Показано с 1 по 7 из 7

Тема: LDR VS PHOTOFET

  1. #1
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для Spammer
    Регистрация
    26.07.2006
    Адрес
    38RUS
    Сообщений
    1,694

    Сообщение LDR VS PHOTOFET

    что лучше в регулировании уровня усиления LDR или PhotoFET? входной сигнал НЕ более 2200mV RMS (ЗЧ)
    оптрон будет подключен последовательно инвертирующему усилителю с Ku=10 .оптроном надо регулировать Ku от 0.1...10 то есть сопротивление оптрона меняется в пределах 1 мом-10 ком что для такой цели подойдет лучше? в плане граблей,искажений и прочее
    фотополевикH11F1M.pdfфоторезисторNSL-32SR3.pdf Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	регулятор уровня.PNG 
Просмотров:	137 
Размер:	4.3 Кб 
ID:	305905

  2. #2
    Завсегдатай Аватар для straus
    Регистрация
    24.01.2009
    Сообщений
    3,259

    По умолчанию Re: LDR VS PHOTOFET

    Лучше фоторезистор. Но даже с ним искажения будут весьма велики.

  3. #3
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для Spammer
    Регистрация
    26.07.2006
    Адрес
    38RUS
    Сообщений
    1,694

    По умолчанию Re: LDR VS PHOTOFET

    Чем лучше?

  4. #4
    Завсегдатай Аватар для shura1959
    Регистрация
    13.02.2009
    Адрес
    г. Ижевск
    Возраст
    65
    Сообщений
    3,267

    По умолчанию Re: LDR VS PHOTOFET

    В какой то теме Игорь Гапонов приводил данные по некоторым приборам.
    «Не торопитесь соглашаться или опровергать. Не так уж важно, что утверждает или отрицает автор. Важно то, что он направляет Ваше внимание по определенному руслу». Павел Сергеевич Таранов.

  5. #5
    самый главный Аватар для Игорь Гапонов
    Регистрация
    03.03.2010
    Адрес
    Одесса
    Возраст
    12
    Сообщений
    3,156

    По умолчанию Re: LDR VS PHOTOFET

    В отношении резистивной оптопары, приведённой ТС сказать можно только предположительно, что "похож на старые" (допустимое на резистивном элементе 60В при ограниченой мощности 50мВт, т.е. при токе менее 1мА, соотв. сопротивлению >60кОм), т.к. семейства ВАХ самого фоторезистора не видно в пэдээфке. По старым (80-е годы) фоторезисторам могу сказать, что шумят поболее и мощность рассеяния у них меньше на порядок-два, чем у обычных плёночных, при практически равных НИ (!!!). Но в сравнении с половиком однозначно фоторезистор "линейнее" (отдельная ВАХ практически прямая линия). Но нюансы при выборе Р.Т. у старых есть (сами на гуглите при желании). У новых не знаю. Старые великолепно работали в исполнительных узлах АРУ (в самих аттенюаторах) с ДД под 120дБ (от 50мкВ до 50В) при совершенно незначительных НИ в широкой полосе (от ПТ до мегагерц).
    Электричество дисциплинирует

  6. #6
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для Spammer
    Регистрация
    26.07.2006
    Адрес
    38RUS
    Сообщений
    1,694

    По умолчанию Re: LDR VS PHOTOFET

    Цитата Сообщение от Игорь Гапонов Посмотреть сообщение
    В отношении резистивной оптопары, приведённой ТС сказать можно только предположительно, что "похож на старые" (допустимое на резистивном элементе 60В при ограниченой мощности 50мВт, т.е. при токе менее 1мА, соотв. сопротивлению >60кОм), т.к. семейства ВАХ самого фоторезистора не видно в пэдээфке. По старым (80-е годы) фоторезисторам могу сказать, что шумят поболее и мощность рассеяния у них меньше на порядок-два, чем у обычных плёночных, при практически равных НИ (!!!). Но в сравнении с половиком однозначно фоторезистор "линейнее" (отдельная ВАХ практически прямая линия). Но нюансы при выборе Р.Т. у старых есть (сами на гуглите при желании). У новых не знаю. Старые великолепно работали в исполнительных узлах АРУ (в самих аттенюаторах) с ДД под 120дБ (от 50мкВ до 50В) при совершенно незначительных НИ в широкой полосе (от ПТ до мегагерц).
    Спасибо!! Оэп-14 годны?

  7. #7
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для Spammer
    Регистрация
    26.07.2006
    Адрес
    38RUS
    Сообщений
    1,694

    По умолчанию Re: LDR VS PHOTOFET

    попробовал я nsl 32 и оэп-14.оэп-14 хоть и сдвоенные но разброс до 300%,импортные тоже не одинаковые но подобрать пару проще.из минусов эффект памяти долгочасовой при засветке на 100%.кни малы.на элементе должно быть не более 1000mVp-p.столкнулся с выходом из строя элемента что импорт что наш ,тупо встали в килоомы.

Социальные закладки

Социальные закладки

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •