Сообщение от
Гоша
Нет никакой методики в #34. Какое напряжение? Какова схема включения при подборе?
Я также просмотрел все сообщения Maxim_A - ничего похожего на методику подбора не нашел.
---------- Сообщение добавлено 22:31 ---------- Предыдущее сообщение было 21:08 ----------
Можно.
Только при запараллеливании лучше применить 640/9530. Это уменьшит суммарную емкость затвора и облегчит работу драйверного каскада.
---------- Сообщение добавлено 22:40 ---------- Предыдущее сообщение было 22:31 ----------
uriy61,
Разберем эти методики подробно.
Первая годится только для j-FET транзисторов, то есть для полевых транзисторов с pn переходом. Для MOSFET не годится от слова совсем, MOSFET при таком включении просто не откроется. Впрочем, это все написано у Н. Паса.
Вторая и третья суть одна и та же, но для MOSFET разной структуры. Это измерение напряжения отсечки. Важный параметр при запараллеливании. Кстати, совсем необязательно делать это при больших токах, напряжение отсечки практически не зависит от тока стока.
Но как быть с крутизной? Это же тоже очень важно. А ее измерить для MOSFET весьма проблематично.
И вероятность подобрать транзисторы и по напряжению отсечки, и по крутизне очень мала.
Поэтому на подбор по крутизне придется забить.
Социальные закладки