Усилитель мощности с высокой термостабильностью

[.Васильев]

При разборе схемотехники усилителя мощности из миникомплекса ОДА-102 пришел к такому варианту ..Боюсь только опять данный проект не поймут и не ценят.


---------- Добавлено в 13:09 ---------- Предыдущее сообщение в 13:08 ----------

Вот спектр предполагаемой модификации ,введен истоник тока,но смещение оставлено. Он говорит сам за себя.Офф можно повторитель типа шушуринского ввести,но стоит овчина выделки илинет.надо анализировать



---------- Добавлено в 12:42 ---------- Предыдущее сообщение в 11:42 ----------

[.Васильев]

Вобщем повозился с вариацией номиналов. Есть определенная тенденция. Номиналы самой оос местной RR12/R16 и R13/R17 довольно не критичны к разбросу .Но номиналы эмиттерных резисторов выходников R28/R29 желательно иметь с малым разбросом. Они более критичны .

[fakel]

Nikolav, Можно ведь и подстроечник тупо поставить для балансировки,только как поймать оптимум?

Подстроечник? Хм... только очень качественный, чтобы нелинейность контакта движок-резистор не съела всю красоту

[.Васильев]

Резисторы класса точности 1 % в оос и подбор низкоомных резисторов 0,1ом по парно и все

[fakel]

Резисторы класса точности 1 % в оос и подбор низкоомных резисторов 0,1ом по парно и все

+ кондер между эквипотенциальными точками

[.Васильев]

электролит или пленочник?

[fakel]

и тот и тот

[waso]

Максим, ещё один нюанс, который вылез у меня при симуляциях V2012 и на который обычно мало кто обращает внимание. Воткни виртуальный осцилл между базами преддрайверов и посмотри,что там происходит. Потом соедини базы преддрайверов через 1 мкФ. Дальнейшее направление увеличения ёмкостей быстро уловишь С источником смещения -тоже надо шунтировать, чтобы убить дифференциальное сопротивление. Решение же источника смещения из СЛ привязано к бете термотранзистора, менее повторяемо (оптимум зависит от беты транзистора и плывёт с температурой) и такого эффекта не даёт.
Это из черновика описания:

В процессе расчёта усилителя был соблазн просто скопировать источник смещения из СЛ С.Агеева, однако и здесь всё оказалось не так просто, как хотелось бы. В частности, оптимальный номинал резистора R65 (схема СЛ.), как показали расчёты, зависит от беты применённого транзистора VT10, а его отклонение в любую сторону приводит к увеличению переменной составляющей между базами преддрайверного каскада. Притом эта составляющая, в зависимости от точности «попадания» номинала резистора, может иметь как синусоидальную, так и сильно искажённую форму, содержащую в себе гармоники второго и более высоких порядков. Чтобы исключить необходимость какого-либо подбора в этом звене, было решено пойти более простым и легко повторяемым путём – уменьшить переменную составляющую за счёт увеличения ёмкости между базами преддрайверного каскада до 1 мкФ и шунтирования источника смещения плёночным конденсатором такой же ёмкости. В результате размах переменной составляющей на 20 кГц был снижен до 3 мВ, в то время как при даже самой удачной оптимизации вышеупомянутого резистора и ёмкости между баз преддрайверного каскада в 0,1 мкФ не удавалось получить менее 20 мВ размаха. Но самое важное то, что форма переменной составляющей оказывается довольно близкой к правильной синусоиде с частотой поданного на вход сигнала. Судя по анализу спектра этой составляющей, доминирующая роль, вносимая ей, приходится на вторую гармонику, а остальные сильно подавлены. На низких частотах ситуация несколько хуже, но там имеется достаточный запас петлевого усиления для коррекции артефакта, на который обычно мало обращают внимание.

[.Васильев]

fakel, От одного пленочника толку нет,электролит рулит,даже есть дальнейшее снижение искажений.
waso, гляну повнимательнее эти места ,я снизил номиналы резисторов до33ом и 330ом в драйверах и преддрайверах,более подходят для транзисторов в корпесах ТО220,для ВД139/140 лучше оставить 560/56

---------- Добавлено в 09:48 ---------- Предыдущее сообщение в 09:35 ----------

Воткни виртуальный осцилл между базами преддрайверов и посмотри,что там происходит на уровнях переменки милливольт 50

В микрокапе вроде осциллографа и нет.Я по крайней мере не нашел.Может кто знает,подскажет.Вот посмотреть на переходных в этой точке возможно,гляну.

[waso]

В микрокапе вроде осциллографа и нет

Понятно, в Мультисиме хорошо это место просмативается. И в зависимости от R65 (по схеме СЛ) форма меняется от чуть искажённого синуса до страхолюдного графика, лишь отдалённо напоминающего синус. Увеличение конденсаторов дало куда больший эффект, чем все подборы резистора.

[.Васильев]

waso, На переходных все чистенько в этих местах,даже удивительно.

[waso]

А ты на синусе посмотри, именно между базами ;)

Offтопик:
На работе поставил себе Виндовоз х64бит, а под него мультисим 11й версии не ставится, зараза, так бы показал картинки...

[.Васильев]

А я сейчас и смотрю,тупо отметку выход перекинул на первые транзисторы и все.То ,что влияние межбазовых конденсаторов прослеживается и вижу ,уменьшение гармоник,а вот форму сигнала там не посмотреть.Надо пожалуй мультисим поставить

[waso]

Ну можно иначе попробовать - посмотреть гармоники ВК с номинальным током покоя, но без охвата ООС. Просто как повторитель.

[.Васильев]

Ну влияние межбазового конденсатора у первой тройки прекрасно видно и в процессе вариации.Вот только форму сигнала непосмотреть. Гляну на файле ВК.

[fakel]

А я сейчас и смотрю,тупо отметку выход перекинул на первые транзисторы и все.То ,что влияние межбазовых конденсаторов прослеживается и вижу ,уменьшение гармоник,а вот форму сигнала там не посмотреть.Надо пожалуй мультисим поставить

Можно так: v(b1)-v(b2), где b1 b2 - базы транзисторов

---------- Добавлено в 14:10 ---------- Предыдущее сообщение в 14:10 ----------

или резик мегомный между ними кинуть и на нем смотреть

[.Васильев]

Можно так: v(b1)-v(b2), где b1 b2 - базы транзисторов

хрень какая то прет так.негоже

---------- Добавлено в 12:35 ---------- Предыдущее сообщение в 12:32 ----------

хотя при введении конденсатора , хрени на несколько порядков меньше

[.Васильев]

вот в картинках

[waso]

хотя при введении конденсатора , хрени на несколько порядков меньше

Воот!!! Штука в том, чтобы транзисторы ВК по переменному току работали строго параллельно, как один "идеально симметричный" . И это можно сделать, связав все базы конденсаторами. Ессно, что чем ниже частота, тем емкостное сопротивление будет выше, но там и ООС лучше работает.

[.Васильев]

Ессно, что чем ниже частота, тем емкостное сопротивление будет выше, но там и ООС лучше работает.

На 100кгц искажения были меньше ,чем на20кгц .Ну это между баз.Что подтверждает слова Вадима

---------- Добавлено в 13:04 ---------- Предыдущее сообщение в 13:02 ----------

Вот в чем некоторое преимущество параллельного усилителя в вк. Но это иная песня.

[classDfan]

В микрокапе вроде осциллографа и нет.Я по крайней мере не нашел.Может кто знает,подскажет.Вот посмотреть на переходных в этой точке возможно,гляну.

А разве Probe Transient не аналог осциллографа?