В ВК с истоковым повторителем на МОСФЕТ транзисторах между затворами транзисторов ВК, как правило, присутствует немалое напряжение смещения. Во многих случаях этого смещения достаточно для питания первого каскада параллельного повторителя, что позволяет стоки первого каскада завести не на +\- ИП а на выход второго каскада.
Такая конфигурация позволяет снизить шунтирующее действие на вход каскада проходной ёмкости транзисторов первого каскада, сильно снижает девиацию этой ёмкости в процессе усиления больших сигналов, уменьшает нагрев транзисторов первого каскада. Поставив транзисторы первого каскада на общий теплоотвод с выходными транзисторами, получаем термостабилизацию тока выходного каскада.
Трудно в наше время претендовать на новизну... Но если что-то подобное не встречали, просьба обсудить недостатки или преимущества.
Анатолий Шувалов.
Социальные закладки