YES - 5

[Геннадий3]

Приветствую , Всех !

Попросили сделать вариант без ОС-ного (полу-ОС-ного ) усилителя . Надо заметить , что без-ОС-ного УМЗЧ
просто не бывает . Поэтому задача была сделать усилитель без Общей ООС .
За основу был взят хорошо себя зарекомендовавший ВК от YES-4M-SAB . К нему добавлен входной ОУ и
корректор нелинейных искажений ( НИ ) на AD844 .

Базовая схема YES-4M-SAB :

и вот он " YES - 5 " :

ВК - практически без изменений из базовой схемы . Не много изменена схема термостабилизации .
Подробно о работе этого ВК и узла SAB смотрите в темах "YES-4M-SAB" и "YES-3M-SAB".
ВК имеет Кус около 3.5 , который задается резисторами местной ОС R8 и R20 . Для получения
нужного Кус всего усилителя добавлен входной ОУ со своей ООС и Кус = 8.5.

Как видно , на схеме присутствует резистор R45 , а это уже Общая ООС . Во-первых , она не глубокая -
всего около 3-х dB , а во-вторых , введена только с целью поддержания "0" на выходе усилителя ,
с чем она хорошо справляется ( ноль на выходе держится на уровне +/- 5 mV ).
В итоге Кус всего усилителя равен , как и всегда , 20 ( 26 dB ) .

Думаю " изюминкой " YES - 5 можно считать применение корректора НИ на популярной МС AD844 .
Она подключена в точку суммирования ( параллельно петле ОС ) ВК , где формируется напряжение
ошибки усиления.
Здесь необходимо снова вспомнить известного конструктора В.П.Матюшкина , который предложил
для компенсации НИ единичную МПОС - Местная Положительная ОС . Напомню , действие МПОС
направлено в том же направлении , что и ООС , усиливая влияние последней на параметры
усилителя и доводя их до максимально возможных значений .
И ещё , по В.П.Матюшкину - так же как и НИ , при МПОС подавляются пульсации напряжения питания ,
компенсируется дрейф постоянной составляющей напряжения на выходе , а так же она снижает негативное
влияние теплофизических процессов в элементах усилительного тракта и отклика громкоговорителя .

В данном случае в качестве ячейки МПОС используется МС AD844 . Кус ( около единицы ) задается
резистором R44 . Подстраивая этот резистор , удается снизить НИ на 40 dB ( 100 раз ) .

В качестве полигона для испытаний использован старый макет YES-4M-SAB .
Технические характеристики практически такие же как и у предидущих YES - ов и хорошо
видны на "весёлых " картинках :

меандр , клипп 20кГц клипп 100кГц , 10V/дел



Малосигнальная полоса по уровню -3 dB около 1 мГц .
Входное сопротивление около 13 кОм .

Попробовал на выход ВК поставить три пары БТ на том же макете :

для БТ - финал :

" Весёлые " картинки для этого варианта YES-5-БТ практически те же.
При Rн = 2 Ома - Кг и спектр почти без изменений .

Далее предстоит работа со стабилизированным БП .


Кому интересно.
Вот хорошая переводная статья о AD844 и её применении - Р-Хобби № 5 2009г ст. 19-23 .



Геннадий Брагин .

[Геннадий3]

80 примерно

Благодарю !
Полагаю в этом усилителе точка подключения к земле на ПП резистора R44 будет оказывать существенное влияние на звук .

[begemot61]

если криминала в конструктиве нет, то вторым этажом аккурат влазят по высоте платы БП

И вот тут то криминал и начнётся если его и не было

[Геннадий3]

И вот тут то криминал и начнётся если его и не было

Да , трудно не согласиться . Думаю обойдемся без этажей и Владимир Лепехин решит задачку .

А вот вопрос . Что-то как-то все обратили внимание на "биполярный" вариант , а ведь ни чуть не хуже и "мосфетный" . Так на чём остановимся ? Лично мне ПТ ближе . Кстати вчера посоветовали обратить внимание на ПТ -Onsemi-Fairchid FQA28N15 / FQA36P15.

