Страница 1 из 2 12 Последняя
Показано с 1 по 20 из 21

Тема:

  1. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Входная ёмкость транзистора

    Возник вопрос:
    1. В даташитах как правило указывают выходную ёмкость,а о входной не слова.
    2.Существует формула для расчёта ёмкости Cd=B/2pFtRbe
    Вроде всё понятно,но получается ёмкость допустим расчитали ёмкость 0,3нФ,в модели симулятора заложено 3нФ пересчитывал ошибок в порядке нет,вопрос может считается как то по другому?и ещё как по даташиту определить эту самую ёмкость?Приводиться Cob-output cap.Входная должна быть Cin ?Видел только у некоторых пример: mjl21193 Сib -лежит в районе 5000пФ что это за ёмкость?

  2. Мимо проходил Аватар для Костя Мусатов
    Регистрация
    05.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    51
    Сообщений
    5.517

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    У транзистора есть емкости между выводами. Емкость входная - это емкость в определенном включении и режиме. Если взять режим ОЭ, то входная емкость будет суммой Cкб*(Ку+1)+Сбэ. Если у тебя эмиттерный повторитель, то емкость получается Скб+Сбэ(1-Ку), где Ку чуть меньше 1. Cib похожа на Cбэ+Скэ, т.е. входная, если и коллектор и эмиттер на сигнальной земле.

  3. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от Костя Мусатов
    У транзистора есть емкости между выводами.
    С этим и хочу разобраться Cd(диффузионная)-это ёмкость ВЕ она зависит от В ,Ft,сопротивления ВЕ,тока коллектора.Ёмкость СВ можно опустить,так как основной вклад оказывает ёмкость ВЕ.Вопрос по ходу в эмитерном повторителе,и ОЭ считается одинаково,или есть отличие?Формула верна?При расчёте полюса какую ёмкость брать?Поидее ВЕ,отсюда и вопрос как её вычислить?В даташитах не очень видел чтоб приводилась.И ещё исходя из формулы,если она верна Све выходит не зависит от индивидуальных свойств транзисторов со сходными характеристиками?а только от режима их работы.

  4. Мимо проходил Аватар для Костя Мусатов
    Регистрация
    05.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    51
    Сообщений
    5.517

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Что-то ты меня пытаешься запутать. Лучше всего почитать первоисточники. Мне очень нарвится книжка Войшвилло "Усилительные устройства"
    http://lib.chistopol.ru/?id=11229&page=57

  5. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от Костя Мусатов
    Лучше всего почитать первоисточники.
    Ладно не буду.Просто как посчитать полюс усилительного каскада ОЭ?допустим,а он определяется ФНЧ (R,Cbe)Вот почему необходима эта ёмкость в симуляторе конечно проще,просто хочу ручками уметь.А то комп мозги заменил.
    --книжка Войшвилло "Усилительные устройства"--
    Просмотрел там ничего нового,теория понятна,где взять ёмкость для расчёта?Или как её посчитать?
    Последний раз редактировалось kaskod; 29.03.2006 в 20:36.

  6. Мимо проходил Аватар для Костя Мусатов
    Регистрация
    05.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    51
    Сообщений
    5.517

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Один полюс в ОЭ образуется между входной емкостью и сопротивлением источника сигнала. Второй полюс между сопротивлением нагрузки и выходной емкостью.

  7. Завсегдатай Аватар для ИГВИН
    Регистрация
    06.05.2005
    Адрес
    Ростов-на-Дону
    Возраст
    59
    Сообщений
    9.886

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от kaskod
    теория понятна,где взять ёмкость для расчёта?Или как её посчитать?
    Подробное объяснение и пример расчета есть у Хоровица и Хилла "Искусство схемотехники" глава 13.
    Прямо с начала главы. В свое время изучил, но уже подзабылось
    Игорь. Meridian 507.24 => DAC6 v2+свой выхлоп => Noosfera Echo v5 => Celestion A2 + Hand-made cable

  8. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от Костя Мусатов
    между входной емкостью и сопротивлением источника сигнала.
    Наверное входным сопротивлением каскада,впрочем это зависит от сопротивления источника, И ЁМКОСТЬЮ ВЕ+ВС ВС меньше ВЕ ,можно ВС пренебречь.
    А где взять эту входную ёмкость или как её посчитать?Вот собственно сам вопрос.

