Сообщение от
Romanoff
Итак: я намеренно перекомпоновал формулу таким образом, чтобы результатом была температура кристалла, ИМХО так нагляднее, да и пользоваться удобнее
Собственно, температура кристалла вычисляется по формуле:
Ткр=(Rsa+Rjc+Rcs)*Q+Tсреды
где:
Ткр - искомая температура кристалла, допустимый диапазон нормируется, и приводится производителем в даташите
Rsa - тепловое сопротивление предполагаемого охладителя, приводится опять же его производителем
Rjc - тепловое сопротивление кристалл-корпус полупроводникового прибора, приводится в даташите
Rcs - тепловое сопротивление корпус-охладитель, зависит от типа прокладочного материала, типовое значение 0.5 (это с запасом)
Q - мощность, рассеиваемая на полупроводниковом приборе
Tсреды - температура окружающей среды, в которой будет стоять охладитель, я бы советовал принять около 40 градусов, если внутри корпуса
Отдельно поясню про то, откуда берется Q. Мощность эту можно получить несколькими способами - для транзисторов, диодов и тп отлично помогает симулятор, тот же Микрокап показывает мощности рассеяния, это очень удобно. Про микросхемы - не претендую на правильность, но ИМХО можно посчитать так: Q=Qнагр/КПД, где Qнагр - мощность отдаваемая в нагрузку, КПД - около 0.5-0.6.
Пример расчета:
Дано: Транзистор IRF840, рассеиваемая мощность 5,195Вт, температура окружающей среды - 40 градусов, предполагаемый охладитель вот такой, его тепловое сопротивление около 15градусов на ватт
Открываем даташит на транзистор, видим там такие цифры: Rjc=1, Rcs=0.5
А теперь считаем: Ткр=(15+1+0,5)*5,195+40=125 градусов, максимально допустимая температура, по заявлениям производителя - 150 градусов Соответственно, покатит такой охладитель (температура кристала будет на пределе, лучше взять радиатор побольше)
Социальные закладки