем Я-диске. Попробуйте еще раз прочитать и понять прочитанное.
Трапеция появляется при любом токе покоя и ее размах пропорционален этому току. Трапеция исчезает только при нулевом токе покоя без центральной отсечки, т.е. в идеальном классе В. Но в этом случае в полный рост встает проблема раздрая в усилительных (включая частотные) свойствах транзисторов плеч ВК. Это похуже будет, чем трапеция. А при заходе ВК в класс С еще и трапеция добавится.

[vitamir]

Трапеция появляется при любом токе покоя и ее размах пропорционален этому току.

Замеченная Вами трапеция - результат удвоения крутизньі в зоне совместной работьі транзисторов в двухтакте.
Подробно описано у Оливье.

[Валет]

Замеченная Вами трапеция - результат удвоения крутизньі в зоне совместной работьі транзисторов в двухтакте.
Подробно описано у Оливье.

Я о том и говорю, а Вы ничего не поняли ни у меня, ни у Оливье.

[ИГВИН]

Замеченная Вами трапеция - результат удвоения крутизньі в зоне совместной работьі транзисторов в двухтакте.

Я о том и говорю

А само наличие этой трапеции - говорит о неоптимальном выборе соотношения ток покоя vs эмиттерные резисторы ВК, не так ли?

[vitamir]

Именно так.
Но, Оливье предлагает вьібирать режим на границе между В и АВ. Ибо вьіше по току удвоение крутизньі и трапеция. А остаточную нелинейность давить с помощью местной ОС в каскаде. Но, давить то можно и общей ОС в усилителе, о чем говорит Селф. А Валет, видимо, недочитал, и говорит за влияние на процес паразитов транзистора включая частотньіе (С). Паразитьі там таки живут, но єто мальіе второго порядка и их влиянием можно либо пренебречь, либо вьібрать граничньіе условия так, чтобьі пренебречь. Но, видимо, спеть за разрьів ООС (С) легче и приятнее

[_Сам_]

температура среды от 25С до 50С шаг 5С

А зачем подменять хрен пальцем?
Я говорил о температуре кристалла, а вы почему-то о температуре среды.

Поскольку вы не можете/не хотите внятно и содержательно ответить на собственный вопрос:

Тепловые постоянные времени типового транзистора в предвыходе в ТО220 посмотрите.

то берём даташит на BD910, он как раз в корпусе TO-220 и смотрим на график ОБР:

Видим, что например для 30 В К-Э:
1. Для DC максимальный ток равен 3 А
2. Для одиночного неповторяющегося импулься 10 мс максимальный ток 4.5 А
Как видим отличия не очень большие. Импульс 10 мс для транзистора почти то же самое что DC.
В обоих случаях кристалл нагревается до максимальных 150 ^оС (потому что ОБР).
Это означает, что постоянная времени ориентировочно 5-10 мс.

А теперь пусть через ВК идёт 50 Гц. В режиме АВ каждый из двух транзисторов 10 мс окрыт, а 10 мс закрыт.
Допустим, что радиатор нагрет до 50 ^оС. 10 мс достаточно чтобы включеный кристалл раскалился до 150 ^оС, а выключенный кристалл остыл до температуры подложки 50 ^оС.
Значит при прохождении нулевой точки снизу и сверху температура транзистора (остающегося в ОБР) может отличаться на 100 ^оС, а напряжение Б-Э на 200 мВ.
И где при этом окажестя оптимум напряжения смещения настроенный до нескольких мВ?

Вот о чём шла речь.

[Валет]

А само наличие этой трапеции - говорит о неоптимальном выборе соотношения ток покоя vs эмиттерные резисторы ВК, не так ли?

Конечно, не так.

С ООС или без нее эти искажения УМЗЧ кл.АВ представляют собой трапецеидальную помеху, образующуюся за счет увеличенного усиления центральной части сигнала.

