Возьмем обычный телефонник с ОС. Пусть это будет хороший телефонник, с глубокой ООС (скажем 120 дБ на СЧ) и большим ДД (вот нравится цифра, пусть тоже будет 120 дБ).
Входную чувствительность ему тоже придумаем красивую - 1 вольт.
И посмотрим, что получается.
Для сигнала полного уровня входное напряжение (между базами транзисторов диффкаскада) составит величину в глубину ООС раз меньшую чем на входе - 1 микровольт.
Для сигнала малого уровня (с нижнего края ДД в 120 дБ) этот сигнал будет еще в миллион раз меньше - 1 пиковольт.
На этом месте можно было-бы порассуждать, сравнима-ли эта величина с наводкой от неудачной фазы Луны или с падением напряжения на неудачно расположенных атомах плохого припоя, но мы не будем впадать в эзотерику, а будем придерживаться научного подхода.
Это наверное ничего, что rms-напряжение шума какого-нибудь 3-х килоомного резистора из цепи ООС в
миллион раз больше. Мы ведь читали, что транзистор усиливает не напряжение, а ток. Поэтому считаем дальше:
Пусть входной диффкаскад имеет реальную крутизну 10 мА/Вольт. Тогда упомянутый пиковольт обеспечит изменение выходного тока диффкаскада на 0.01 пикоампера.
А сами транзисторы диффкаскада имеют усиление по току, скажем в 100. Следовательно, ток через их базовые переходы изменится на 0.0001 пикоампера.
Перепишем это число несколько иначе: 1е-16 Ампера.
Вспомним школу, и окажется, что такой ток соответствует скорости перебегания через управляющие базовые переходы транзисторов электронов в количестве
1е-16 [Ампера] / 1.6е-19 [Кулона] = 625 штук в секунду.
-------------------
А теперь, что совершенно закономерно, вопрос:
(правда еще не определилися какой, и нужен-ли он вообще, может и так понятно, что странноватая это штука, ООС..
ну попробуем так) :
- пускай для получения положительной полуволны сигнала на выходе, достаточно, чтобы один электрон пробегал по диффкаскадам справа налево, а для отрицательной - слева направо. Как тогда воспроизводить частоты выше 312 Герц?
или так
- если мы все-же хотим воспроизводить частоты повыше, скажем 3150 Гц, умеет-ли ООС делить электрон на 10 частей а потом пропускать через переход только маленький кусочек электрона? Как относится квантовая механика к подобным экспериментам с разрезанием элементарных носителей заряда?
или так
- при токе базы транзисторов диффкаскада порядка десятков-сотен микроампер, rms-величина флуктуаций этого тока составят десятки пикоампер, что как-бы почти в
миллион раз выше амплитуды рабочего тока в этих самых переходах. Как следует полагать, останется-ли от полезного сигнала что-то на фоне такого шума?
А ведь давно говорят нам из лагеря безосных конструкторов, что ООС мелкие детали проглатывает...
Нужен-ли он такой вообще, телефонник с ООС глубиной 120 дБ на СЧ?...
Поэтому логичен дополнительный вопрос:
-какой глубины допустима общая обратная связь, при условии, что мы хотим слушать музыку, а не то, что от нее осталось после ООС. Или иначе: постройте зависимость от глубины ООС для реального ДД. Считать его как диапазон от номинального входного напряжения, до минимального входного напряжения, которое еще не съедает ООС.*
* Правильный ответ: для ДД в 90 дБ ООС должна быть не глубже 30 дБ, для ДД в 120 дБ ООС должна отсутствовать, глубина ООС в 60 дБ ограничивает реальный ДД величиной в 60 дБ
УМЧЗ с глубокой ООС
, тут обсуждаются КОНСТРУКЦИИ усилителей, а не впечатление от звучания "сферических коней"
Сообщение от bbest
. Тем более статья более менее свежая. Про исходную линейность понял. Посмотрел на глубину ООС беты22. Она равна -56dB. По описанию качества звука автора статьи эта глубина попадает в разряд 
Re: УМЧЗ с глубокой ООС
Социальные закладки