[fakel]

Хороший совет , благодарю .

см. Зуева

---------- Сообщение добавлено 10:18 ---------- Предыдущее сообщение было 10:15 ----------

или стабилизированное

тогда на плате предусмотрите точки sense, откуда возьмете ООС для стабилизатора

[Mychyakovich]

Так на чём остановимся ? Лично мне ПТ ближе . Кстати вчера посоветовали обратить внимание на ПТ -Onsemi-Fairchid FQA28N15 / FQA36P15.

Осмелюсь предположить,что ПТ всё же лучше...Хотя бы отсутствием саморазогрева и плавающей из-за этого бэтой,причём совсем неодинаково для p-n-p и n-p-n транзисторов.

[MAXIM_A]

Осмелюсь предположить,что ПТ всё же лучше...Хотя бы отсутствием саморазогрева и плавающей из-за этого бэтой,причём совсем неодинаково для p-n-p и n-p-n транзисторов.

Какие, вертикалки или латеральные?
Вторые качественней, но дороже и трудней достать...

[begemot61]

тогда на плате

Не надо заниматься глупостями и придумывать себе геморрой на голом месте. Всё равно стаб придётся делать тормознутым и толку от этих ремоут сенсов...Впрочем как и от самого стаба...

---------- Сообщение добавлено 00:22 ---------- Предыдущее сообщение было 00:13 ----------

Вторые качественней

К абстрактному качеству это не имеет никакого отношения.
У вертикалов больше порог, что обычно плохо.
Но в данном ВК это как раз хорошо.И больше крутизна, что хорошо.
Латералы здесь скорее всего будут работать хуже. Из-за того что у них маленькая крутизна.
Впрочем, это всё надо проверять. Должно быть видно на измерениях.

---------- Сообщение добавлено 00:26 ---------- Предыдущее сообщение было 00:22 ----------

Здесь наверно лучше всего будет 4 пары вертикальных. Не только из-за ОБР, но и из за относительно большого сопротивления в насыщении

[mellowman]

У вертикалов больше порог, что обычно плохо.
Но в данном ВК это как раз хорошо.И больше крутизна, что хорошо.
Латералы здесь скорее всего будут работать хуже. Из-за того что у них маленькая крутизна.

Без "эмиттерных" резисторов там будет только 1 вертикал работать (и то наверно не долго ), а с выравнивающими резисторами вертикалы как раз примерно как латералы и получатся по крутизне.

[Геннадий3]

Цитата Сообщение от fakel Посмотреть сообщение
тогда на плате
Не надо заниматься глупостями и придумывать себе геморрой на голом месте. Всё равно стаб придётся делать тормознутым и толку от этих ремоут сенсов...Впрочем как и от самого стаба...

---------- Сообщение добавлено 00:22 ---------- Предыдущее сообщение было 00:13 ----------

Цитата Сообщение от MAXIM_A Посмотреть сообщение
Вторые качественней
К абстрактному качеству это не имеет никакого отношения.
У вертикалов больше порог, что обычно плохо.
Но в данном ВК это как раз хорошо.И больше крутизна, что хорошо.
Латералы здесь скорее всего будут работать хуже. Из-за того что у них маленькая крутизна.
Впрочем, это всё надо проверять. Должно быть видно на измерениях.

---------- Сообщение добавлено 00:26 ---------- Предыдущее сообщение было 00:22 ----------

Здесь наверно лучше всего будет 4 пары вертикальных. Не только из-за ОБР, но и из за относительно большого сопротивления в насыщении

Евгений , Вашими устами глаголит истина . А если серьёзно , то подписываюсь под всем .

[ОРорин]

Геннадий, поздравляю с новым хорошим усилителем!
По схеме, как мне понимается:
- входную AD лучше дополнительно "развязать" по питанию;
- ВК построить без биполярных транзисторов, хорошо же получалось до этого. Только не понятно тут, что значит два драйверных транзистора на четыре выходных. В схеме ВК нет драйверных транзисторов.

