Уважаемое сообщество, прощу помочь советом.
Я занимаюсь разработкой силовых модулей на базе SiC MOSFET. В современной силовой электронике средних и высоких мощностей (особенно на базе SiC MOSFET) проблема индуктивности силового контура выходит на первый план. Большие значения di/dt в купе с индуктивностью силовых цепей приводят к значительным перенапряжениям, а также колебательным процессам, что никак не озонирует работу преобразователя в целом. Потому, одной из основных задач разработчика силовых модулей является снижение этой самой индуктивности. Не мне это вам, опытным усилителестроителям, рассказывать.
Передовые карбид-кремниевые модулей по схеме полумост имеют индуктивность контура DC+..DC ниже 20нГн, а самые передовые из них (еще не опубликованные) - единицы нГн. Пример такого модуля - https://www.wolfspeed.com/cas325m12hm2 , 1200В 300А модуль с индуктивностью контура DC всего 5нГн. Инженерные прототипы Semikron имеют вовсе 1-2нГн индуктивности.
Вопрос: Каким методом и какими техническими средствами можно достоверно измерять индуктивности порядка 10 нГн с точностью 1нГн ? Допускаю даже изготовление специализированного измерительного оборудования.
Стандартный измеритель, типа E7-12 мне не помог - на пределе разрешающей способности. Или у меня с методикой (руками) проблемы ?
Буду крайне признателен за помощь в вопросе.
Социальные закладки