Решил вот закрыть для себя данный вопрос
На форуме встречал две точки зрения:
1. Поставить низкоимпедансный электролит без шунтирующих емкостей
2. Шунтировать пленкой около 0,1 мкф.
Дабы проверить эти варианты, сделал несложный расчет импеданса параллельного соединения низкоимпедансного электролита с шунтом.
В расчете приняты следующие данные:
Электролит - epcos b41858 680 мк х 50 в
ECR = 0.045 ом
ECL = 20 нГн
Шунт имеет нулевые ECR и ECL
Расчет выполнен комплексным методом на MS Ёксель.
Результаты на рисунках.
Без шунтирования указанный электролит будет иметь емкостной импеданс где-то до 10 кГц и активный до 200 кГц. Достаточно ли этого для высококачественного усиления и как это определить - я не знаю.
С шунтом 0,1 мкф имеет место резонансный пик примерно на 3 мГц. По идее должно безбожно звенеть.
Для ликвидации резонансного пика следует принять емкость шунта не менее 20 мкф. Для пленки получаем совсем неразумные габариты, где на одной индуктивности дорожек потеряем больше, чем выиграем благодаря шунтированию.
Из разумных вариантов видится SMD керамика с диэлектриком Y5V. Габариты вполне, но диэлектрик такого типа считается некошерным для звуковых применений.
Вот и думаю, что лучше - без шунтирование или с шунтом с диэлектриком Y5V.
Просветите, плз.
Социальные закладки