Источники говорят, что были и серийные германиевые, но они очень быстро уступили место крмниевым планарным.
Скрытый текст
Полевой транзистор[править | править вики-текст]
Параллельно с совершенствованием биполярного транзистора продолжалась и работа по полевым транзисторам[130]. В течение десяти лет (1948—1958) она оставалась безрезультатной из-за отсутствия подходящих диэлектриков[130]. Затем события резко ускорились. В 1958 году Станислав Тезнер выпустил на французском отделении General Electric «Технитрон» (Technitron) — первый серийный, сплавной полевой транзистор[130]. Это был несовершенный германиевый прибор, отличавшийся высокими токами утечки при малой крутизне характеристики[130]. В 1959 году RCA выпустила тонкоплёночный полевой транзистор насульфиде кадмия[130]. В 1960 году американская Crystalonics выпустила серийный сплавной полевой транзистор на p-n-переходе с уровнем шумов ниже, чем у биполярных транзисторов. В 1962 году Texas Instruments выпустила первый планарный полевой транзистор на p-n-переходе.
Важнейшие события, как и десятью годами ранее, происходили в стенах Bell Labs. В 1959 году Мартин Аттала предложил выращивать затворы полевых транзисторов из двуокиси кремния; приборы такого типа получили название МОП-структур[130]. В том же году Аттала и Дион Канг создали первый работоспособный МОП-транзистор[131]. Изобретение не заинтересовало менеджмент Bell, зато RCA и Fairchild начали активно экспериментировать с МОП-технологией уже в 1960 году, а в 1962 году RCA изготовило первую опытную МОП-микросхему с шестнадцатью транзисторами[131]. В 1963 году Чин-Тан Са (англ.)русск. и Фрэнк Уонлес (англ.)русск. предложили комплементарную МОП-схемотехнику[132]. Первые серийные МОП-транзисторы RCA и Fairchild вышли на рынок в 1964 году, в том же году General Microelectronics выпустила первую МОП-микросхему, в 1970-е годы МОП-микросхемы завоевали рынки микросхем памяти и микропроцессоров, а в начале XXI века доля МОП-микросхем достигла 99 % от общего числа выпускаемых интегральных схем (ИС)[131].[свернуть]
Вот шикарная статья про "изобретение транзистора" из википедии https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%98...BE%D1%80%D0%B0
Вот также отличная статья "История электроники", читал её в 80-х, из Журнал "Электроника" том 53, No.09 (587), 1980г - пер. с англ. М.: Мир, 1980ELECTRONICS Special Commemorative Issue 1980, Vol.53, No.9(587) A McGraw-Hill Publication McGraw-Hill Inc. New York, USA
ELECTRONICS
Special Commemorative Issue 1980, Vol.53, No.9(587)
A McGraw-Hill Publication
McGraw-Hill Inc. New York, USA
http://azdesign.ru/index.shtml?Suppo...19800410Elc008
Вся "История..."
http://azdesign.ru/index.shtml?Suppo...lc1980/1980n09
«Не торопитесь соглашаться или опровергать. Не так уж важно, что утверждает или отрицает автор. Важно то, что он направляет Ваше внимание по определенному руслу». Павел Сергеевич Таранов.
Удалось сделать симуляцию ОУ для схемы К140УД1 . См. картинку.
Схема ОУ К140УД5 симуляции пока не поддается.
.
---------- Сообщение добавлено 21.05.2016 в 15.58 ---------- Предыдущее сообщение было 20.05.2016 в 22.23 ----------
Вот симуляция К140УД5 . См. картинку.
Работает.
Схему с уточненными элементами заменил.
.
Пока не могу запараллелить выходные транзисторы.
.
Данные для моделирования.
Входное напряжение 0,5 мВ pp = 1 мВ
Частота входного сигнала 10 кГц
Коэффициенты усиления: 1, 10, 100, 1000, 10000
Выходные напряжения: 1 мВ, 10 мВ, 100 мВ, 1 В, 10,2 В
Максимальный коэффициент усиления: 17800 - 17900
.
Последний раз редактировалось Jenyok; 22.05.2016 в 09:44.
«Не торопитесь соглашаться или опровергать. Не так уж важно, что утверждает или отрицает автор. Важно то, что он направляет Ваше внимание по определенному руслу». Павел Сергеевич Таранов.
Социальные закладки