  9. Мимо проходил Аватар для Костя Мусатов
    Регистрация
    05.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    51
    Сообщений
    5.517

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от kaskod
    А где взять эту входную ёмкость или как её посчитать?Вот собственно сам вопрос.
    Так я уже написал
    Цитата Сообщение от Костя Мусатов
    Если взять режим ОЭ, то входная емкость будет суммой Cкб*(Ку+1)+Сбэ.

  10. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от Костя Мусатов
    Так я уже написал
    Костя ,да понял я,наверное слегка запутал? Мы не совсем поняли друг друга под входной я подразумеваю именно Сбэ,писал выше.Я пытаюсь найти именно Сбэ,а как?Cd=B/2pFtRbe -существует вроде вот такая формула,однако результаты несовпадают из за чего и затеял сыр бор.С остальным понятно Ещё Скб можно опустить,а если её учитывать то её тоже нужно знать,а откуда данные?В даташитах приведена только С выходная?Как дальше считать я знаю.
    Сэб?
    Скб?
    И ещё что то непонял с критерием устойчивости по симмуляторам.В теории Кус должен стать меньше единицы прежде чем фаза достигнет 180град?Интересно симмуляторы с этим справляются и к тому же разные по разному.К тому же МС7 почему то на коррекцию слабо реагирует,а мультисим вроде нормально.Начал считать сравнивать и думать чему больше верить.
    -----------------------------------------
    Неужели все так плотно подсели на симмуляторы/ИГЛУ/ -шутка,удобно конечно,НО...
    Последний раз редактировалось kaskod; 30.03.2006 в 15:41.

  11. мифолог Аватар для anli
    Регистрация
    06.11.2004
    Адрес
    Тверь
    Возраст
    55
    Сообщений
    4.987

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от kaskod
    Ещё Скб можно опустить,а если её учитывать то её тоже нужно знать,а откуда данные?
    Как раз она и определяет всё (ну... почти всё) в схемах ОЭ. И в даташитах всегда есть.
    Цитата Сообщение от kaskod
    И ещё что то непонял с критерием устойчивости по симмуляторам.
    Мой небольшой опыт говорит о том, что судить об устойчивости по результатам симуляции нельзя, если схема с ОООС. Думаю, одна из причин - "стандартные" модели имеют мЕньший h21э, чем в реальности бывает, в связи с чем петлевое усиление оказывается больше, чем в симуляторе.

  12. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от anli
    Как раз она и определяет всё (ну... почти всё) в схемах ОЭ. И в даташитах всегда есть.
    Читал что её можно не учитывать т.к она меньше Сбэ,можно и учитывать конечно.
    Дык почему пишу?,далеко не все их указывают,это скорее исключение.
    Output Capacitance -вот что обычно указывают,а это как я понимаю Скэ

    На некоторые есть графики на Сib-это как я понял то что надо?
    Но далеко не на все-как быть тада?

  13. мифолог Аватар для anli
    Регистрация
    06.11.2004
    Адрес
    Тверь
    Возраст
    55
    Сообщений
    4.987

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от kaskod
    Output Capacitance
    Там перед этими двумя словами ещё слово "Collector" есть И обрати внимание, что эта ёмкость умножается на Ку каскада (если он не каскод ).

  14. Завсегдатай Аватар для shkal
    Регистрация
    30.11.2004
    Адрес
    Москва, Russia
    Возраст
    50
    Сообщений
    1.700

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от kaskod
    Cd=B/2pFtRbe
    Формула неправильная, Cd=1/2pFtRe, а Re=25/Ik (ма)
    И не надо забывать о зависимости Ft от Ik

  15. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от anli
    "Collector"
    Нету,я понял методом сравнения с моделями Cib-это оно А что делать если его нет?Пробовал считать так:
    Cd=B/2pFtRbe-формула вроде есть а выходит совсем не оно

    [ADDED=kaskod]1143720193[/ADDED]
    Цитата Сообщение от shkal
    Rbe, а Re=25/Ik
    Rbe=0.025(B+1)/Ic выйдет то же ,естественно брать надо полное взодное сопротивление каскада,но я упрости задачу,выбор РТ базовым током,можно ограничится Rbe Т.к. Rb -велико и мало влияет на вх сопротивление.
    Последний раз редактировалось kaskod; 30.03.2006 в 16:03.

  16. Мимо проходил Аватар для Костя Мусатов
    Регистрация
    05.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    51
    Сообщений
    5.517

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Емкость кб часто не указывают для мощных транзисторов, поскольку они обычно используются в схеме ОК. Хотя мне это странно, ведь эта емкость нагружает предыдущий каскад. Емкость бэ определяется количеством носителей заряда и зависит от тока. В реальных схемах, кроме каскода (каламбур), больше влияет емкость кб, и только в каскодном включении емкость бэ становится решающей.