[Геннадий3]

поздравляю с новым хорошим усилителем!

Спасибо!

- входную AD лучше дополнительно "развязать" по питанию;
- ВК построить без биполярных транзисторов, хорошо же получалось до этого. Только не понятно тут, что значит два драйверных транзистора на четыре выходных. В схеме ВК нет драйверных транзисторов.

Да, питание будет сделано как в YES-4M-SAB.

Да , скорее всего будем делать на ПТ - там всё Окей .
А драйверные ( два ) планировались для варианта с БТ ( четыре ) .

[Анатолий Тимофеев]

и к тому же, живите долго, Геннадий, и радуйте нас схемами усилителей !

Offтопик:
Искренне присоединяюсь!

[Геннадий3]

Искренне присоединяюсь!

Спасибо!

[MAXIM_A]

Спасибо!

В следующий раз, если можно меандр 100кГц, чтобы посмотреть фронт.

[SAPR]

Да , планировать надо питание около +/- 45 под нагрузкой ( или стабилизированное ) .

AD8065 хорошая микросхема, но не до такой же степени :
Коэффициент усиления транзисторной части = 3.5 =>напряжение на выходе 8065 на пике сигнала получится 12,8 В (при ее питании в 12 В).
Ток, отдаваемый при этом в нагрузку (510 Ом) - 25 мА!!!
Ее ВК тупо выйдет из реж. А.

[MAXIM_A]

AD8065 хорошая микросхема, но не до такой же степени :
Коэффициент усиления транзисторной части = 3.5 =>напряжение на выходе 8065 на пике сигнала получится 12,8 В (при ее питании в 12 В).
Ток, отдаваемый при этом в нагрузку (510 Ом) - 25 мА!!!
Ее ВК тупо выйдет из реж. А.

Как интересно получилось!
К1 надо делать шесть, а К2=5 и получим 30
А нагрузку 1ком.

[SAPR]

К1 надо делать шесть, а К2=5 и получим 30
А нагрузку 1ком.

Не спасает ( 9 мА на пике - многовато будет)

[Геннадий3]

AD8065 хорошая микросхема, но не до такой же степени :
Коэффициент усиления транзисторной части = 3.5 =>напряжение на выходе 8065 на пике сигнала получится 12,8 В (при ее питании в 12 В).
Ток, отдаваемый при этом в нагрузку (510 Ом) - 25 мА!!!
Ее ВК тупо выйдет из реж. А.

Справедливое замечание . Конечно Кус ВК при этом напряжении питания должен быть выше .

[SAPR]

Конечно Кус ВК при этом напряжении питания должен быть выше ( около 4.5 - R20=2.2-2.4k ).

Пиковое выхода ОУ при этом 10 В, ток выхода 20 мА!!!.

Offтопик:
ЗЫ Дело хозяйское, но, например, в моей теме "усилитель" некоторые товарищи вынесли мне весь моск, требуя умощнить выход ОУ. А там ОУ работает в малосигнальном режиме, напряжение на выходе намного меньше 1 В, выходной ток ОУ - доли мА, + ОУ охвачено более глубокой ОС (за счет доп. усиления транзисторной части). И в чем то они были правы

[Геннадий3]

Пиковое выхода ОУ при этом 10 В, ток выхода 20 мА!!!.

Ну я считаю на 40 В , выходит немного меньше- 8.9 В . Но ток по расчету все равно достаточно большой . Ну ладно , но в исходной схеме при питании +/35 В если бы 8065 перегружалась то это бы наверняка отражалось на искажениях .

И в чем то они были правы

Конечно правы .
Завтра на макете еще раз всё проверю .


Посмотрел даташит на AD8065 :
Output Current - Vs=+/-12V - Vo=22p-p , SFDR>-60dBc , f=500kHz - Typ - 30 mA .

да и при Vs= +/-5V --- 35 mA .