Как на это влияет сопротивление Rэ? Понимаете ли вы, что ΔU при 2-х резисторах в параллель меньше, чем на каждом из них по отдельности? Как оптимальное их сопротивление может это изменить? Какое оно? Если начнете говорить о волшебном Δ=26 mV (или сколько там?), докажите его волшебные свойства. Надеюсь, с вашей наклонностью к науке и теории это не будет сложно.

Скрытый текст

Пожалуйста не ссылайтесь на известного форумчанина: с его знанием теории автоматического регулирования и закона Гука, он для меня не авторитет.

[свернуть]

вьіше по току удвоение крутизньі и трапеция.

Учтите, что биполярный транзистор по физике работы усиливает не напряжение, а ток, и его усилительные параметры даются относительно тока. При переходе ВК в режим А суммарный ток в базы ВК делится между обеими плечами, поэтому суммарное усиление входного тока ВК изменяется совсем немного (только из-за меньшего ΔU при 2-х Rэ в параллель). Соответственно то же и с крутизной. Т.е. никакого удвоения крутизны ВК на биполярных транзисторах при переходе в кл.А не происходит.
Учите матчасть! Начните с букваря. Оливье пока рано.

Скрытый текст

Извините, но Ваша язвительность очень похожа на «Вызываю огонь на себя!»

[свернуть]

[vitamir]

Учтите, что биполярный транзистор по физике работы усиливает не напряжение, а ток, и его усилительные параметры даются относительно тока. При переходе ВК в режим А суммарный ток в базы ВК делится между обеими плечами, поэтому суммарное усиление входного тока ВК изменяется совсем немного (только из-за меньшего ΔU при 2-х Rэ в параллель). Соответственно то же и с крутизной. Т.е. никакого удвоения крутизны ВК на биполярных транзисторах при переходе в кл.А не происходит.

Но, я тоже все время пишу о токе.
Только транзистор управляется напряжением база-ємиттер, а ток базьі - побочньій єффект. И тока базьі будет столько, сколько надо коллектору, с учетом бета. Если ток базьі принудительно не ограничивать извне.

[ИГВИН]

Как на это влияет сопротивление Rэ? Понимаете ли вы, что ΔU при 2-х резисторах в параллель меньше, чем на каждом из них по отдельности? Как оптимальное их сопротивление может это изменить? Какое оно? Если начнете говорить о волшебном Δ=26 mV (или сколько там?), докажите его волшебные свойства. Надеюсь, с вашей наклонностью к науке и теории это не будет сложно.

Всё доказано до нас.
Оперативно менять эмиттерные резисторы ВК затруднительно, а вот подбор тока покоя вполне можно.
На экране анализатора спектра AD-3522, который у меня имеется, я наблюдал минимизацию гармоник, при установлении оптимального тока покоя ВК комплементарной пары транзисторов на синусоидальном сигнале. Больше ток покоя - хуже, меньше - хуже.
Также есть те же слуховые впечатления, когда в латеральном ВК накручивали ток покоя сверх установленного.
Всё это в безООСных каскадах и законченных конструкциях, где подобные изменения не маскируются общей ООС.

[shkal]

А зачем подменять хрен пальцем?

Ну давай, расскажи мне о разнице между температурой перехода и температурой среды при моделировании в МС.

Допустим, что радиатор нагрет до 50 оС. 10 мс достаточно чтобы включеный кристалл раскалился до 150 оС, а выключенный кристалл остыл до температуры подложки 50 оС.
Значит при прохождении нулевой точки снизу и сверху температура транзистора (остающегося в ОБР) может отличаться на 100 оС, а напряжение Б-Э на 200 мВ.
И где при этом окажестя оптимум напряжения смещения настроенный до нескольких мВ?

Люблю сферических коней в вакууме.

Реальный каскад 100Вт усилителя с одной выходной парой, выход в ТО3 , предвыход в ТО225, скачок выделяемой мощности 20 Вт (что примерно максимум для АБ на синусе), темп. датчик на корпусе выходного тр-ра.
10мв ошибки в максимуме. Ок, пусть с другими тр-рами будет 30 мв -ещё не критично, см мою. симуляцию.
И про локальную ООС на Rэ не забывай.