  17. СамоПисец
    Автор темы
    Аватар для kaskod
    Регистрация
    15.12.2004
    Адрес
    VILNUS
    Возраст
    49
    Сообщений
    2.127

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от kaskod
    Cd=B/2pFtRbe
    Цитата Сообщение от kaskod
    Rbe=0.025(B+1)/Ic
    Отсюда ясно что от тока коллектора зависит.Я понял одно иногда легче на макете посмотреть чем посчитать Иногда хочется макет не строить,а просто прикинуть и комп не всегда под руками.

  18. Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    2.691

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    По емкостям полупроводниковых приборов.
    Во-первых, в них существует два типа емкостей: барьерная (как у варикапа) и т.н. диффузионная (никакого отношения к диффузионной технологии не имеющая). Барьерная емкость - это емкость обратносмещенного p-n перехода. К примеру, это переход коллектор-база у биполярного транзистора (не находящегося в режиме квазинасыщения или просто насыщения), переход коллектор-подложка в ИМС, емкость обратносмещенного диода, емкость сток-исток у DMOS/HEXFET, а также проходные емкости МОП-транзисторов. Барьерная емкость зависит от размеров структуры и величины обратного смещения, всегда уменьшаясь при увеличении обратного смещения. Именно начальные значения этих емкостей (при нулевом напряжении) и указываются в SPICE-моделях. Закон изменения этой емкости от напряжения зависит от профиля распределения примесей в полупроводнике и может меняться от примерно 1/U^2 (гиперрезкий p-n переход, варикапы с кратностью более 50) до 1/U^0.15 (коллекторно-базовый переход ультралинейного ВЧ транзистора, работающего в режиме полного обеднения коллекторного слоя, когда его емкость практически не зависит от напряжения).
    Диффузионная же емкость - это условное понятие, т.к. это модель внешнего проявления накопления носителей при инжекции в прямосмещенном p-n переходе. Поскольку для накопления носителей нужно некоторое время, эта емкость оказывается частотно-зависимой (уменьшаясь на ВЧ), а ее величина очень сильно зависит от времени жизни носителей (чем больше, тем она выше). Этот эффект используется в коммутационных ВЧ диодах, таких, как КД409 - при установившемся прямом токе в 1-2 мА их сопротивление высокочастотному сигналу не превышает 5...7 Ом (вместо 15-26 ом без учета дифф. емкости). У биполярного транзистора диффузионной является емкость база-эмиттер, что на практике исключает появление заметного фазового сдвига между базой и эмиттером в биполярном эмиттерном повторителе независимо от граничной частоты транзистора.

    Поищите книжки по физике полупроводниковых приборов под редакцией Я.А.Федотова - этот человек очень много писал сам и, главное, понимал, что писал, поэтому там все гораздо доходчивее, чем в нынешних наукообразных многословиях. Книжки старые, 60-х годов.

  19. Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    2.691

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Цитата Сообщение от shkal
    Формула неправильная, Cd=1/2pFtRe, а Re=25/Ik (ма)
    И не надо забывать о зависимости Ft от Ik
    Существенное "но" - диффузионная емкость - понятие условное. Приведенная формула относится к режиму установившегося тока, а в динамике, если транзистор работал с отсечкой или резко увеличивает ток, емкость "не успевает нарасти", т.е. возникает эффект индуктивного типа. Это очень хорошо заметно на прямом напряжении высоковольтных быстрых диодов и напряжении Б-Э СВЧ транзисторов при работе с отсечкой. SPICE, кстати, при аккуратной настройке моделей отражает эти эффекты.

  20. Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    2.691

    По умолчанию Re: Входная ёмкость транзистора

    Каскад ОЭ - цепь минимум второго порядка, и там не меньше двух постоянных времени - (Rг+Rб)Cкб (самая важная, определяет частоту единичного усиления по напряжению), (Rг+Rб)Сбэ, Rн(Cкб+Сн), и наконец, наименее существенная - 1/2piFt.

    Основное отличие ВЧ и СВЧ транзисторов - не столько в граничной частоте, сколько в Rб (единицы и десятки ом вместо сотен) и Ск (десятые доли пФ на 5 мА коллекторного тока, соответствующегно пику Fт).

Страница 1 из 2 12 Последняя

Социальные закладки

Социальные закладки

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •