Ток покоя 2квт усилителя мощности

[ODR]

Ремонтирую усилитель MRTAK 7800 ! Происходит постоянный пробой выходных транзисторов при небольшом увеличении мощности .Посмотрите схему и подскажите сколько должен быть ток покоя каждой пары и соответственно ток потребления усилителем на холостом ходу ! И может ли из за того что ток покоя слишком маленький (порядка 2.5 ма на каждой паре) происходить выход из строя оконечных транзисторов при увеличении мощности. схема по адресу https://forum.vegalab.ru/attachment....7&d=1153206138

[VASILI]

Такое бывает, если осциллограф врет.
Иначе нужно предположить наличие интегратора.

такого за 48 лет не видел НИКОГДА тк такого не бывает если нет ограничения (в класса Н бывает не работает какой то этаж питания).Если есть и предприняты какие нибудь меры чтобы оно(ограничение)имело вид синуса (издали) тогда конечно может быть

[krulfa]

Пока не было времени всё промерить ! Но на частоте 1000гц при измерении просто на синусоиде на выходе заметил разницу в амплитуде положительной и отрицательной полуволны но постоянки на выходе нет просто при увеличении сигнала синус не уходит в одну или другую сторону а просто амплитуды полуволн растут не одинакого . на входе все ровно . Иза чего ето может быть

Слабое место - два симметрирующих подстроечника VR2 VR3. При отрыве центрального контакта будет картина, похожая на ту, что вы описали - будет усиливаться только одна из полуволн.

Попробуйте заменить постоянными резисторами в соотношении 50% 50% и посмотрите синусиду.

А вообще, читая тему, быстрее и, в конечном итоге, дешевле может оказаться замена 100% транзисторов на новые и хорошие.

krulfa добавил 18.09.2006 в 22:43

Если бы так быть не могло то у меня бы в столе не валялось 26 убитых транзистора по 120 рублей за штуку . я ешо раз повторю что только после полной замены всех выходных усилок заработал без проблемм . у якобы живых транзисторов пн переходы в норме даже нагревал паяльником утечки как и вновь купленных а напряжение пробоя у всех выше 250 вольт замерял сам .

Объяснение простое. Мощные транзисторы делаются не только путем тупого увеличения размера кристалла. А чаще - путем параллельного включения "секций" (ячеек) нескольких транзисторов меньшей мощности, расположенных вплотную на одном кристалле. Это позволяет лучше распределить большую мощность рассеяния. В таком "мультитранзисторе" могут повыгорать несколько секций, останется одна-две живые, которые будут нормально звониться тестером. А под реальной нагрузкой они тут же перегреются и полыхнут.