[_Сам_]

Ну давай, расскажи мне о разнице между температурой перехода и температурой среды при моделировании в МС.

реально что ли непонятна разница между
- принудительно задать температуру кристалла 50 градусов на протяжении всего периода 50 Гц
- реальной ситуацией, когда T(t, P) меняется в течение периода, т.к. она есть функция времени t и мгновенной выделяемой мощности P на кристалле с учётом процессов теплопередачи.
Два интегральных параметра постоянная времени и тепловое сопротивление позволяют толково предсказать T(t,P).

Реальный каскад 100Вт усилителя с одной выходной парой, выход в ТО3 , предвыход в ТО225

а причём тут какой-то конкретный усилитель?
Вы ещё фотку его покажите и звук на ютубчег выложите.
Это всё интересно, но не имеет отношения к моим рассуждениям, а потому ничегошеньки не опровергает.
И почему вдруг перескочили на предвыходные транзисторы, когда речь шла о токе покоя выходных ЭП, а вовсе не их драйверов.
Короче выглядит так, что вы вертитесь ужом и постоянно съезжаете/передёргиваете.

Сферический конь в вакууме понадобился только чтобы получит оценку для тепловой постоянной времени 5-10 мс. Я могу точнее его прикинуть моделируя разогрев, чтобы за 10 мс при токе 4.5 А получилась такая же температура, как при 3 А постоянки, но заранее понятно, что речь идёт и миллисекундах.

[Валет]

транзистор управляется напряжением база-ємиттер, а ток базьі - побочньій єффект.

В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход. Где есть ток, имеется и падение напряжения, но оно не является управляющим фактором в биполярном транзисторе.
Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током. Или, если быть точным, электрическим полем, создаваемым этим напряжением. Это напряжение создает некоторый ток на входе, но это не означает, что этот ток является управляющим фактором в полевом транзисторе.

Скрытый текст

Не срамитесь, прочитайте букварь хотя бы по диагонали. А пока Ваши посты вызывают ассоциации с откровениями известного теоретика Василия Семибулатова

[свернуть]

Всё доказано до нас.

Это все равно, что на деревню дедушке и означает, что вы просто не в теме.

Оперативно менять эмиттерные резисторы ВК затруднительно, а вот подбор тока покоя вполне можно.
На экране анализатора спектра AD-3522, который у меня имеется, я наблюдал минимизацию гармоник, при установлении оптимального тока покоя ВК комплементарной пары транзисторов на синусоидальном сигнале. Больше ток покоя - хуже, меньше - хуже.

Такое поведение характерно для ВК в классе АВ. При увеличении тока покоя увеличивается размах трапеции и увеличивается Кг за счет НЧ гармоник. При уменьшении тока покоя в полный рост встает проблема раздрая в усилительных (включая частотные) свойствах транзисторов плеч ВК, что приводит к увеличению Кг за счет ВЧ гармоник. Это проявляется под нагрузкой, особенно при напряжении на выходе близком к максимальному.

В отличие от вас, я исследовал влияние на Кг сопротивления Rэ. В моем усе на 20 кГц с нагрузкой 4 Ом он монотонно уменьшался с уменьшением этого сопротивления за счет уменьшения коммутационных выбросов. Ток покоя (100 мА и выше) при этом влиял слабо. При Rэ менее 0,05 Ом уменьшение Кг практически прекращалось. Все это вполне согласуется с физикой.

[vitamir]

Сферический конь в вакууме понадобился только чтобы получит оценку для тепловой постоянной времени 5-10 мс. Я могу точнее его прикинуть моделируя разогрев, чтобы за 10 мс при токе 4.5 А получилась такая же температура, как при 3 А постоянки, но заранее понятно, что речь идёт и миллисекундах.

Чтобьі не тратить Время на Сферических коней в вакууме (С), предлагаю ознакомиться с трудом Яна Диддена о влиянии изменений рассеиваемой мощности на ток покоя двухтактного повторителя. Там есть реальньіе постоянньіе времени, с реальніх усилителей. С подробньім описанием методики и измерительного стенда. Может, єто прояснит ситуацию.