Сообщение от
lazertok
На выходе аж 9 пар IRF640/9640
Думаю, разработчики задались током коллектора предвыхода, а после стали увеличивать крутизну, пока полюс не достиг границы звукового диапазона. Заодно обеспечили предвыходу девиацию тока менее 1/10.
При таком количестве выходников получается полюс затворной цепи (360 Ом, 9нФ) на частоте ~50 кГц, но усиление при нагрузке 4 Ом - достаточно большое (не более 6,7 А/В * 4 Ом * 9 = 241). Предвыход же дает усиления не более 1,3 раза. Частота единичного усиления должна получиться в районе 10 МГц. И полюс, и усиление в значительной мере изменяются от напряжения на нагрузке и ее сопротивления. До двух раз снижается частота полюса при увеличении амплитуды выходного напряжения и работе в режиме с отсечкой выходных. До "рельса" должно оставаться по меньшей мере 5..10 В, и преимущество по использованию питания от каскада "ОЭ" на выходе теряются. При использовании 2SK1530/2SJ201 параметры лучше, но не кратно.
ПМСМ, в такой топологии предвыход должен быть гарантированно в режиме "А", поэтому схемотехнически действительно проще всего использовать FET на выходе. Но из-за больших емкостей затвора, разработчик вынужден ставить малое сопротивление в коллекторной цепи предвыхода. При использовании всего двух FET в этой схеме на выходе получается полюс 360 Ом, 2нФ = 221 кГц, но становится маловато усиления ВК (6,7 А/В * 4 Ом * 2 = 53 раза). Чтобы улучшить данный параметр, скорее всего потребуется "волшебный костыль" в виде ЭП в цепи затвора либо двухтранзисторная схема, имеющая большее усиление при малом сопротивлении нагрузки.
Важно, что при малом количестве полевиков увеличивается относительная девиация тока предвыхода. Навскидку я не скажу, какой путь лучше, но понятно - какой дороже 
.
Offтопик:
При использовании же ВК в режиме "общий сток" даже при одной паре транзисторов, коэффициент передачи повторителя будет 6,7/(6,7+1/4Ом) = 0,96 раза, и входная емкость минимум в два раза меньше, чем в схеме "общий исток". А "раскачивается" такой повторитель от хорошего ЭП в режиме "А", либо от симметричной схемы "ОЭ-ОЭ" на транзисторах разной проводимости. В последнем случае количество транзисторов оказывается не больше (или даже меньше), но вся схема работает в лучшем режиме в части влияния сопротивления нагрузки и амплитуды выходного напряжения.
YES - 4
и её модификацию :
100 кГц:
по верт.-10 В/дел
С20 - исключаем , R32 и R36 - ставим по 10 Ом
Ответить с цитированием
Социальные закладки